公开(公告)号：CN100468569C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN03131028.1

申请日：2003-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炯东 ,  吴致成

IPC: G11C11/407 ,  G11C11/413 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H02M3/073 ,  H02M2001/0032 ,  H02M2003/077 ,  Y02B70/16

Abstract: 用于集成电路的升压电压发生器及方法，响应检测到初始升压电压的下降，将初始升压电压升高到第一升压电压。然后，响应一个脉冲，将第一升压电压升高到第二升压电压。然后，响应振荡信号，将第二升压电压反复升压，以接近初始升压电压。因此，可以产生稳定的升压电压。

公开(公告)号：CN1467748A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03131028.1

申请日：2003-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炯东 ,  吴致成

IPC: G11C11/407 ,  G11C11/413 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H02M3/073 ,  H02M2001/0032 ,  H02M2003/077 ,  Y02B70/16

Abstract: 用于集成电路的升压电压发生器及方法，响应检测到初始升压电压的下降，将初始升压电压升高到第一升压电压。然后，响应一个脉冲，将第一升压电压升高到第二升压电压。然后，响应振荡信号，将第二升压电压反复升压，以接近初始升压电压。因此，可以产生稳定的升压电压。

公开(公告)号：CN106683987A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610962976.6

申请日：2016-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基一 ,  朴起宽 ,  刘庭均 ,  金炯东 ,  成石铉 ,  严命允

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/027

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：在衬底上形成包括真实掩模图案和伪掩模图案的多个掩模图案；去除伪掩模图案；以及利用真实掩模图案作为掩模对衬底进行蚀刻，以形成第一沟槽、第二沟槽以及由第一沟槽和第二沟槽限定的鳍式图案。接触鳍式图案的第二沟槽包括凸出并且位于第二沟槽的底表面与侧表面之间的平滑图案、位于第二沟槽的侧表面与平滑图案之间的第一凹进部分和位于凸出部分与第二沟槽的底表面之间的第二凹进部分。

公开(公告)号：CN106683987B

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN201610962976.6

申请日：2016-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基一 ,  朴起宽 ,  刘庭均 ,  金炯东 ,  成石铉 ,  严命允

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：在衬底上形成包括真实掩模图案和伪掩模图案的多个掩模图案；去除伪掩模图案；以及利用真实掩模图案作为掩模对衬底进行蚀刻，以形成第一沟槽、第二沟槽以及由第一沟槽和第二沟槽限定的鳍式图案。接触鳍式图案的第二沟槽包括凸出并且位于第二沟槽的底表面与侧表面之间的平滑图案、位于第二沟槽的侧表面与平滑图案之间的第一凹进部分和位于凸出部分与第二沟槽的底表面之间的第二凹进部分。