公开(公告)号：CN113013161A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011451732.4

申请日：2020-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹承灿 ,  韩东焕

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一晶体管，在第一区域上，并包括从第一区域突出的第一半导体图案、覆盖第一半导体图案的上表面和侧壁的第一栅极结构、在第一栅极结构的相反侧且在第一半导体图案上的第一源极/漏极层，第一源极/漏极层的上表面比第一栅极结构的最上表面更靠近基板；以及第二晶体管，在第二区域上并包括从第二区域突出的第二半导体图案、覆盖第二半导体图案的侧壁的第二栅极结构、在第二半导体图案下面的第二源极/漏极层以及在第二半导体图案上的第三源极/漏极层，其中第一区域的上表面低于第二区域的上表面。

公开(公告)号：CN112951823B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202011274769.4

申请日：2020-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹承灿 ,  韩东焕

IPC: H10D84/80

Abstract: 一种半导体器件包括：第一结构，第一结构包括：第一半导体图案，从衬底突出，第一半导体图案是沟道；第一导电图案，围绕第一半导体图案，第一导电图案是栅电极；第一杂质区，位于第一半导体图案下方，第一杂质区接触第一半导体图案，第一杂质区为源极区或漏极区；以及第二杂质区，接触第一半导体图案，第二杂质区是源极区或漏极区中的另一个；以及第二结构，第二结构包括：彼此间隔开的第二半导体图案，第二半导体图案中的每一个从衬底突出；第二导电图案，分别围绕第二半导体图案；以及第一接触插塞，连接到第二导电图案，其中，第一结构是vfet，并且第二结构包括电阻器或电容器。

公开(公告)号：CN112951898A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011227830.X

申请日：2020-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩东焕 ,  尹承燦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括在第一方向上延伸的有源区；栅极结构，与有源区交叉并且在第二方向上延伸；源区/漏区，在有源区上位于栅极结构的至少一侧上；接触插塞，在源区/漏区上位于栅极结构的所述至少一侧上；以及接触绝缘层，位于接触插塞的侧壁上，其中，接触插塞的下端比源区/漏区的下端靠近基底。

公开(公告)号：CN112951823A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011274769.4

申请日：2020-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹承灿 ,  韩东焕

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8252

Abstract: 一种半导体器件包括：第一结构，第一结构包括：第一半导体图案，从衬底突出，第一半导体图案是沟道；第一导电图案，围绕第一半导体图案，第一导电图案是栅电极；第一杂质区，位于第一半导体图案下方，第一杂质区接触第一半导体图案，第一杂质区为源极区或漏极区；以及第二杂质区，接触第一半导体图案，第二杂质区是源极区或漏极区中的另一个；以及第二结构，第二结构包括：彼此间隔开的第二半导体图案，第二半导体图案中的每一个从衬底突出；第二导电图案，分别围绕第二半导体图案；以及第一接触插塞，连接到第二导电图案，其中，第一结构是vfet，并且第二结构包括电阻器或电容器。