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公开(公告)号：CN116528638A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310351160.X
申请日：2023-03-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种有源层的制备方法、窄带近红外光电二极管及其制备方法，有源层制备方法包括步骤：将施主材料和受主材料加入到与水不互溶的第一溶剂中，形成第一混合液，第一溶剂的沸点小于等于180℃；将第一混合液施加到第一水面上进行液面分子自组装，将形成的第一薄膜转移到待制备有源层的基底上，进行第一次退火后，得到体异质结有源层。本发明利用液面分子自组装法制备高质量的有源层，将第一混合液施加到第一水面上，第一混合液由于表面张力在第一水面上向四周扩散，同时第一溶剂挥发，当扩散和挥发均完成时自组装结束，形成第一薄膜。本发明采用液面分子自组装法制备有源层结晶性好、质量高、且不会对待制备有源层的基底造成破坏。
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公开(公告)号：CN108441841B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810261933.4
申请日：2018-03-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种生长过渡金属二硫化物薄膜的方法，本发明采用金属脒基化合物作为金属前驱体，H2S等离子体作为硫源，通过ALD工艺合成黄铁矿FeS2，CoS2和NiS2薄膜。本发明所述FeS2，CoS2和NiS2的沉积过程在较宽的沉积温度范围内都遵循理想的逐层ALD的生长行为，能够得到成分非常纯净，表面平滑的黄铁矿结构的过渡金属二硫化物薄膜。进一步地，本发明ALD工艺沉积的FeS2，CoS2和NiS2薄膜可以保形地沉积在深宽比高达10：1的沟槽中，由此体现了这一ALD工艺在复杂高深宽比的3D架构上进行保形薄膜沉积的广泛和有前景的适用性。
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公开(公告)号：CN108441841A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810261933.4
申请日：2018-03-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C16/30 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/305 , C23C16/45553
Abstract: 本发明公开一种生长过渡金属二硫化物薄膜的方法，本发明采用金属脒基化合物作为金属前驱体，H2S等离子体作为硫源，通过ALD工艺合成黄铁矿FeS2，CoS2和NiS2薄膜。本发明所述FeS2，CoS2和NiS2的沉积过程在较宽的沉积温度范围内都遵循理想的逐层ALD的生长行为，能够得到成分非常纯净，表面平滑的黄铁矿结构的过渡金属二硫化物薄膜。进一步地，本发明ALD工艺沉积的FeS2，CoS2和NiS2薄膜可以保形地沉积在深宽比高达10：1的沟槽中，由此体现了这一ALD工艺在复杂高深宽比的3D架构上进行保形薄膜沉积的广泛和有前景的适用性。
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公开(公告)号：CN117279462A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311326159.8
申请日：2023-10-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请涉及柔性三维集成电路结构的制备方法、反相器及集成电路，该方法包括：形成第一衬底；在第一衬底上形成P型晶体管；在P型晶体管上沉积N型晶体管的第二栅极介电层；在第二栅极介电层上形成N型晶体管的第二沟道区域；通过第二湿法刻蚀方式蚀刻露出P型晶体管的第一源电极和第一漏电极；以及在第二沟道区域的两侧分别形成N型晶体管的第二源电极和第二漏电极，其中第二漏电极与下方的P型晶体管的第一漏电极相连接，形成反相器的输出端。本申请的方法制备的反相器及集成电路，实现了保持反相器及集成电路的高柔韧性，实现保证反相器及集成电路稳定性能，降低时延的技术效果。
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公开(公告)号：CN116669432A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210144894.6
申请日：2022-02-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H10K10/82 , H10K10/46 , H10K71/00 , C23C16/40 , H03K19/0944
Abstract: 本申请涉及一种聚酰亚胺‑氧化物基复合介电膜，其包含在衬底上分子层沉积形成的聚酰亚胺层和原子层沉积形成的无机氧化物层。本申请还涉及该聚酰亚胺‑氧化物基复合介电膜的制备方法。该聚酰亚胺‑无机氧化物基复合介电膜具备本征柔性和优异绝缘栅介质层性能，可以广泛应用于柔性电子电路。使用该基于聚酰亚胺‑无机氧化物复合介电膜可以制备将该复合介电膜作为绝缘栅介质层的全碳纳米管晶体管和包括反相器、环形振荡器、逻辑门电路在内的多种柔性集成电路单元。以上柔性器件和电路展现出了良好的机械性能；反相器电路具备卓越的增益指标，且可以作为模拟放大器对毫伏级别的小信号进行放大；超低驱动电压、超低功耗的特性也可以被实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116613216A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310492020.4
