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公开(公告)号：CN112501583A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011348704.X
申请日：2020-11-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属二硒化物薄膜的制备方法。所述制备方法包括：提供衬底；将所述衬底的预定区域暴露在过渡金属前驱体的氛围中，在所述衬底的预定区域形成过渡金属前驱体层；通过等离子体对硒醚类化合物进行解离，得到解离后的硒醚类化合物；将所述过渡金属前驱体层暴露在所述解离后的硒醚类化合物的氛围中，在所述衬底上形成过渡金属二硒化物薄膜。本发明所述制备方法可以获得高纯度、表面平整的过渡金属二硒化物薄膜。
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公开(公告)号：CN112501583B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202011348704.X
申请日：2020-11-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属二硒化物薄膜的制备方法。所述制备方法包括：提供衬底；将所述衬底的预定区域暴露在过渡金属前驱体的氛围中，在所述衬底的预定区域形成过渡金属前驱体层；通过等离子体对硒醚类化合物进行解离，得到解离后的硒醚类化合物；将所述过渡金属前驱体层暴露在所述解离后的硒醚类化合物的氛围中，在所述衬底上形成过渡金属二硒化物薄膜。本发明所述制备方法可以获得高纯度、表面平整的过渡金属二硒化物薄膜。
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公开(公告)号：CN108201893B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201611183072.X
申请日：2016-12-20
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: B01J27/043 , B01J35/02 , B01J37/00 , C01G49/12 , C07C241/02 , C07C243/22
Abstract: 本发明公开FeSx薄膜、肼撑苯基化合物及沉积方法和制备方法，沉积方法包括步骤：将铁前驱体和硫前驱体送入放有基底的沉积腔室中，沉积腔室温度设定为20~400℃，进行FeSx薄膜的沉积；沉积结束后，进行降温处理，待温度降至室温后，将包覆有FeSx薄膜的基底取出。本发明使用ALD工艺在基底上制备了纳米级的FeSx薄膜（催化剂），并使用制备的FeSx催化剂催化芳基偶氮化合物选择性还原成肼撑苯基化合物。使用ALD制备的FeSx催化剂，各种类型的芳基偶氮化合物都能被选择性还原，且可在温和反应条件下实现高活性和选择性催化反应，所以采用ALD工艺制备的FeSx在有机合成方面具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109554684A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811517932.8
申请日：2018-12-12
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C16/32 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种碳化钴薄膜及其制备方法，方法包括步骤：A、将预处理好的基底置于原子层沉积系统的沉积室中；B、将钴前驱体置于原子层沉积系统上游的容器中，加热使钴前驱体形成钴前驱体蒸汽；C、将所述钴前驱体蒸汽与H2等离子体交替通入沉积室，所述钴前驱体蒸汽与H2等离子体在25~250℃下反应在基底上沉积Co3Cx薄膜，所述Co3Cx薄膜由一个或多个循环的Co3Cx沉积累积得到；其中，x=0.4~1。本发明采用等离子体辅助ALD工艺制得的碳化钴薄膜是高纯的、连续的、光滑的，杂质含量低；制备方法简单，条件不苛刻，可在复杂或多孔3D上的保形薄膜涂层的一般适用性。
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公开(公告)号：CN108201893A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201611183072.X
申请日：2016-12-20
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: B01J27/043 , B01J35/02 , B01J37/00 , C01G49/12 , C07C241/02 , C07C243/22
Abstract: 本发明公开FeSx薄膜、肼撑苯基化合物及沉积方法和制备方法，沉积方法包括步骤：将铁前驱体和硫前驱体送入放有基底的沉积腔室中，沉积腔室温度设定为20~400℃，进行FeSx薄膜的沉积；沉积结束后，进行降温处理，待温度降至室温后，将包覆有FeSx薄膜的基底取出。本发明使用ALD工艺在基底上制备了纳米级的FeSx薄膜（催化剂），并使用制备的FeSx催化剂催化芳基偶氮化合物选择性还原成肼撑苯基化合物。使用ALD制备的FeSx催化剂，各种类型的芳基偶氮化合物都能被选择性还原，且可在温和反应条件下实现高活性和选择性催化反应，所以采用ALD工艺制备的FeSx在有机合成方面具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109554684B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201811517932.8
申请日：2018-12-12
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C16/32 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种碳化钴薄膜及其制备方法，方法包括步骤：A、将预处理好的基底置于原子层沉积系统的沉积室中；B、将钴前驱体置于原子层沉积系统上游的容器中，加热使钴前驱体形成钴前驱体蒸汽；C、将所述钴前驱体蒸汽与H2等离子体交替通入沉积室，所述钴前驱体蒸汽与H2等离子体在25~250℃下反应在基底上沉积Co3Cx薄膜，所述Co3Cx薄膜由一个或多个循环的Co3Cx沉积累积得到；其中，x=0.4~1。本发明采用等离子体辅助ALD工艺制得的碳化钴薄膜是高纯的、连续的、光滑的，杂质含量低；制备方法简单，条件不苛刻，可在复杂或多孔3D上的保形薄膜涂层的一般适用性。
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公开(公告)号：CN108441841B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810261933.4
申请日：2018-03-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种生长过渡金属二硫化物薄膜的方法，本发明采用金属脒基化合物作为金属前驱体，H2S等离子体作为硫源，通过ALD工艺合成黄铁矿FeS2，CoS2和NiS2薄膜。本发明所述FeS2，CoS2和NiS2的沉积过程在较宽的沉积温度范围内都遵循理想的逐层ALD的生长行为，能够得到成分非常纯净，表面平滑的黄铁矿结构的过渡金属二硫化物薄膜。进一步地，本发明ALD工艺沉积的FeS2，CoS2和NiS2薄膜可以保形地沉积在深宽比高达10：1的沟槽中，由此体现了这一ALD工艺在复杂高深宽比的3D架构上进行保形薄膜沉积的广泛和有前景的适用性。
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公开(公告)号：CN108441841A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810261933.4
申请日：2018-03-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C16/30 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/305 , C23C16/45553
Abstract: 本发明公开一种生长过渡金属二硫化物薄膜的方法，本发明采用金属脒基化合物作为金属前驱体，H2S等离子体作为硫源，通过ALD工艺合成黄铁矿FeS2，CoS2和NiS2薄膜。本发明所述FeS2，CoS2和NiS2的沉积过程在较宽的沉积温度范围内都遵循理想的逐层ALD的生长行为，能够得到成分非常纯净，表面平滑的黄铁矿结构的过渡金属二硫化物薄膜。进一步地，本发明ALD工艺沉积的FeS2，CoS2和NiS2薄膜可以保形地沉积在深宽比高达10：1的沟槽中，由此体现了这一ALD工艺在复杂高深宽比的3D架构上进行保形薄膜沉积的广泛和有前景的适用性。
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