公开(公告)号：CN112713135B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202011096148.1

申请日：2020-10-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金珍泰 ,  金夏永 ,  金信佑 ,  裵武奎 ,  李在夏

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L27/092 ,  H01L27/02

摘要： 公开一种半导体器件，该半导体器件包括在衬底上的逻辑单元，该衬底包括在第一方向上彼此间隔开的第一有源区域和第二有源区域，该逻辑单元包括：第一有源图案和第二有源图案，分别在第一有源区域和第二有源区域上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；多个栅电极，在第一方向上延伸并且每个横跨第一有源图案和第二有源图案；多条第一连接配线，在所述多个栅电极上的第一层间电介质层中并在第二方向上彼此平行地延伸；以及多条第二连接配线，在第一层间电介质层上的第二层间电介质层中并在第一方向上彼此平行地延伸。

公开(公告)号：CN117556774A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311391157.7

申请日：2017-07-31

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金珍泰 ,  都桢湖 ,  宋泰中 ,  赵斗熙 ,  李昇映

IPC分类号： G06F30/392 ,  G06F30/394

摘要： 一种包括经修改单元的集成电路及设计集成电路的方法，所述方法包括：接收用于定义所述集成电路的输入数据；从包括多个标准单元的标准单元库接收信息；从包括至少一个经修改单元的经修改单元库接收信息，所述至少一个经修改单元具有与所述多个标准单元中的对应标准单元相同的功能且具有比所述对应标准单元高的可布线性；以及通过响应于所述输入数据、来自所述标准单元库的所述信息以及来自所述经修改单元库的所述信息执行放置及布线，来产生输出数据。通过使用具有与标准单元相同的功能且具有比标准单元提高的可布线性的经修改单元，可减小集成电路的占用面积。

公开(公告)号：CN114628380A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111496762.1

申请日：2021-12-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李在夏 ,  金珍泰 ,  李根昊 ,  许东渊

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L23/528

摘要： 一种集成电路，包括：排列在第一行中的在第一方向上延伸并执行第一功能的第一单元，排列在第一行中并执行第二功能的第二单元，排列在第二行中的在第一方向上延伸并执行第一功能的第三单元，排列在第二行中并执行第二功能的第四单元，将第一单元中的第一通孔连接到第二单元中的第二通孔的第一连接线路，以及将第三单元中的第三通孔连接到第四单元中的第四通孔的第二连接线路，其中第一连接线路的长度不同于第二连接线路的长度。

公开(公告)号：CN105608243B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201510689951.9

申请日：2015-10-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金珍泰 ,  金昌汎

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5072 ,  G06F17/5081 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11807

摘要： 提供了一种集成电路和设计集成电路的布局的方法。所述方法包括：准备存储第一标准单元和第二标准单元的标准单元库，第一标准单元和第二标准单元中的每个包括沿第一方向延伸的多条导线，将第一标准单元和第二标准单元放置成沿平行于所述多条导线的第一边界彼此邻近，当同一电压被施加到在第一标准单元中邻近第一边界的第一图案和在第二标准单元中邻近第一边界的第二图案时，通过使用所述多条导线中的至少一条第一导线产生去耦电容器，所述至少一条第一导线邻近第一边界。

公开(公告)号：CN103765087A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201180073211.2

申请日：2011-07-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 韩周宪 ,  朴济明 ,  朴炫道 ,  池龙根 ,  李道铉 ,  李起彦 ,  金珍泰 ,  李喆浩 ,  有吉哲夫 ,  朴忠乾

IPC分类号： F21V5/04 ,  F21V3/04 ,  F21Y101/02

CPC分类号： F21V13/04 ,  F21K9/00 ,  F21K9/60 ,  F21V3/04 ,  F21V5/04 ,  F21V7/0091 ,  F21V29/70 ,  F21Y2103/10 ,  F21Y2113/00 ,  F21Y2115/10 ,  G02B5/0242 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0061 ,  G02B19/0066

摘要： 本发明提供了用于双侧照明的LED透镜，其具有在其内部散布的光扩散材料，所述LED透镜包括：光入射其中的入射部分；第一提取部分，其对应于所述入射部分并具有上部，通过所述上部提取一部分光；从所述第一提取部分延伸并用于反射一部分光的反射部分；以及第二提取部分，其与所述第一提取部分相对并具有下部，通过所述下部提取从所述反射部分反射的光。

公开(公告)号：CN100378229C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510098030.1

申请日：2005-09-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 南宫桷 ,  金珍泰 ,  李英善 ,  金玲雅

