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公开(公告)号：CN110376848B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910231808.3
申请日：2019-03-26
IPC: G03F7/20 , G03F7/004 , C09D183/04
Abstract: 提供了基底处理组合物和使用其制造半导体装置的方法。基底处理组合物包括第一单体、第二单体和酸。第一单体由式1表示，第二单体由式7表示。基底处理组合物的包括第一单体、第二单体和酸的固体含量的分子量是大约1,000g/mol至大约50,000g/mol。[式1]X‑Si(R1)2(R2)[式7]Y‑Si(R3)3。
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公开(公告)号：CN113135873A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202011392215.4
申请日：2020-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D277/24 , C07D263/32 , C07D233/64 , C07D213/68 , C07C321/30 , C07C319/20 , G03F7/004
Abstract: 提供了光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造IC装置的方法，所述化合物在曝光时产生酸并且在未曝光状态下用作中和酸的猝灭碱，并且由式1表示：[式1]其中，在式1中，Ra为包括至少一个氮原子的C5至C40取代或未取代的环状烃基，Ya为C1至C20二价直链或环状烃基，n为1至5的整数，A+为抗衡离子。
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公开(公告)号：CN113219787A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202011092502.3
申请日：2020-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/004
Abstract: 一种抗蚀剂组合物包括：聚合物；以及由式1表示的化合物，[式1]在式1中，R1为氢、卤素、具有1个至7个碳原子的烷基、具有1个至7个碳原子的羰基、具有1个至7个碳原子的酯基、具有1个至7个碳原子的缩醛基、具有1个至7个碳原子的烷氧基、具有1个至7个碳原子的醚基、或由式R表示的基团，R2、R3、R4和R5为氢、卤素、具有1个至7个碳原子的烷基、具有1个至7个碳原子的酯基、具有1个至7个碳原子的缩醛基、具有1个至7个碳原子的烷氧基、或具有1个至7个碳原子的醚基，[式R]
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公开(公告)号：CN110376848A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910231808.3
申请日：2019-03-26
IPC: G03F7/20 , G03F7/004 , C09D183/04
Abstract: 提供了基底处理组合物和使用其制造半导体装置的方法。基底处理组合物包括第一单体、第二单体和酸。第一单体由式1表示，第二单体由式7表示。基底处理组合物的包括第一单体、第二单体和酸的固体含量的分子量是大约1,000g/mol至大约50,000g/mol。[式1]X-Si(R1)2(R2)[式7]Y-Si(R3)3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106909032B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201610997545.3
申请日：2016-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/42 , G03F7/00 , C11D11/00 , C11D1/66 , H01L21/311
Abstract: 公开清洗液和通过使用其制造集成电路器件的方法。所述清洗液包括表面活性剂和去离子水。所述表面活性剂包括具有支化结构的化合物，所述具有支化结构的化合物包括包含疏水性基团的主链和多个从所述主链支化且具有至少一个亲水性官能团的侧链。所述制造集成电路器件的方法包括：形成光刻胶图案，随后将所述清洗液施加至所述光刻胶图案上。
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公开(公告)号：CN113219786A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202011085310.X
申请日：2020-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了光刻方法和制造半导体器件的方法，所述光刻方法包括：在衬底上施用组合物以形成光致抗蚀剂层；使用极紫外辐射(EUV)对光致抗蚀剂层执行曝光工艺；使光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案，其中，组合物包括光敏树脂、光酸产生剂、光可分解猝灭剂、添加剂和溶剂，添加剂是由下面的式4A表示的化合物：[式4A]在式4A中，R1至R5均独立地为氢或碘，R1至R5中的至少一者为碘。
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公开(公告)号：CN113185432A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202011387643.8
申请日：2020-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07C309/12 , C07C321/30 , C07C319/20 , C07C303/22 , G03F7/004
Abstract: 提供一种光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造集成电路装置的方法。所述光可分解化合物包括：阴离子组分，包括金刚烷基；阳离子组分，包括C5至C40环烃基，并且与阴离子组分形成络合物。所述金刚烷基和所述环烃基中的至少一者具有取代基，所述取代基通过酸而分解并产生碱溶性基团。所述取代基包括酸不稳定性保护基。所述光致抗蚀剂组合物包括化学放大型聚合物、所述光可分解化合物和溶剂。为了制造集成电路(IC)装置，在特征层上使用光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂膜，对光致抗蚀剂膜的第一区域进行曝光以在第一区域中从光可分解化合物产生多种酸，化学放大型聚合物由于所述多种酸而脱保护，并且去除第一区域以形成光致抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN106909032A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201610997545.3
申请日：2016-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/42 , G03F7/00 , C11D11/00 , C11D1/66 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/0337 , C11D1/00 , C11D11/0047 , G03F7/42 , H01L21/0274 , H01L21/0332 , G03F7/422 , C11D1/66 , G03F7/0035 , H01L21/31133
Abstract: 公开清洗液和通过使用其制造集成电路器件的方法。所述清洗液包括表面活性剂和去离子水。所述表面活性剂包括具有支化结构的化合物，所述具有支化结构的化合物包括包含疏水性基团的主链和多个从所述主链支化且具有至少一个亲水性官能团的侧链。所述制造集成电路器件的方法包括：形成光刻胶图案，随后将所述清洗液施加至所述光刻胶图案上。
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