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公开(公告)号：CN112736081A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202010738503.4
申请日：2020-07-28
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
摘要： 提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置可以包括：位线，在第一方向上延伸；第一导电图案，在与第一方向相交的第二方向上延伸；半导体图案，将位线与第一导电图案连接；第二导电图案，包括位于第一导电图案中的插入部；以及介电层，位于第一导电图案与第二导电图案之间。第二导电图案的插入部可以具有随着距半导体图案的距离增大而增大的宽度。
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公开(公告)号：CN113219787A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202011092502.3
申请日：2020-10-13
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G03F7/004
摘要： 一种抗蚀剂组合物包括：聚合物；以及由式1表示的化合物，[式1]在式1中，R1为氢、卤素、具有1个至7个碳原子的烷基、具有1个至7个碳原子的羰基、具有1个至7个碳原子的酯基、具有1个至7个碳原子的缩醛基、具有1个至7个碳原子的烷氧基、具有1个至7个碳原子的醚基、或由式R表示的基团，R2、R3、R4和R5为氢、卤素、具有1个至7个碳原子的烷基、具有1个至7个碳原子的酯基、具有1个至7个碳原子的缩醛基、具有1个至7个碳原子的烷氧基、或具有1个至7个碳原子的醚基，[式R]
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公开(公告)号：CN112510049A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010902350.2
申请日：2020-09-01
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/11517 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11573
摘要： 公开了一种半导体存储器件。该器件包括：在衬底上的外围电路结构；在外围电路结构上的半导体层；在半导体层上的电极结构，该电极结构包括堆叠在半导体层上的电极；垂直沟道结构，其穿透电极结构并且连接到半导体层；分离结构，其穿透电极结构，在第一方向上延伸并且将电极结构的电极水平地分成一对电极；覆盖电极结构的层间绝缘层；以及穿透层间绝缘层并且电连接到外围电路结构的贯穿接触。
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公开(公告)号：CN112204503A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980035566.9
申请日：2019-03-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F3/01 , G06F3/0346 , G06F3/038 , G06F3/0481 , G06K9/46 , G06T19/00
摘要： 根据本公开的各种实施例的电子装置包括具有指定视场的一个或更多个相机、显示器、通信电路和处理器。所述处理器可被配置为：通过相机来确认所述指定视场中包括的一个或更多个外部对象中的外部电子装置，根据至少基于通过相机获得的图像信息确认的外部电子装置的第一位置信息，通过显示器显示与外部电子装置对应的图形对象，并且如果外部电子装置在所述指定视场之外，基于在外部电子装置移动到所述指定视场之外之前通过相机确认的外部电子装置的第二位置信息以及在外部电子装置移动到所述指定视场之外之后经由通信电路从外部电子装置接收到的与外部电子装置的移动相关的信息，通过显示器显示所述图形对象。
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公开(公告)号：CN113135873A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202011392215.4
申请日：2020-12-01
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： C07D277/24 , C07D263/32 , C07D233/64 , C07D213/68 , C07C321/30 , C07C319/20 , G03F7/004
摘要： 提供了光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造IC装置的方法，所述化合物在曝光时产生酸并且在未曝光状态下用作中和酸的猝灭碱，并且由式1表示：[式1]其中，在式1中，Ra为包括至少一个氮原子的C5至C40取代或未取代的环状烃基，Ya为C1至C20二价直链或环状烃基，n为1至5的整数，A+为抗衡离子。
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公开(公告)号：CN109426327A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810968812.3
申请日：2018-08-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F1/26 , G06F1/3234
摘要： 提供了用于控制电子装置之间的电力的方法和电子装置。根据各种实施例的电子装置可以包括：第一连接器，其包括被配置为连接到外部电子装置的至少一个第一引脚和至少一个第二引脚；第二连接器，其包括被配置为连接到电源的至少一个第三引脚和至少一个第四引脚；开关电路；以及电连接到第一连接器、第二连接器和开关电路的处理器，其中，处理器被配置为确定是否存在与外部电子装置的连接或与电源的连接，并且处理器被设置为当经由第一连接器连接到外部电子装置且经由第二连接器连接到电源时，使得使用开关电路将经由至少一个第三引脚从电源接收的电力供应给至少一个第一引脚。
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公开(公告)号：CN109426327B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201810968812.3
申请日：2018-08-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F1/26 , G06F1/3234
摘要： 提供了用于控制电子装置之间的电力的方法和电子装置。根据各种实施例的电子装置可以包括：第一连接器，其包括被配置为连接到外部电子装置的至少一个第一引脚和至少一个第二引脚；第二连接器，其包括被配置为连接到电源的至少一个第三引脚和至少一个第四引脚；开关电路；以及电连接到第一连接器、第二连接器和开关电路的处理器，其中，处理器被配置为确定是否存在与外部电子装置的连接或与电源的连接，并且处理器被设置为当经由第一连接器连接到外部电子装置且经由第二连接器连接到电源时，使得使用开关电路将经由至少一个第三引脚从电源接收的电力供应给至少一个第一引脚。
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公开(公告)号：CN113219786A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202011085310.X
申请日：2020-10-12
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了光刻方法和制造半导体器件的方法，所述光刻方法包括：在衬底上施用组合物以形成光致抗蚀剂层；使用极紫外辐射(EUV)对光致抗蚀剂层执行曝光工艺；使光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案，其中，组合物包括光敏树脂、光酸产生剂、光可分解猝灭剂、添加剂和溶剂，添加剂是由下面的式4A表示的化合物：[式4A]在式4A中，R1至R5均独立地为氢或碘，R1至R5中的至少一者为碘。
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公开(公告)号：CN113185432A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202011387643.8
申请日：2020-12-01
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： C07C309/12 , C07C321/30 , C07C319/20 , C07C303/22 , G03F7/004
摘要： 提供一种光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造集成电路装置的方法。所述光可分解化合物包括：阴离子组分，包括金刚烷基；阳离子组分，包括C5至C40环烃基，并且与阴离子组分形成络合物。所述金刚烷基和所述环烃基中的至少一者具有取代基，所述取代基通过酸而分解并产生碱溶性基团。所述取代基包括酸不稳定性保护基。所述光致抗蚀剂组合物包括化学放大型聚合物、所述光可分解化合物和溶剂。为了制造集成电路(IC)装置，在特征层上使用光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂膜，对光致抗蚀剂膜的第一区域进行曝光以在第一区域中从光可分解化合物产生多种酸，化学放大型聚合物由于所述多种酸而脱保护，并且去除第一区域以形成光致抗蚀剂图案。
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