公开(公告)号：CN118870812A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410396756.6

申请日：2024-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔圭勋 ,  河承锡 ,  南瑞祐

IPC: H10B12/00

Abstract: 根据一些示例实施例的半导体器件可以包括：衬底，具有第一区域和第二区域；下层间绝缘层，在衬底的第一区域和第二区域上；上层间绝缘层，在下层间绝缘层上；过孔结构，在第一区域中穿透上层间绝缘层；多条金属布线，在过孔结构上沿第一方向延伸，并且电连接到过孔结构；沟槽，在第二区域中在与过孔结构的高度相同的高度上，并且在上层间绝缘层中；以及虚设布线层，沿沟槽、上层间绝缘层、以及下层间绝缘层的上表面具有弯曲结构。

公开(公告)号：CN118431154A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202311150548.X

申请日：2023-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相奉 ,  南瑞祐 ,  徐圣浩 ,  姜锡明 ,  崔圭勋 ,  河承锡

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：设置在衬底上的第一层间绝缘层；第一导电线，其设置在第一层间绝缘层中，并具有突出到第一层间绝缘层的上侧上方的突起；蚀刻停止层，其设置在第一层间绝缘层和第一导电线上；以及穿过蚀刻停止层并与第一导电线接触的过孔件，其中蚀刻停止层包括在截面图中具有弯曲形状的第一蚀刻停止层和设置在第一蚀刻停止层上并具有厚度变化的第二蚀刻停止层。

公开(公告)号：CN118016595A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311423533.6

申请日：2023-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔圭勋 ,  河承锡 ,  姜锡明 ,  南瑞祐

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成导电图案，导电图案上分别形成有停止层，衬底包括具有第一图案密度的第一区域和具有第二图案密度的第二区域，并且第二图案密度低于第一图案密度；在导电图案上形成第一层间绝缘层；暴露第一区域上的第一层间绝缘层的至少一部分，并且在第二区域上形成光刻胶图案；蚀刻第一区域上的第一层间绝缘层的至少一部分；执行第一抛光，以暴露停止层中在第一区域上的停止层的上表面；蚀刻停止层中在第一区域上的停止层；在导电图案上形成第二层间绝缘层；以及执行第二抛光，以暴露导电图案中在第一区域上的导电图案的上表面。