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公开(公告)号：CN116417517A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211649779.0
申请日：2022-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供能够提高器件的性能和可靠性的半导体器件。该半导体器件包括：有源图案，包括在第一方向上延伸的下图案以及在垂直于第一方向的第二方向上与下图案间隔开的多个片图案，其中下图案包括半导体材料；多个栅极结构，在下图案上并在第一方向上彼此间隔开，其中所述多个栅极结构中的每个包括栅电极和栅极绝缘膜；源极/漏极凹陷，在栅极结构中的相邻的栅极结构之间，其中源极/漏极凹陷的底部在下图案中；底绝缘衬垫，在源极/漏极凹陷的底部中；以及源极/漏极图案，在源极/漏极凹陷中并且在底绝缘衬垫之上。
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