公开(公告)号：CN112951898A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011227830.X

申请日：2020-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩东焕 ,  尹承燦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括在第一方向上延伸的有源区；栅极结构，与有源区交叉并且在第二方向上延伸；源区/漏区，在有源区上位于栅极结构的至少一侧上；接触插塞，在源区/漏区上位于栅极结构的所述至少一侧上；以及接触绝缘层，位于接触插塞的侧壁上，其中，接触插塞的下端比源区/漏区的下端靠近基底。

公开(公告)号：CN119835998A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411180303.6

申请日：2024-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁明 ,  徐康一 ,  尹承燦

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/03 ,  H10D62/17

Abstract: 公开了集成电路器件和形成集成电路器件的方法。所述集成电路器件包括：包含应变沟道的p型场效应晶体管，应变沟道包括硅沟道和在硅沟道的相对表面上的硅锗包覆层，硅锗包覆层邻接硅沟道而不从硅沟道生长。

公开(公告)号：CN108074921B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201710637227.0

申请日：2017-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 米克罗·坎托罗 ,  李允逸 ,  李炯锡 ,  许然喆 ,  金竝基 ,  吕昌旼 ,  尹承燦 ,  李东勋

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的掺杂有第一杂质的第一半导体图案；所述第一半导体图案上的第一沟道图案；分别接触所述第一沟道图案的上部边缘表面的掺杂有第二杂质的第二半导体图案；以及至少包括所述第一沟道图案的侧壁的一部分的第一栅极结构。

公开(公告)号：CN119342898A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410911855.3

申请日：2024-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍泰 ,  尹承燦 ,  徐康一

IPC: H10D89/10 ,  H10D88/00 ,  H10D84/83 ,  H10D84/03

Abstract: 提供了集成电路装置和形成其的方法。所述集成电路装置可包括：上晶体管，包括基底上的上沟道区域；下晶体管，在基底与上晶体管之间，下晶体管包括下沟道区域；以及电源线，在第一水平方向上纵向延伸。上沟道区域和下沟道区域中的至少一个可在横穿第一水平方向的第二水平方向上纵向延伸，并且上沟道区域和下沟道区域中的所述至少一个可在厚度方向上与电源线叠置。

公开(公告)号：CN108074921A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710637227.0

申请日：2017-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 米克罗·坎托罗 ,  李允逸 ,  李炯锡 ,  许然喆 ,  金竝基 ,  吕昌旼 ,  尹承燦 ,  李东勋

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的掺杂有第一杂质的第一半导体图案；所述第一半导体图案上的第一沟道图案；分别接触所述第一沟道图案的上部边缘表面的掺杂有第二杂质的第二半导体图案；以及至少包括所述第一沟道图案的侧壁的一部分的第一栅极结构。