公开(公告)号：CN116613216A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310492020.4

申请日：2023-05-04

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 陆磊 ,  李潇 ,  张盛东 ,  王新炜

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 一种有源层结构、制造方法以及半导体器件，有源层结构包括：至少一层非晶金属氧化物半导体层以及至少一层多晶金属氧化物半导体层；非晶金属氧化物半导体层与多晶金属氧化物半导体层交替堆叠设置；其中，多晶金属氧化物半导体层的层数大于或等于非晶金属氧化物半导体层的层数。本申请可以提高有源层的迁移率，有源层结构解决了非晶金属氧化物半导体材料迁移率不够高的问题，提升了非晶金属氧化物半导体材料迁移率的极限，提高非晶金属氧化物半导体器件的载流子迁移率。

公开(公告)号：CN116504642A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310494867.6

申请日：2023-05-04

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 陆磊 ,  孙杰 ,  韩子娟 ,  李继麟 ,  张盛东 ,  王新炜 ,  李潇 ,  庄昌辉

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/428 ,  H01L21/477 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

Abstract: 一种有源层制造方法以及半导体器件，有源层制造方法，包括：在衬底或在栅介质层上形成有源层，有源层为异质结，异质结包括第一半导体层以及第二半导体层；进行激光退火处理，第一半导体层在激光退火处理之前为非晶结构，在激光退火处理之后转变为多晶结构；第二半导体层始终为非晶结构，第一半导体层为金属氧化物半导体材料。本申请可以提高半导体器件的载流子迁移率。