申请日：2023-05-04
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 一种有源层结构、制造方法以及半导体器件，有源层结构包括：至少一层非晶金属氧化物半导体层以及至少一层多晶金属氧化物半导体层；非晶金属氧化物半导体层与多晶金属氧化物半导体层交替堆叠设置；其中，多晶金属氧化物半导体层的层数大于或等于非晶金属氧化物半导体层的层数。本申请可以提高有源层的迁移率，有源层结构解决了非晶金属氧化物半导体材料迁移率不够高的问题，提升了非晶金属氧化物半导体材料迁移率的极限，提高非晶金属氧化物半导体器件的载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN109554684B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201811517932.8
申请日：2018-12-12
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C16/32 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种碳化钴薄膜及其制备方法，方法包括步骤：A、将预处理好的基底置于原子层沉积系统的沉积室中；B、将钴前驱体置于原子层沉积系统上游的容器中，加热使钴前驱体形成钴前驱体蒸汽；C、将所述钴前驱体蒸汽与H2等离子体交替通入沉积室，所述钴前驱体蒸汽与H2等离子体在25~250℃下反应在基底上沉积Co3Cx薄膜，所述Co3Cx薄膜由一个或多个循环的Co3Cx沉积累积得到；其中，x=0.4~1。本发明采用等离子体辅助ALD工艺制得的碳化钴薄膜是高纯的、连续的、光滑的，杂质含量低；制备方法简单，条件不苛刻，可在复杂或多孔3D上的保形薄膜涂层的一般适用性。
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公开(公告)号：CN107597148A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710895844.0
申请日：2017-09-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: B01J27/043 , B01J37/02 , B01J35/06 , C25B1/04 , C25B11/06
Abstract: 本发明公开一种电催化剂及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：在基底上用CVD的方法生长纳米结构形成新的基底；利用原子层沉积技术，在所述新的基底上沉积FeSy薄膜，所述FeSy薄膜由一个或多个循环的FeSy沉积累积得到；在所述FeSy薄膜上沉积CoSy薄膜，所述CoSy薄膜由一个或多个循环的CoSy沉积得到，再交替沉积FeSy薄膜和CoSy薄膜多次，制备得到FexCo1-xSy薄膜；其中，x=0-1，y=0-2。本发明制备的电催化剂具有成分可调、电催化活性高、性能稳定的特性；另外，本发明的制备方法的工艺简单，能够实现工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN105609637B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201610125626.4
申请日：2016-03-04
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开沉积氧化物薄膜的方法、有机场效应晶体管及其制备方法。沉积方法包括步骤：A、将待处理的有机半导体装入气相原子层沉积装置的真空反应腔体；B、对真空反应腔体进行抽真空，维持真空反应腔体跟外部空气环境的有效隔离，并维持真空反应腔体的内部温度为20~100℃；C、向真空反应腔体中通入第一种气相前驱体，使其吸附在材料表面；D、通入载气将真空反应腔体中多余的第一种气相前驱体清除；E、向真空反应腔体中通入第二种气相前驱体，使之与吸附在材料表面的第一种气相前驱体反应，形成氧化物薄膜；F、通入载气将真空反应腔体中多余的第二种气相前驱体清除；重复步骤C至F直到获得设定厚度或结构的氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN111477743B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202010307798.X
申请日：2020-04-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种有机场效应晶体管及其制备方法，其中包括步骤：提供栅极；沉积聚合物材料至所述栅极上，形成介电层；将沉积有介电层的栅极进行超临界流体处理；沉积有机半导体层材料在处理后的介电层上，形成有机半导体层；沉积电极层材料在有机半导体层上，形成电极层。本发明采用超临界流体处理后的介电层的介电性能得到了明显的提升。同时，采用处理过后介电层的OFET器件迟滞效应被基本消除，同时OFET亚阈值斜率也显著降低，且载流子迁移率有效提升。除此之外，处理后的OFET开关速度得到提升，通过串联发光二极管，可以提升发光二极管开关速率。
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