公开(公告)号：CN113135873A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202011392215.4

申请日：2020-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋炫知 ,  洪锡九 ,  金秀珉 ,  金艺灿 ,  金珠英 ,  金珍珠 ,  金贤友 ,  朴柱铉 ,  李松世

IPC: C07D277/24 ,  C07D263/32 ,  C07D233/64 ,  C07D213/68 ,  C07C321/30 ,  C07C319/20 ,  G03F7/004

Abstract: 提供了光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造IC装置的方法，所述化合物在曝光时产生酸并且在未曝光状态下用作中和酸的猝灭碱，并且由式1表示：[式1]其中，在式1中，Ra为包括至少一个氮原子的C5至C40取代或未取代的环状烃基，Ya为C1至C20二价直链或环状烃基，n为1至5的整数，A+为抗衡离子。

公开(公告)号：CN118684603A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410343961.6

申请日：2024-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： H·金 ,  高行德 ,  金惠兰 ,  南煐敏 ,  宋智永 ,  李昶宪 ,  A·田 ,  蔡贞厦 ,  李松世 ,  洪锡九

IPC: C07C311/20 ,  C07C311/07 ,  C07C311/29 ,  C07C381/12 ,  G03F7/004

Abstract: 提供有机盐、包括其的光致抗蚀剂组合物和通过使用该光致抗蚀剂组合物形成图案的方法，所述有机盐由下面的式1表示。式1的描述提供在本文中。式1#imgabs0#

公开(公告)号：CN113219787A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011092502.3

申请日：2020-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金艺灿 ,  金秀珉 ,  金珠英 ,  金珍珠 ,  金贤友 ,  朴柱铉 ,  宋炫知 ,  李松世 ,  洪锡九

IPC: G03F7/004

Abstract: 一种抗蚀剂组合物包括：聚合物；以及由式1表示的化合物，[式1]在式1中，R1为氢、卤素、具有1个至7个碳原子的烷基、具有1个至7个碳原子的羰基、具有1个至7个碳原子的酯基、具有1个至7个碳原子的缩醛基、具有1个至7个碳原子的烷氧基、具有1个至7个碳原子的醚基、或由式R表示的基团，R2、R3、R4和R5为氢、卤素、具有1个至7个碳原子的烷基、具有1个至7个碳原子的酯基、具有1个至7个碳原子的缩醛基、具有1个至7个碳原子的烷氧基、或具有1个至7个碳原子的醚基，[式R]

公开(公告)号：CN118625595A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410229613.6

申请日：2024-02-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴成桓 ,  崔诚原 ,  郭允铉 ,  文桢皓 ,  朴柱铉 ,  李松世 ,  李坪根

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/56 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及包括光敏性聚合物的非离子型非化学放大光致抗蚀剂组合物和制造集成电路器件的方法。光致抗蚀剂组合物包括包含光敏性聚合物的非离子型非化学放大光致抗蚀剂组合物，光敏性聚合物包括具有极性反转基团的第一重复单元和具有敏化基团的第二重复单元。制造集成电路器件的方法包括：通过使用光致抗蚀剂组合物在特征层上形成光致抗蚀剂膜，将作为光致抗蚀剂膜的一部分的第一区域曝光以在第一区域中由第二重复单元产生二次电子并且通过使用第一区域中的二次电子改变第一重复单元的极性以反转第一区域的极性，通过使用显影剂除去光致抗蚀剂膜的未经曝光的区域以形成包括第一区域的光致抗蚀剂图案，和通过使用光致抗蚀剂图案处理特征层。

公开(公告)号：CN113219788A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011092567.8

申请日：2020-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金艺灿 ,  洪锡九 ,  金秀珉 ,  金珠英 ,  金珍珠 ,  金贤友 ,  朴柱铉 ,  宋炫知 ,  李松世

IPC: G03F7/004

Abstract: 一种抗蚀剂组合物包括：聚合物；光酸产生剂；以及由式1表示的材料：[式1]

公开(公告)号：CN113219786A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011085310.X

申请日：2020-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴柱铉 ,  金秀珉 ,  金艺灿 ,  金珠英 ,  金珍珠 ,  金贤友 ,  宋炫知 ,  李松世 ,  洪锡九

IPC: G03F1/56 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 提供了光刻方法和制造半导体器件的方法，所述光刻方法包括：在衬底上施用组合物以形成光致抗蚀剂层；使用极紫外辐射(EUV)对光致抗蚀剂层执行曝光工艺；使光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案，其中，组合物包括光敏树脂、光酸产生剂、光可分解猝灭剂、添加剂和溶剂，添加剂是由下面的式4A表示的化合物：[式4A]在式4A中，R1至R5均独立地为氢或碘，R1至R5中的至少一者为碘。

公开(公告)号：CN113185432A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202011387643.8

申请日：2020-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秀珉 ,  金贤友 ,  洪锡九 ,  金艺灿 ,  金珠英 ,  金珍珠 ,  朴柱铉 ,  宋炫知 ,  李松世

IPC: C07C309/12 ,  C07C321/30 ,  C07C319/20 ,  C07C303/22 ,  G03F7/004

Abstract: 提供一种光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造集成电路装置的方法。所述光可分解化合物包括：阴离子组分，包括金刚烷基；阳离子组分，包括C5至C40环烃基，并且与阴离子组分形成络合物。所述金刚烷基和所述环烃基中的至少一者具有取代基，所述取代基通过酸而分解并产生碱溶性基团。所述取代基包括酸不稳定性保护基。所述光致抗蚀剂组合物包括化学放大型聚合物、所述光可分解化合物和溶剂。为了制造集成电路(IC)装置，在特征层上使用光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂膜，对光致抗蚀剂膜的第一区域进行曝光以在第一区域中从光可分解化合物产生多种酸，化学放大型聚合物由于所述多种酸而脱保护，并且去除第一区域以形成光致抗蚀剂图案。