公开(公告)号：CN106024715A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610177408.5

申请日：2016-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  尹钟植 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  柳齐民 ,  车圭晚 ,  尹钟密 ,  金炫助

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8244

Abstract: 本发明提供了一种集成电路器件，其包括形成在衬底中的鳍式有源区、鳍式有源区的至少一个侧壁上的台阶绝缘层和鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的第一高水平隔离层。鳍式有源区从衬底突出并且沿着平行于衬底的主表面的第一方向延伸，所述鳍式有源区包括具有第一导电类型的沟道区，并且包括台阶部分。台阶绝缘层接触鳍式有源区的台阶部分。台阶绝缘层位于第一高水平隔离层与鳍式有源区的所述至少一个侧壁之间。第一高水平隔离层沿着与第一方向不同的第二方向延伸。

公开(公告)号：CN106024715B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201610177408.5

申请日：2016-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  尹钟植 ,  李化成 ,  郑熙暾 ,  柳齐民 ,  车圭晚 ,  尹钟密 ,  金炫助

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8244

Abstract: 本发明提供了一种集成电路器件，其包括形成在衬底中的鳍式有源区、鳍式有源区的至少一个侧壁上的台阶绝缘层和鳍式有源区的所述至少一个侧壁上的第一高水平隔离层。鳍式有源区从衬底突出并且沿着平行于衬底的主表面的第一方向延伸，所述鳍式有源区包括具有第一导电类型的沟道区，并且包括台阶部分。台阶绝缘层接触鳍式有源区的台阶部分。台阶绝缘层位于第一高水平隔离层与鳍式有源区的所述至少一个侧壁之间。第一高水平隔离层沿着与第一方向不同的第二方向延伸。