公开(公告)号：CN114421952B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202210071359.2

申请日：2022-01-21

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 李文昌 ,  吴鸿昊

IPC分类号： H03K19/0944

摘要： 本公开提供了一种高摆幅的增益自举反相器，包括：级联反相器包括：MOS器件M1、M2、M3及M4；第一折叠式共源共栅增益自举电路包括：MOS器件M5、M7、M9及M11；第二折叠式共源共栅增益自举电路，包括：MOS器件M6、M8、M10及M12；其中，第一折叠式共源共栅增益自举电路20与M3构成电流‑电压反馈环路，用于提高M3的输出阻抗；第二折叠式共源共栅增益自举电路30与M4构成电流‑电压反馈环路，用于提高M4的输出阻抗。本公开还提供了一种高摆幅的增益自举反相器在高精度低功耗sigma‑delta调制器、低电压低功耗运算放大器、可穿戴设备及RFID上的应用。

公开(公告)号：CN118611657A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410319122.0

申请日：2024-03-20

申请人： 江苏谷泰微电子有限公司

发明人： 胡伟波 ,  石方敏

IPC分类号： H03K19/0944 ,  H03K19/003

摘要： 本发明公开了一种互补共源共栅反相器电路，包括输入端Vin、控制端Vc、输出端Vout、所述输入端Vin分别与NMOS管、PMOS管的栅极电性连接，所述控制端Vc为多个门极输入栅的等效电压，所述NMOS管的衬底接地，所述PMOS的衬底接电源电压。本发明所设计的反相器用一个常规MOS管替代了互补型MOS管反相器中的一个神经MOS管，因此不但可降低功耗，而且可减少阈值损失，实验和分析进一步证明了所设计的电路结构简单、阈值可控、功耗低等特点，将此新型神经MOS管反相器应用于多值逻辑电路中，将会有力的推动多值逻辑电路的实用化进程。

公开(公告)号：CN118611653A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202411081828.4

申请日：2024-08-08

申请人： 合肥师范学院

发明人： 刘畅咏 ,  徐文睿 ,  金林 ,  卫宁 ,  汪海波 ,  孙伟 ,  吴秀龙 ,  赵强 ,  黎轩 ,  彭春雨

IPC分类号： H03K19/003 ,  H03K19/007 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/20

摘要： 本发明公开了一种具有抗单粒子瞬态效应能力的双输出节点的反相器链，属于集成电路技术领域，包括依次连接的多级反相器，各级反相器的结构相同；所述反相器包括两个PMOS管Px0、Px1以及四个NMOS管Nx0、Nx1、Nx2、Nx3，其中，x表示在所述反相器链中的第x级。本发明利用两个PMOS和四个NMOS构成每一级反相器基本单元，每一级反相器有两个输出节点，如果某一级反相器中的一个输出节点受到单个粒子轰击，其节点电压出现了瞬时脉冲，但是这一级反相器中的另一个输出节点能够维持正确的电压，因此，在本发明所提出的反相器链电路结构中，由粒子轰击所产生的瞬时脉冲将会被消除，而不会传播到最终输出。

公开(公告)号：CN112953509B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202110118242.0

申请日：2021-01-28

申请人： 苏州锴威特半导体股份有限公司

发明人： 张胜 ,  谭在超 ,  丁国华 ,  罗寅

IPC分类号： H03K19/0944

摘要： 本发明公开了一种高压驱动电路，电路包括电源偏置模块和驱动电路模块，所述电路大幅提高了驱动电压的电源输入电压，电压值可以与电路中的高压MOS管源漏击穿电压一样高，高压MOS管的栅源驱动电压为5V，保以保证驱动输管安全可靠地工作。同时，本发电路中增加了由高压PMOS管P3、高压NMOS管N4、电阻器R5和高压NMOS管N3、高压PMOS管P4、电阻器R4组成的死区时间控制电路，可以保证高压PMOS管P2和高压NMOS管N2不会同时导通，保护输出MOS管的安全。

公开(公告)号：CN113708755B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202110036891.6

申请日：2021-01-12

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 姜智孝

IPC分类号： H03K19/0944

摘要： 本申请涉及一种加重电路及包括其的发送器。发送器可以包括：加重电路，其适于响应于第一数据和被延迟的第二数据来产生第一下拉驱动信号，并且响应于第二数据和被延迟的第一数据来产生第一上拉驱动信号，其中第一数据和第二数据是差分对；相位偏移补偿电路，其适于补偿第一上拉驱动信号与第一下拉驱动信号之间的相位偏移，以产生第二上拉驱动信号和第二下拉驱动信号；上拉驱动器，其适于响应于第二上拉驱动信号来上拉驱动输出节点；以及下拉驱动器，其适于响应于第二下拉驱动信号来下拉驱动输出节点。

公开(公告)号：CN117220666A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310675710.3

