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公开(公告)号：CN116417508A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211663612.X
申请日：2022-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L29/73 , H01L29/78 , H01L21/331 , H01L21/335 , H01L21/336 , H01L29/41
Abstract: 提供一种半导体装置。该半导体装置包括：下线结构；上层间绝缘膜，其设置在下线结构上并且具有形成在其中的沟槽，其中，沟槽包括布线沟槽和从布线沟槽延伸到下线结构的穿通件沟槽；以及上线结构，其设置在沟槽中，其中，上线结构包括上势垒膜和上填充膜。上填充膜包括与上层间绝缘膜接触的第一子填充膜和设置在第一子填充膜上的第二子填充膜。第一子填充膜填充整个上穿通件沟槽并且覆盖上布线沟槽的底表面的至少一部分。
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公开(公告)号：CN113745184A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110591093.X
申请日：2021-05-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，具有其上设置有有源区的第一表面和与第一表面相反的第二表面；掩埋导线，在一个方向上延伸并具有被掩埋在有源区中的部分；覆盖掩埋导线的绝缘部分；设置在绝缘部分上并连接到掩埋导线的接触结构；从第二表面延伸到绝缘部分并暴露掩埋导线的掩埋部分的贯穿孔；设置在掩埋导线的侧表面上并暴露掩埋部分的底表面和与底表面相邻的侧表面的绝缘隔离膜；接触掩埋导线的底表面和相邻的侧表面的贯穿通路；围绕贯穿通路的绝缘衬层。
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公开(公告)号：CN116207071A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211483155.6
申请日：2022-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 本公开提供了包括通路结构的半导体器件。一种半导体器件包括基板。布线层在基板之上。第一通路结构直接接触布线层的下部。第二通路结构直接接触布线层的上部。第一通路结构在布线层中产生第一应力。第二通路结构在布线层中产生第二应力。第二应力是与第一应力相反的类型。第一应力和第二应力在布线层中彼此补偿。
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公开(公告)号：CN114256221A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111096279.4
申请日：2021-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体封装包括：包括第一半导体芯片在内的第一结构以及在所述第一结构上的第二结构。所述第二结构包括第二半导体芯片、在所述第二半导体芯片的侧面上并且与所述第二半导体芯片水平地间隔开的半导体图案、所述第二半导体芯片与所述半导体图案之间的绝缘间隙填充图案以及贯通电极结构。所述贯通电极结构中的至少一个贯通电极结构贯穿所述第二半导体芯片的至少一部分或贯穿所述半导体图案。
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公开(公告)号：CN112447554A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010799661.0
申请日：2020-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了削角蚀刻装置以及半导体器件制造方法。一种削角蚀刻装置包括：配置为接收衬底的卡盘板；围绕卡盘板的周边的下等离子体隔离区(PEZ)环；在卡盘板上的盖板；以及围绕盖板的周边的上PEZ环。下PEZ环包括环基部和从环基部的边缘向上延伸并围绕衬底的侧壁的下部的突起。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113745184B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202110591093.X
申请日：2021-05-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，具有其上设置有有源区的第一表面和与第一表面相反的第二表面；掩埋导线，在一个方向上延伸并具有被掩埋在有源区中的部分；覆盖掩埋导线的绝缘部分；设置在绝缘部分上并连接到掩埋导线的接触结构；从第二表面延伸到绝缘部分并暴露掩埋导线的掩埋部分的贯穿孔；设置在掩埋导线的侧表面上并暴露掩埋部分的底表面和与底表面相邻的侧表面的绝缘隔离膜；接触掩埋导线的底表面和相邻的侧表面的贯穿通路；围绕贯穿通路的绝缘衬层。
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公开(公告)号：CN112289774A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010670130.1
申请日：2020-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/48 , H01L27/02
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且具有位于第一表面上并由第一隔离区限定的有源区；多个有源鳍，布置在有源区上，沿第一方向延伸，并且由第二隔离区限定，第二隔离区具有小于第一隔离区的第一深度的第二深度；掩埋导电布线，位于与所述多个有源鳍相邻的沟槽中，并且沿所述沟槽的延伸方向延伸；填充绝缘部分，位于沟槽中，并且设置在掩埋导电布线周围；层间绝缘层，位于第一隔离区和第二隔离区上，并且位于掩埋导电布线上；接触结构，穿透层间绝缘层，并且接触掩埋导电布线；以及导电贯通结构，从第二表面穿过衬底延伸到沟槽，并且接触掩埋导电布线。
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公开(公告)号：CN112242366A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010655330.X
申请日：2020-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件和半导体封装件。所述半导体体器件包括：具有至少一个半导体结构的半导体衬底；层间绝缘层，其设置在半导体衬底上；至少一个第一过孔结构，其穿透半导体衬底和层间绝缘层，并包括第一区域和第二区域，所述第一区域在层间绝缘层的上表面具有第一宽度，所述第二区域从第一区域延伸，并且在半导体衬底的下表面具有第二宽度，其中，第一区域的侧表面和第二区域的侧表面在第一区域与第二区域之间的边界具有不同的轮廓；以及至少一个第二过孔结构，其穿透半导体衬底和层间绝缘层，并且在层间绝缘层的上表面具有大于第一宽度的第三宽度。
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公开(公告)号：CN106952892A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201610934242.7
申请日：2016-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5283 , H01L21/76847 , H01L21/76877 , H01L23/53209 , H01L23/53238 , H01L23/53261 , H01L23/53266 , H01L23/53228
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括层间绝缘膜、具有第一宽度的第一沟槽和具有第二宽度的第二沟槽，第二沟槽包括上部和下部，第二宽度大于第一宽度，第一导线基本上填充第一沟槽并包括第一金属，并且第二导线基本上填充第二沟槽并包括下导线和上导线，下导线基本上填充第二沟槽的下部并包括第一金属，并且上导线基本上填充第二沟槽的上部并包括与第一金属不同的第二金属。
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公开(公告)号：CN111490023B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN201910948277.X
申请日：2019-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L25/18 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有第一结合层；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上，并且具有第二结合层。所述第一结合层包括第一结合焊盘、多个第一内部通路以及连接所述第一结合焊盘和所述多个第一内部通路的第一互连。所述第二结合层包括结合到所述第一结合焊盘的第二结合焊盘。所述第一互连的上表面和所述第一结合焊盘的上表面与所述第一结合层的上表面共面。所述第一互连通过所述多个第一内部通路电连接到多条不同的第一内部线。
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