公开(公告)号：CN117995809A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311380183.X

申请日：2023-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金菊喜 ,  李敬雨 ,  罗相喆 ,  郭珉灿 ,  金荣佑 ,  金昊俊 ,  李东翼

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明构思的实施例提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍式有源图案和第二鳍式有源图案，设置在基底的上表面上，并且具有不同宽度；第一栅极结构和第二栅极结构，分别与第一鳍式有源图案和第二鳍式有源图案交叉；第一源/漏区域和第二源/漏区域，分别设置在第一鳍式有源图案和第二鳍式有源图案上；第一接触结构和第二接触结构，分别连接到第一源/漏区域和第二源/漏区域；栅极隔离结构，与具有相对大的宽度的第一鳍式有源图案相邻；掩埋导电结构，接触栅极隔离结构的一个端表面，并且连接到第二接触结构；导电贯通结构，从基底的下表面延伸，并且连接到掩埋导电结构；以及第一布线层，电连接到第一接触结构和掩埋导电结构。

公开(公告)号：CN115706113A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210935223.1

申请日：2022-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  申宪宗 ,  郭珉灿 ,  金善培 ,  朴珍煐 ,  朴贤镐

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/528 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，包括：有源区，在衬底上沿第一方向延伸；栅电极，在衬底上与有源区相交，沿第二方向延伸，并包括向上突出的接触区；以及互连线，在栅电极上并与接触区连接，其中，接触区包括：下部区，在第二方向上具有第一宽度；以及上部区，位于下部区上并且在第二方向上具有比第一宽度小的第二宽度，其中接触区在第二方向上的至少一个侧表面具有在下部区和上部区之间的点，在该点处倾斜度或曲率改变。