公开(公告)号：CN108122987B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201711206000.7

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许然喆 ,  夏尔马·迪帕克 ,  千宽永

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，包括具有上表面及下表面的衬底以及从所述衬底的上表面延伸的第一有源图案至第三有源图案。所述第一有源图案至所述第三有源图案在第一方向上彼此相邻地排列。所述第二有源图案设置在所述第一有源图案与所述第三有源图案之间。所述半导体装置也包括环绕所述第一有源图案的侧表面及所述第二有源图案的侧表面的第一栅极电极、以及环绕所述第三有源图案的侧表面的第二栅极电极。所述第一有源图案至所述第三有源图案中的每一个包括第一杂质区、沟道区、及第二杂质区。

公开(公告)号：CN110349916B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201910639578.4

申请日：2017-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许然喆

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了半导体器件及制造其的方法。一种半导体器件包括：衬底；n型晶体管，其包括置于衬底上的第一结区域、置于第一结区域上的第一沟道区域、置于第一沟道区域上的第二结区域、以及至少部分地围绕第一沟道区域的第一栅极堆叠；以及p型晶体管，其包括置于衬底上的第三结区域、置于第三结区域上的第二沟道区域、置于第二沟道区域上的第四结区域、以及至少部分地围绕第二沟道区域的第二栅极堆叠，其中第一沟道区域和第二沟道区域是外延沟道层。

公开(公告)号：CN107221560B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201710170062.0

申请日：2017-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许然喆 ,  M.坎托罗

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体基板，其包括形成在半导体基板的上部分中的第一源极/漏极区；覆盖第一源极/漏极区的顶表面的金属硅化物层；以及穿透金属硅化物层并连接到半导体基板的半导体柱。半导体柱包括形成在半导体柱的上部分中的第二源极/漏极区，栅电极在金属硅化物层上，并且栅电极在平面图中围绕半导体柱。接触连接到金属硅化物层。

公开(公告)号：CN107293492B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201710232643.2

申请日：2017-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 米可·坎托罗 ,  马里亚·托莱达诺·卢克 ,  许然喆 ,  裴东一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成包括第一半导体材料和第二半导体材料的半导体层；将半导体层图案化以形成初步有源图案；对初步有源图案的两个侧壁进行氧化，以在所述两个侧壁上形成氧化物层并且在初步有源图案中形成上部图案；以及去除置于一对上部图案之间的半导体图案，以形成包括所述一对上部图案的有源图案。氧化物层包括第一半导体材料的氧化物，并且上部图案中的所述第二半导体材料的浓度高于半导体图案中的所述第二半导体材料的浓度。

公开(公告)号：CN108122987A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711206000.7

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许然喆 ,  夏尔马·迪帕克 ,  千宽永

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，包括具有上表面及下表面的衬底以及从所述衬底的上表面延伸的第一有源图案至第三有源图案。所述第一有源图案至所述第三有源图案在第一方向上彼此相邻地排列。所述第二有源图案设置在所述第一有源图案与所述第三有源图案之间。所述半导体装置也包括环绕所述第一有源图案的侧表面及所述第二有源图案的侧表面的第一栅极电极、以及环绕所述第三有源图案的侧表面的第二栅极电极。所述第一有源图案至所述第三有源图案中的每一个包括第一杂质区、沟道区、及第二杂质区。

公开(公告)号：CN108074921A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710637227.0

申请日：2017-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 米克罗·坎托罗 ,  李允逸 ,  李炯锡 ,  许然喆 ,  金竝基 ,  吕昌旼 ,  尹承燦 ,  李东勋

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的掺杂有第一杂质的第一半导体图案；所述第一半导体图案上的第一沟道图案；分别接触所述第一沟道图案的上部边缘表面的掺杂有第二杂质的第二半导体图案；以及至少包括所述第一沟道图案的侧壁的一部分的第一栅极结构。

公开(公告)号：CN107293492A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710232643.2

申请日：2017-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 米可·坎托罗 ,  马里亚·托莱达诺·卢克 ,  许然喆 ,  裴东一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/0684

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成包括第一半导体材料和第二半导体材料的半导体层；将半导体层图案化以形成初步有源图案；对初步有源图案的两个侧壁进行氧化，以在所述两个侧壁上形成氧化物层并且在初步有源图案中形成上部图案；以及去除置于一对上部图案之间的半导体图案，以形成包括所述一对上部图案的有源图案。氧化物层包括第一半导体材料的氧化物，并且上部图案中的所述第二半导体材料的浓度高于半导体图案中的所述第二半导体材料的浓度。

公开(公告)号：CN108074921B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201710637227.0

申请日：2017-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 米克罗·坎托罗 ,  李允逸 ,  李炯锡 ,  许然喆 ,  金竝基 ,  吕昌旼 ,  尹承燦 ,  李东勋

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的掺杂有第一杂质的第一半导体图案；所述第一半导体图案上的第一沟道图案；分别接触所述第一沟道图案的上部边缘表面的掺杂有第二杂质的第二半导体图案；以及至少包括所述第一沟道图案的侧壁的一部分的第一栅极结构。

公开(公告)号：CN108231688A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711191137.X

申请日：2017-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许然喆

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823487 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/092 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；n型晶体管，其包括置于衬底上的第一结区域、置于第一结区域上的第一沟道区域、置于第一沟道区域上的第二结区域、以及至少部分地围绕第一沟道区域的第一栅极堆叠；以及p型晶体管，其包括置于衬底上的第三结区域、置于第三结区域上的第二沟道区域、置于第二沟道区域上的第四结区域、以及至少部分地围绕第二沟道区域的第二栅极堆叠，其中第一沟道区域和第二沟道区域是外延沟道层。

公开(公告)号：CN107464846A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710406601.6

申请日：2017-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.坎托罗 ,  许然喆

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785

Abstract: 本公开涉及场效应晶体管和半导体结构。场效应晶体管包括半导体基板和在半导体基板上的鳍结构，该半导体基板包括具有第一晶格常数的第一半导体材料。鳍结构包括具有第二晶格常数的第二半导体材料，第二晶格常数与第一晶格常数不同。鳍结构还包括在第一方向上伸长的下部、从下部突出并在不同于第一方向的第二方向上伸长的多个上部以及与多个上部交叉的栅极结构。