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公开(公告)号：CN113219787A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202011092502.3
申请日：2020-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/004
Abstract: 一种抗蚀剂组合物包括：聚合物；以及由式1表示的化合物，[式1]在式1中，R1为氢、卤素、具有1个至7个碳原子的烷基、具有1个至7个碳原子的羰基、具有1个至7个碳原子的酯基、具有1个至7个碳原子的缩醛基、具有1个至7个碳原子的烷氧基、具有1个至7个碳原子的醚基、或由式R表示的基团，R2、R3、R4和R5为氢、卤素、具有1个至7个碳原子的烷基、具有1个至7个碳原子的酯基、具有1个至7个碳原子的缩醛基、具有1个至7个碳原子的烷氧基、或具有1个至7个碳原子的醚基，[式R]
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公开(公告)号：CN119920741A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411522249.9
申请日：2024-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/683
Abstract: 提供一种裸片接合设备和裸片接合方法。将其上施加有亲水图案的晶片提供到其上形成有第一磁性图案的裸片座，并在亲水图案周围施加疏水图案。液体被分配到裸片座。将其上形成有第二磁性图案的第一裸片安置在晶片上，并利用液体的毛细管力对第一裸片进行第一对准。液体被分配到第一裸片的上表面上。第二裸片被安置在第一裸片的上表面上，并且利用第一裸片的上表面上的液体的毛细管力来对第二裸片进行第一对准。在第一磁性图案和第二磁性图案中产生磁场，并且利用磁力对第一磁性图案和第二磁性图案进行第二对准。
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公开(公告)号：CN109390406B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201810718141.5
申请日：2018-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括鳍型图案、在鳍型图案的侧壁的一部分上的场绝缘膜、以及在鳍型图案和场绝缘膜上与鳍型图案相交的栅极电极。场绝缘膜上的栅极电极包括场绝缘膜上的第一部分、第二部分和第三部分。第一部分的第一宽度随着距场绝缘膜的第一距离增大而增大，第二部分的第二宽度随着距场绝缘膜的第二距离增大而减小，并且第三部分的第三宽度随着距场绝缘膜的第三距离增大而增大或基本恒定。
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公开(公告)号：CN116246974A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211527395.1
申请日：2022-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种用于制造半导体装置的方法。用于制造半导体装置的方法使用用于制造半导体装置的设备，该设备包括：腔室；支撑结构，设置在腔室内部，并且被构造为支撑接合结构，该接合结构包括第一基底结构、第二基底结构以及设置在第一基底结构与第二基底结构之间的接合金属层；以及激光装置，设置在腔室上方，该用于制造半导体装置的方法包括使用激光装置向接合结构照射激光束。
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公开(公告)号：CN118136546A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311028742.0
申请日：2023-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种管芯接合装置，包括：台架，被配置为支撑第一管芯；拾取头，被配置为拾取第二管芯；磁性材料区域，布置在第一管芯和第二管芯上；电磁体，布置在拾取头或台架的表面上；以及控制器，被配置为当第一管芯和第二管芯在竖直方向上彼此相距预定距离设置时向电磁体施加电流以产生磁场。由于电磁体产生的磁场，布置在第一管芯和第二管芯上的磁性材料区域在竖直方向上彼此对齐。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN113219786A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202011085310.X
申请日：2020-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了光刻方法和制造半导体器件的方法，所述光刻方法包括：在衬底上施用组合物以形成光致抗蚀剂层；使用极紫外辐射(EUV)对光致抗蚀剂层执行曝光工艺；使光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案，其中，组合物包括光敏树脂、光酸产生剂、光可分解猝灭剂、添加剂和溶剂，添加剂是由下面的式4A表示的化合物：[式4A]在式4A中，R1至R5均独立地为氢或碘，R1至R5中的至少一者为碘。
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公开(公告)号：CN113185432A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202011387643.8
申请日：2020-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07C309/12 , C07C321/30 , C07C319/20 , C07C303/22 , G03F7/004
Abstract: 提供一种光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造集成电路装置的方法。所述光可分解化合物包括：阴离子组分，包括金刚烷基；阳离子组分，包括C5至C40环烃基，并且与阴离子组分形成络合物。所述金刚烷基和所述环烃基中的至少一者具有取代基，所述取代基通过酸而分解并产生碱溶性基团。所述取代基包括酸不稳定性保护基。所述光致抗蚀剂组合物包括化学放大型聚合物、所述光可分解化合物和溶剂。为了制造集成电路(IC)装置，在特征层上使用光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂膜，对光致抗蚀剂膜的第一区域进行曝光以在第一区域中从光可分解化合物产生多种酸，化学放大型聚合物由于所述多种酸而脱保护，并且去除第一区域以形成光致抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN113135873A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202011392215.4
申请日：2020-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D277/24 , C07D263/32 , C07D233/64 , C07D213/68 , C07C321/30 , C07C319/20 , G03F7/004
Abstract: 提供了光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造IC装置的方法，所述化合物在曝光时产生酸并且在未曝光状态下用作中和酸的猝灭碱，并且由式1表示：[式1]其中，在式1中，Ra为包括至少一个氮原子的C5至C40取代或未取代的环状烃基，Ya为C1至C20二价直链或环状烃基，n为1至5的整数，A+为抗衡离子。
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公开(公告)号：CN109390406A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810718141.5
申请日：2018-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括鳍型图案、在鳍型图案的侧壁的一部分上的场绝缘膜、以及在鳍型图案和场绝缘膜上与鳍型图案相交的栅极电极。场绝缘膜上的栅极电极包括场绝缘膜上的第一部分、第二部分和第三部分。第一部分的第一宽度随着距场绝缘膜的第一距离增大而增大，第二部分的第二宽度随着距场绝缘膜的第二距离增大而减小，并且第三部分的第三宽度随着距场绝缘膜的第三距离增大而增大或基本恒定。
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