公开(公告)号：CN108074921B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201710637227.0

申请日：2017-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 米克罗·坎托罗 ,  李允逸 ,  李炯锡 ,  许然喆 ,  金竝基 ,  吕昌旼 ,  尹承燦 ,  李东勋

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的掺杂有第一杂质的第一半导体图案；所述第一半导体图案上的第一沟道图案；分别接触所述第一沟道图案的上部边缘表面的掺杂有第二杂质的第二半导体图案；以及至少包括所述第一沟道图案的侧壁的一部分的第一栅极结构。

公开(公告)号：CN108074921A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710637227.0

申请日：2017-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 米克罗·坎托罗 ,  李允逸 ,  李炯锡 ,  许然喆 ,  金竝基 ,  吕昌旼 ,  尹承燦 ,  李东勋

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的掺杂有第一杂质的第一半导体图案；所述第一半导体图案上的第一沟道图案；分别接触所述第一沟道图案的上部边缘表面的掺杂有第二杂质的第二半导体图案；以及至少包括所述第一沟道图案的侧壁的一部分的第一栅极结构。