申请日：2023-06-08

申请人： 三星电子株式会社 ,  汉阳大学校产学协力团

发明人： 赵泫润 ,  申殷昔 ,  崔荣暾 ,  韩在德 ,  金炫兑 ,  梁正休 ,  李尚勋

IPC分类号： H03K19/0944 ,  G09G3/20 ,  H03K19/017 ,  H03K19/003 ,  H03M9/00

摘要： 一种并串转换器，包括被配置为分别接收第一至第四数据输入信号的第一至第四输入节点，以及被配置为输出数据输出信号的输出节点。提供了第一至第四逻辑电路，其被配置为与第一至第四时钟信号同步地、一次一个地将第一至第四输入节点中的相应节点电耦接到输出节点。第一逻辑电路包括第一输入电路、第二输入电路和电耦接到第一输入电路和第二输入电路的输出电路。该输出电路包括具有耦接到输出节点的漏极端子的第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，连接在第一上拉晶体管的源极端和第一电源节点之间的第二上拉晶体管，以及连接在第一下拉晶体管的源极端和第二电源节点之间的第二下拉晶体管。

公开(公告)号：CN116669432A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202210144894.6

申请日：2022-02-17

申请人： 北京大学深圳研究生院

发明人： 王新炜 ,  王佳良 ,  张敏 ,  黄秋月

IPC分类号： H10K10/82 ,  H10K10/46 ,  H10K71/00 ,  C23C16/40 ,  H03K19/0944

摘要： 本申请涉及一种聚酰亚胺‑氧化物基复合介电膜，其包含在衬底上分子层沉积形成的聚酰亚胺层和原子层沉积形成的无机氧化物层。本申请还涉及该聚酰亚胺‑氧化物基复合介电膜的制备方法。该聚酰亚胺‑无机氧化物基复合介电膜具备本征柔性和优异绝缘栅介质层性能，可以广泛应用于柔性电子电路。使用该基于聚酰亚胺‑无机氧化物复合介电膜可以制备将该复合介电膜作为绝缘栅介质层的全碳纳米管晶体管和包括反相器、环形振荡器、逻辑门电路在内的多种柔性集成电路单元。以上柔性器件和电路展现出了良好的机械性能；反相器电路具备卓越的增益指标，且可以作为模拟放大器对毫伏级别的小信号进行放大；超低驱动电压、超低功耗的特性也可以被实现。

公开(公告)号：CN114567293B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202210455757.4

申请日：2022-04-28

申请人： 深圳比特微电子科技有限公司

发明人： 龚川 ,  田文博 ,  范志军 ,  杨作兴 ,  郭海丰

IPC分类号： H03K3/037 ,  H03K3/012 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/017

摘要： 本公开涉及锁存器以及包括锁存器的处理器和计算装置。提供了一种反相输出的锁存器，包括：输入级，用于接收锁存器输入；输出级，用于输出锁存器输出；中间节点，设置于所述输入级的输出和所述输出级的输入之间，其中，所述输出级接收所述中间节点处的信号作为输入；以及反馈级，接收所述锁存器输出，并提供反馈到所述中间节点，其中，所述反馈级具有逻辑高状态、逻辑低状态和高阻状态，其中，所述锁存器输出与所述锁存器输入反相。

公开(公告)号：CN111130529B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201911305046.3

申请日：2019-12-17

申请人： 杭州未名信科科技有限公司 ,  浙江省北大信息技术高等研究院

发明人： 叶乐 ,  王志轩 ,  黄芊芊 ,  王阳元 ,  黄如

IPC分类号： H03K19/00 ,  H03K19/094 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/08 ,  H03K19/20 ,  H03K19/21

摘要： 本申请公开了一种逻辑电路的设计方法、装置及存储介质，方法包括：设计并生成初始的MOSFET‑TFET混合逻辑电路；所述MOSFET‑TFET混合逻辑电路包括若干逻辑门；在所述初始的MOSFET‑TFET混合逻辑电路的串联支路中，用MOSFET替换第一类TFET；所述第一类TFET直接接地或电源且不与所述逻辑门的输出端直接连接。本申请的逻辑电路的设计方法，通过用MOSFET替换初始逻辑电路的串联支路中的第一类TFET，克服了TFET在串联支路中造成的电流衰减过大的缺陷，第一类TFET即直接接地或电源且不与逻辑门的输出端直接连接的TFET。

公开(公告)号：CN116131856A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310207940.7

申请日：2023-03-07

申请人： 付一洲

发明人： 付一洲

IPC分类号： H03M1/46 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/003

摘要： 逐次逼近型模数转换器由于它具有高度数字化易于集成的特性，是一种很常用的模数转换器。本发明提出了一种适用于SAR ADC的动态锁存电路，属于模拟集成电路技术领域。本发明所述动态锁存电路采用五管动态锁存电路代替传统的D触发器锁存电路，减少了逻辑电路延迟，降低了逻辑电路的功耗和面积开销；采用两个反相器首尾相连形成的电位保持电路，避免了漏电或串扰导致的错误；采用更可靠的窗使能信号传递逻辑，防止因为窗使能信号传递过快导致下一个动态逻辑单元锁存错误码字的问题发生，提高了逻辑的稳定性。