公开(公告)号：CN116598344A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310481087.8

申请日：2023-04-26

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 陆磊 ,  陈文龙 ,  韩子娟 ,  王焱鑫 ,  巫礼杰 ,  张盛东 ,  廖聪维

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/40

Abstract: 一种薄膜晶体管有源层材料包括：半导体主体以及掺杂源，半导体主体的材料为非晶金属氧化物材料，掺杂源用于对非晶金属氧化物材料掺杂，掺杂源的掺杂元素包括氢元素以及氟元素，有源层材料的含氧量大于含氢量与含氟量之和，含氢量大于含氟量。本申请通过对非晶金属氧化物材料制成的有源层进行氟元素与氢元素的掺杂，钝化有源层中的缺陷，提高迁移率，提高电学稳定性，提高器件的性能。

公开(公告)号：CN117684124A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202410065326.6

申请日：2024-01-17

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 陆磊 ,  孙杰 ,  王云萍 ,  韩子娟 ,  张猛 ,  孙晨晅 ,  王锐

IPC: C23C14/04 ,  C23C16/04 ,  H10K71/16

Abstract: 本申请提供了一种薄膜掩膜版夹具以及薄膜掩膜版固定在夹具的固定方法，薄膜掩膜版夹具包括外框、承托部以及定位部。外框上设置有贯通的安装口；安装口设有第一卡接部，第一卡接部用于与薄膜掩膜版的第二卡接部卡接；承托部安装于安装口的底部，承托部用于放置和粘接薄膜掩膜版；定位部用于向薄膜掩膜版施加平行于安装口的轴心线的作用力，以将薄膜掩膜版定位在承托部上。该薄膜掩膜版夹具与薄膜掩膜版的固定方式为机械卡接固定加粘接固定，并且，在机械和粘接固定后，再使用定位部将薄膜掩膜版定位于承托部上，通过在平行于安装口的轴心线的方向对薄膜掩膜版施加作用力，能够提高薄膜掩膜版的平整度。

公开(公告)号：CN119472181A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411294580.X

申请日：2024-09-14

Applicant: 北京大学深圳研究生院 ,  深圳市大族半导体装备科技有限公司

Inventor： 韩子娟 ,  陆磊 ,  尹建刚 ,  王云萍 ,  王帆帆 ,  张盛东

IPC: G03F7/20 ,  G06F16/16 ,  G06F16/51 ,  G06N3/0499 ,  G06N3/084

Abstract: 本发明实施例公开了一种空间阵列化UV LED光源及AI时域化控制光刻方法，涉及光刻技术领域。所述方法包括：获取掩膜板文件，对所述掩膜板文件进行分解，得到多个基本图案；基于预设的基本图案算法数据库，分别获取所述掩膜板文件的多个所述基本图案对应的多个UV LED灯珠控制算法，组成初始空间阵列化UV LED光源控制算法；基于预设的神经网络，通过机械学习的方式对所述初始空间阵列化UV LED光源控制算法进行优化，得到人工智能光源‑掩膜联合优化算法；基于所述人工智能光源‑掩膜联合优化算法控制所述空间阵列化UV LED光源透过所述掩膜板向晶圆曝光。本发明相比于传统光刻方法，具有计算量小，且产品良率高的技术效果。

公开(公告)号：CN119247702A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411293941.9

申请日：2024-09-14

Applicant: 北京大学深圳研究生院 ,  深圳市大族半导体装备科技有限公司

Inventor： 陆磊 ,  韩子娟 ,  尹建刚 ,  王云萍 ,  王帆帆 ,  张盛东

IPC: G03F7/20 ,  G02B27/09 ,  G02B26/08 ,  G02F1/29

Abstract: 本申请公开了一种光刻机及光源阵列化调节方法，其中，该方法用于获取待光刻的目标光刻图案，根据目标光刻图案确定平行光分布形状控制算法，控制UV平行光源产生UV平行光，根据平行光分布形状控制算法控制阵列化空间光调制器对射入的UV平行光的分布形状进行整形形成目标初步整形光束，根据掩膜板对射入的目标初步整形光束进行整形，形成目标二次整形光束，控制聚焦镜对射入的目标二次整形光束进行聚焦，形成目标光刻图案对应的目标曝光光束。本申请能够使光刻机精确输出目的光的分布形状。

公开(公告)号：CN117684124B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410065326.6

申请日：2024-01-17

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 陆磊 ,  孙杰 ,  王云萍 ,  韩子娟 ,  张猛 ,  孙晨晅 ,  王锐

IPC: C23C14/04 ,  C23C16/04 ,  H10K71/16

Abstract: 本申请提供了一种薄膜掩膜版夹具以及薄膜掩膜版固定在夹具的固定方法，薄膜掩膜版夹具包括外框、承托部以及定位部。外框上设置有贯通的安装口；安装口设有第一卡接部，第一卡接部用于与薄膜掩膜版的第二卡接部卡接；承托部安装于安装口的底部，承托部用于放置和粘接薄膜掩膜版；定位部用于向薄膜掩膜版施加平行于安装口的轴心线的作用力，以将薄膜掩膜版定位在承托部上。该薄膜掩膜版夹具与薄膜掩膜版的固定方式为机械卡接固定加粘接固定，并且，在机械和粘接固定后，再使用定位部将薄膜掩膜版定位于承托部上，通过在平行于安装口的轴心线的方向对薄膜掩膜版施加作用力，能够提高薄膜掩膜版的平整度。

公开(公告)号：CN116504642A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310494867.6

申请日：2023-05-04

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 陆磊 ,  孙杰 ,  韩子娟 ,  李继麟 ,  张盛东 ,  王新炜 ,  李潇 ,  庄昌辉

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/428 ,  H01L21/477 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

Abstract: 一种有源层制造方法以及半导体器件，有源层制造方法，包括：在衬底或在栅介质层上形成有源层，有源层为异质结，异质结包括第一半导体层以及第二半导体层；进行激光退火处理，第一半导体层在激光退火处理之前为非晶结构，在激光退火处理之后转变为多晶结构；第二半导体层始终为非晶结构，第一半导体层为金属氧化物半导体材料。本申请可以提高半导体器件的载流子迁移率。