公开(公告)号：CN109554684B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201811517932.8

申请日：2018-12-12

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 王新炜 ,  刘忠伟 ,  陈强 ,  樊启鹏 ,  国政

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开一种碳化钴薄膜及其制备方法，方法包括步骤：A、将预处理好的基底置于原子层沉积系统的沉积室中；B、将钴前驱体置于原子层沉积系统上游的容器中，加热使钴前驱体形成钴前驱体蒸汽；C、将所述钴前驱体蒸汽与H2等离子体交替通入沉积室，所述钴前驱体蒸汽与H2等离子体在25~250℃下反应在基底上沉积Co3Cx薄膜，所述Co3Cx薄膜由一个或多个循环的Co3Cx沉积累积得到；其中，x=0.4~1。本发明采用等离子体辅助ALD工艺制得的碳化钴薄膜是高纯的、连续的、光滑的，杂质含量低；制备方法简单，条件不苛刻，可在复杂或多孔3D上的保形薄膜涂层的一般适用性。

公开(公告)号：CN109554684A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811517932.8

申请日：2018-12-12

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 王新炜 ,  刘忠伟 ,  陈强 ,  樊启鹏 ,  国政

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开一种碳化钴薄膜及其制备方法，方法包括步骤：A、将预处理好的基底置于原子层沉积系统的沉积室中；B、将钴前驱体置于原子层沉积系统上游的容器中，加热使钴前驱体形成钴前驱体蒸汽；C、将所述钴前驱体蒸汽与H2等离子体交替通入沉积室，所述钴前驱体蒸汽与H2等离子体在25~250℃下反应在基底上沉积Co3Cx薄膜，所述Co3Cx薄膜由一个或多个循环的Co3Cx沉积累积得到；其中，x=0.4~1。本发明采用等离子体辅助ALD工艺制得的碳化钴薄膜是高纯的、连续的、光滑的，杂质含量低；制备方法简单，条件不苛刻，可在复杂或多孔3D上的保形薄膜涂层的一般适用性。