IPC分类号： C12Q1/68

CPC分类号： C12Q1/6851

摘要： 本发明提供了一种从实时核酸扩增数据中定量核酸初始浓度的方法。从生物体或病毒中提取的核酸(DNA或RNA)应用酶进行扩增。然后核酸的初始浓度通过计算当核酸的荧光强度减去核酸的背景荧光强度后为最大值的一半时的特征扩增循环数或特征扩增时间，或者扩增效率为最大或最小值时的特征扩增循环数或特征扩增时间，或者扩增前核酸的荧光强度减去核酸的背景荧光强度的方法获得。因此，核酸的初始浓度可不用微分或积分进行计算。

公开(公告)号：CN1815196A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200610005877.5

申请日：2006-01-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 玉景植 ,  金洙贤 ,  金珍泰 ,  吴光昱

IPC分类号： G01N21/64 ,  G01N21/01

CPC分类号： G01J3/10 ,  G01J3/02 ,  G01J3/0218 ,  G01J3/0256 ,  G01J3/4406 ,  G01J2003/1213 ,  G01N21/05 ,  G01N21/6452 ,  G01N21/6456 ,  G01N2021/0346 ,  G01N2021/3174 ,  G01N2021/6419 ,  G01N2021/6421 ,  G01N2021/6471 ,  G01N2021/6484 ,  G01N2201/0221 ,  G01N2201/0407 ,  G01N2201/0461 ,  G01N2201/0612 ,  G01N2201/0627 ,  G01N2201/0631 ,  G01N2201/0806 ,  G01N2201/0833

摘要： 提供一种多通道荧光测量光学系统及使用该光学系统的多通道荧光样本分析仪。将光照射在多个样本通道并就年样本发出的荧光的多通道荧光测量光学系统，包括：光源；用于使光源发出的光具有均匀强度分布的积分器；具有其上配置有样本的多个样本通道的样本架，其中利用从积分器发出的光来激励所述样本；以及置于所述积分器和样本架之间用于以预定比例分开入射光的分束器。由于利用光纤束和光电二极管能够检测荧光的光强，故可以大幅度缩减制造成本并微型化光学系统。

公开(公告)号：CN118738052A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410366109.0

申请日：2024-03-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金珍泰 ,  朴金锡 ,  徐康一

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

摘要： 本发明公开了集成电路器件及其形成方法，该集成电路器件可以包括电源开关单元，该电源开关单元包括在衬底上的上晶体管和位于衬底与上晶体管之间的下晶体管。上晶体管可以包括上沟道区、第一上源极/漏极区和第二上源极/漏极区、以及位于上沟道区上的上栅极电极。下晶体管可以包括下沟道区、第一下源极/漏极区和第二下源极/漏极区以及位于下沟道区上的下栅极电极。第一上源极/漏极区和第二下源极/漏极区可以具有相同的导电类型，第一上源极/漏极区和第一下源极/漏极区可以彼此电连接，第二上源极/漏极区和第二下源极/漏极区可以彼此电连接，并且上栅极电极和下栅极电极可以彼此电连接。

公开(公告)号：CN117936542A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311387336.3

申请日：2023-10-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴判济 ,  金珍泰 ,  朴孝恩 ,  徐康一

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L23/528

摘要： 提供了一种包括至少一个半导体器件单元的单元架构。该单元包括：在第一方向上延伸的第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案在与第一方向相交的第三方向上与第二有源图案至少部分重叠；多个栅极结构，其在第二方向上延伸跨过第一有源图案和第二有源图案，第二方向与第一方向和第三方向相交；单元的至少一个金属层中的多条金属线，金属线在第一方向上延伸，并且金属线中的至少一条连接到第一有源图案和第二有源图案中的至少一个以及栅极结构；以及至少一个电源轨，其将第一有源图案和第二有源图案中的至少一个连接到至少一个电压源。

公开(公告)号：CN104699884A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410737765.3

申请日：2014-12-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金珍泰

IPC分类号： G06F17/50 ,  H01L27/04

CPC分类号： G06F17/5072 ,  G06F17/5068

摘要： 本公开提供了布图设计系统以及使用该系统制造的半导体器件。一种布图设计系统包括：存储单元，存储第一标准单元设计和第二标准单元设计；偏移模块，布置第一标准单元设计和第二标准单元设计以根据芯片设计要求产生中间设计，其中用于第一标准单元设计的第一区域和用于第二标准单元设计的第二区域在中间设计中通过填充设计而分离，该填充设计没有有源区。