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公开(公告)号：CN108807280B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201810677304.X
申请日：2014-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。
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公开(公告)号：CN1139130C
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN98118861.3
申请日：1998-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104 , Y10S257/903
Abstract: 一种能减小全CMOS SRAM单元的纵横比的半导体器件，所述单元包括：由串联连接的第一传送晶体管和第一驱动晶体管的漏区形成的第一公共区；由串联连接的第二传送晶体管和第二驱动晶体管的漏区形成的第二公共区；设置在第一和第二公共区之间而邻近第一公共区的第一负载晶体管的漏区；设置在第一负载晶体管的漏区和第二公共区之间的第二负载晶体管的漏区；第一和第二栅极层，它们通常彼此平行布置；以及第一和第二互连层。
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公开(公告)号：CN106298776A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610371338.7
申请日：2016-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/76229 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L27/0922 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/6681 , H01L29/7848 , H01L29/7854 , H01L29/7855
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：鳍式图案，其包括彼此相对的第一短边和第二短边；第一沟槽，其与第一短边接触；第二沟槽，其与第二短边接触；第一场绝缘膜，其在第一沟槽中，所述第一场绝缘膜包括从第一短边按次序排列的第一部分和第二部分，并且第一部分的高度与第二部分的高度不同；第二场绝缘膜，其在第二沟槽中；以及第一伪栅极，其位于第一场绝缘膜的第一部分上。
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公开(公告)号：CN104299986A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410151913.3
申请日：2014-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L21/823871 , H01L27/0207 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L27/0924 , H01L29/0642 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/20 , H01L29/42364 , H01L29/42372 , H01L29/42376 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/4983 , H01L29/51 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/4232 , H01L29/66477
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。
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公开(公告)号：CN106057892B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201610202916.4
申请日：2016-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，其可提高高集成度集成电路器件中的多栅极晶体管的操作性能。该半导体器件包括在半导体衬底的第一区上突出并且沿着第一方向延伸的第一有源鳍单元。第一有源鳍单元包括具有左轮廓和右轮廓的至少一个第一有源鳍，所述左轮廓和右轮廓关于在垂直于第一方向的切割表面上垂直于半导体衬底的顶表面的第一中心线彼此对称。第二有源鳍单元在半导体衬底的第二区上突出，并且包括两个第二有源鳍，每个第二有源鳍具有左轮廓和右轮廓，所述左轮廓和右轮廓关于在所述切割表面上垂直于半导体衬底的顶表面的第二中心线彼此不对称。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110620083A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910504880.9
申请日：2019-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明构思的一些示例实施方式提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：包括至少第一区域的衬底；第一有源图案和从第一区域垂直突出的第一虚设图案；器件隔离层，填充衬底的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽；和与第一有源图案相交的栅电极。第一沟槽在第一区域上限定第一有源图案，第二沟槽限定第一区域的第一侧壁，第三沟槽限定第一区域的第二侧壁，第二侧壁与第一侧壁相反。第一虚设图案的侧壁可以与第一区域的第二侧壁对准，第一区域的第二侧壁的顶部的水平可以高于第一区域的第一侧壁的顶部的水平。
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公开(公告)号：CN106024715A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610177408.5
申请日：2016-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/11 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/8244
Abstract: 本发明提供了一种集成电路器件，其包括形成在衬底中的鳍式有源区、鳍式有源区的至少一个侧壁上的台阶绝缘层和鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的第一高水平隔离层。鳍式有源区从衬底突出并且沿着平行于衬底的主表面的第一方向延伸，所述鳍式有源区包括具有第一导电类型的沟道区，并且包括台阶部分。台阶绝缘层接触鳍式有源区的台阶部分。台阶绝缘层位于第一高水平隔离层与鳍式有源区的所述至少一个侧壁之间。第一高水平隔离层沿着与第一方向不同的第二方向延伸。
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公开(公告)号：CN104299986B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201410151913.3
申请日：2014-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。
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公开(公告)号：CN106057892A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610202916.4
申请日：2016-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823406 , H01L21/823431 , H01L29/0684 , H01L29/785 , H01L29/7854 , H01L29/7855 , H01L29/0603 , H01L29/66795
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，其可提高高集成度集成电路器件中的多栅极晶体管的操作性能。该半导体器件包括在半导体衬底的第一区上突出并且沿着第一方向延伸的第一有源鳍单元。第一有源鳍单元包括具有左轮廓和右轮廓的至少一个第一有源鳍，所述左轮廓和右轮廓关于在垂直于第一方向的切割表面上垂直于半导体衬底的顶表面的第一中心线彼此对称。第二有源鳍单元在半导体衬底的第二区上突出，并且包括两个第二有源鳍，每个第二有源鳍具有左轮廓和右轮廓，所述左轮廓和右轮廓关于在所述切割表面上垂直于半导体衬底的顶表面的第二中心线彼此不对称。
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