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公开(公告)号：CN116528638A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310351160.X
申请日：2023-03-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种有源层的制备方法、窄带近红外光电二极管及其制备方法，有源层制备方法包括步骤：将施主材料和受主材料加入到与水不互溶的第一溶剂中，形成第一混合液，第一溶剂的沸点小于等于180℃；将第一混合液施加到第一水面上进行液面分子自组装，将形成的第一薄膜转移到待制备有源层的基底上，进行第一次退火后，得到体异质结有源层。本发明利用液面分子自组装法制备高质量的有源层，将第一混合液施加到第一水面上，第一混合液由于表面张力在第一水面上向四周扩散，同时第一溶剂挥发，当扩散和挥发均完成时自组装结束，形成第一薄膜。本发明采用液面分子自组装法制备有源层结晶性好、质量高、且不会对待制备有源层的基底造成破坏。
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公开(公告)号：CN119053158A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202310620509.5
申请日：2023-05-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种有机紫外光电探测器及其制备方法与相关设备，有机紫外光电探测器包括阳极、阴极和设置于阳极与阴极之间的体异质结光敏层，阳极与体异质结光敏层之间的势垒、阴极与体异质结光敏层之间的势垒均大于等于2eV；体异质结光敏层包括至少一种p型有机半导体和至少一种n型有机半导体，p型有机半导体和所述n型有机半导体的禁带宽度均大于等于3.2eV；p型有机半导体的最高占据分子能级与n型有机半导体的最低未占据分子能级的差值大于等于1.3eV。本发明提供的有机紫外光电探测器暗态下可有效地阻挡异电荷注入，保证了高光电流的同时有效地抑制了暗电流，使暗电流低于1nA/cm2。
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公开(公告)号：CN118870847A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310487223.4
申请日：2023-04-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H10K50/115 , H10K50/18 , H10K71/16
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直结构的发光晶体管，具体涉及一种基于垂直结构的具有存储功能的发光晶体管器件，包括衬底、栅极、铁电绝缘层、源极、空穴传输层、发光层、电子传输层、漏极。与传统的发光晶体管相比，本发明提供的一种具有存储功能的发光晶体管器件可以简化显示技术中的像素电路结构，具有更高的集成度和更简单的工艺制程，有望降低显示面板的制造成本；同时，本发明提供的发光晶体管采用垂直结构构型，与平面结构型的发光晶体管相比，提高了像素开口率，具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN118714862A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202310347969.5
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种有效抑制有机光电探测器暗电流的方法，属于光电探测器技术领域。所述有机光电探测器采用倒置结构，从下至上依次为透明阴极、电子传输层、光敏层、空穴传输层、空穴注入层、阳极，其中空穴传输层为掺杂结构。所述的掺杂空穴传输层可以提高电子在反向偏压下的注入势垒，从而有效抑制暗电流。同时可以进一步提高其光生载流子的传输和收集效率，制备出高效探测性能的有机光电探测器件。
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公开(公告)号：CN117835721A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211173947.3
申请日：2022-09-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明属于有机电致发光技术领域，具体涉及一种具有存储功能的有机发光晶体管器件，包括衬底、栅极、铁电栅介质层、沟道层、源电极、发光功能层、漏电极。所述发光功能层包括空穴传输层、发光层和电子传输层；所述源电极包括电子注入层和电极Ⅰ；所述漏电极包括空穴注入层和电极Ⅱ。本发明利用铁电材料的剩余极化特性，提出了一种具有存储功能的有机发光晶体管，实现了集开关、发光和存储功能于一体的有机发光晶体管器件，克服传统的依靠“微缩”器件尺寸来提升芯片集成度的技术瓶颈。本发明在有机发光显示技术领域具有更高的集成度和更简单的工艺制程等优势，有望降低显示面板的制造成本。
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