-
公开(公告)号：CN109950206A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201811338798.5
申请日：2018-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L21/265
Abstract: 提供了一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包括：对基底执行第一离子注入工艺以在基底中形成下掺杂区域；对具有下掺杂区域的基底进行图案化以形成有源图案；对有源图案执行第二离子注入工艺以在有源图案中的每个的上部中形成上掺杂区域。下掺杂区域和上掺杂区域具有相同的导电类型。
Search Results
1
records
(took 0.021 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
