公开(公告)号：CN109950206A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811338798.5

申请日：2018-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正韩 ,  金竝基 ,  金钟必 ,  李基焕

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/265

Abstract: 提供了一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包括：对基底执行第一离子注入工艺以在基底中形成下掺杂区域；对具有下掺杂区域的基底进行图案化以形成有源图案；对有源图案执行第二离子注入工艺以在有源图案中的每个的上部中形成上掺杂区域。下掺杂区域和上掺杂区域具有相同的导电类型。

公开(公告)号：CN108074921B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201710637227.0

申请日：2017-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 米克罗·坎托罗 ,  李允逸 ,  李炯锡 ,  许然喆 ,  金竝基 ,  吕昌旼 ,  尹承燦 ,  李东勋

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的掺杂有第一杂质的第一半导体图案；所述第一半导体图案上的第一沟道图案；分别接触所述第一沟道图案的上部边缘表面的掺杂有第二杂质的第二半导体图案；以及至少包括所述第一沟道图案的侧壁的一部分的第一栅极结构。

公开(公告)号：CN109935587B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201811176477.X

申请日：2018-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  金东铉 ,  金竝基 ,  南润锡 ,  全英敏 ,  朴成哲 ,  河大元

IPC: H01L27/092

Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍形图案和第二鳍形图案，位于基底上并且彼此分开地延伸；场绝缘膜，位于基底上并且围绕第一鳍形图案的部分和第二鳍形图案的部分；第一栅极结构，位于第一鳍形图案上并且与第一鳍形图案交叉；第二栅极结构，位于第二鳍形图案上并且与第二鳍形图案交叉；以及分隔结构，从场绝缘膜的顶表面突出并且使第一栅极结构和第二栅极结构分隔，场绝缘膜和分隔结构包括相同的绝缘材料。

公开(公告)号：CN109935587A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811176477.X

申请日：2018-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  金东铉 ,  金竝基 ,  南润锡 ,  全英敏 ,  朴成哲 ,  河大元

IPC: H01L27/092

Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍形图案和第二鳍形图案，位于基底上并且彼此分开地延伸；场绝缘膜，位于基底上并且围绕第一鳍形图案的部分和第二鳍形图案的部分；第一栅极结构，位于第一鳍形图案上并且与第一鳍形图案交叉；第二栅极结构，位于第二鳍形图案上并且与第二鳍形图案交叉；以及分隔结构，从场绝缘膜的顶表面突出并且使第一栅极结构和第二栅极结构分隔，场绝缘膜和分隔结构包括相同的绝缘材料。

公开(公告)号：CN108074921A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710637227.0

申请日：2017-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 米克罗·坎托罗 ,  李允逸 ,  李炯锡 ,  许然喆 ,  金竝基 ,  吕昌旼 ,  尹承燦 ,  李东勋

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的掺杂有第一杂质的第一半导体图案；所述第一半导体图案上的第一沟道图案；分别接触所述第一沟道图案的上部边缘表面的掺杂有第二杂质的第二半导体图案；以及至少包括所述第一沟道图案的侧壁的一部分的第一栅极结构。