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公开(公告)号：CN110376848A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910231808.3
申请日：2019-03-26
IPC: G03F7/20 , G03F7/004 , C09D183/04
Abstract: 提供了基底处理组合物和使用其制造半导体装置的方法。基底处理组合物包括第一单体、第二单体和酸。第一单体由式1表示，第二单体由式7表示。基底处理组合物的包括第一单体、第二单体和酸的固体含量的分子量是大约1,000g/mol至大约50,000g/mol。[式1]X-Si(R1)2(R2)[式7]Y-Si(R3)3。
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公开(公告)号：CN110376848B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910231808.3
申请日：2019-03-26
IPC: G03F7/20 , G03F7/004 , C09D183/04
Abstract: 提供了基底处理组合物和使用其制造半导体装置的方法。基底处理组合物包括第一单体、第二单体和酸。第一单体由式1表示，第二单体由式7表示。基底处理组合物的包括第一单体、第二单体和酸的固体含量的分子量是大约1,000g/mol至大约50,000g/mol。[式1]X‑Si(R1)2(R2)[式7]Y‑Si(R3)3。
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公开(公告)号：CN111902774B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201980020366.6
申请日：2019-03-18
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供可以用于制造半导体装置的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其是用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷(a)的水解缩合物(c)、硝酸根离子和溶剂，该水解性硅烷(a)包含式(1)：R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) 式(1)〔在式(1)中，R1为式(2)的有机基并且通过Si‑C键与硅原子结合。〕所示的水解性硅烷。还包含水解性硅烷(a)和/或其水解物(b)。在抗蚀剂下层膜形成用组合物中以1ppm～1000ppm的范围含有硝酸根离子。关于水解缩合物(c)，式(1)所示的水解性硅烷中的式(2)的官能团以(氢原子)/(氢原子+R5基)的摩尔比计为1％～100％。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115667381A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180038914.5
申请日：2021-05-25
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08J7/00 , B32B27/30 , C08L25/00 , C08L53/00 , H01L21/027 , H01L21/312
Abstract: 提供在大气压下的加热时困难的、使嵌段共聚物的微相分离结构相对于基板垂直地诱导了的、包含嵌段共聚物的层、其制造方法、以及使用了进行了垂直相分离的嵌段共聚物层的半导体装置的制造方法。是在小于大气压的压力下在能够发生诱导自组装化的温度下加热而形成的、进行了垂直相分离的嵌段共聚物层。优选上述垂直相分离包含圆筒形状部分。优选上述圆筒形状部分包含PMMA。优选上述加热温度为270℃以上。优选在上述嵌段共聚物层下进一步具有该嵌段共聚物表面能的中性化层。
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公开(公告)号：CN115398342A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180026228.6
申请日：2021-03-31
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供获得能够作为具有对作为上层而形成的抗蚀剂膜用的组合物的溶剂的耐性、针对氟系气体的良好的蚀刻特性、进一步良好的光刻特性的抗蚀剂下层膜而良好地起作用的膜的组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，包含使用2种以上酸性化合物进行水解性硅烷化合物的水解和缩合而获得的水解缩合物、和溶剂，上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)所示的含有氨基的硅烷。(在式(1)中，R1为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示包含氨基的有机基，R2为与硅原子结合的基团，表示可以被取代的烷基、可以被取代的芳基、可以被取代的芳烷基、可以被取代的卤代烷基、可以被取代的卤代芳基、可以被取代的卤代芳烷基、可以被取代的烷氧基烷基、可以被取代的烷氧基芳基、可以被取代的烷氧基芳烷基、或可以被取代的烯基，或表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基，R3为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a为1～2的整数，b为0～1的整数，且满足a+b≤2。)R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111742020B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201880089915.0
申请日：2018-12-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D183/04 , C08G77/04 , C08G59/68 , C09D183/08 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/40
Abstract: 本发明的课题是提供下述光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其在高低差基板上在不需要将含硅被覆膜在高温下固化烧成的情况下进行光固化，从而不会使存在于下层的进行了光固化的有机下层膜的平坦化恶化，因此在平坦化性高的有机下层膜上形成平坦化性高的含硅被覆膜，在其上层被覆抗蚀剂，从而对抑制层界面的漫反射、抑制蚀刻后的高低差产生是有效的。解决手段是一种光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其包含水解性硅烷、其水解物、或其水解缩合物，该水解性硅烷包含式(1)(在式(1)中，R1为与光交联有关的官能团。)的水解性硅烷。一种光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其用于在制造半导体装置的光刻工序中在基板上的有机下层膜与抗蚀剂膜的中间层形成通过紫外线照射而固化的含硅被覆膜。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
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公开(公告)号：CN114503033A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080070957.7
申请日：2020-10-01
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027 , C08G8/04 , C08G6/00
Abstract: 提供用于形成不溶于抗蚀剂溶剂、光学常数良好、可以适当调整蚀刻速率的抗蚀剂下层膜，并且对高低差基板的埋入性和平坦化性优异的组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：(A)下述式(I)所示的交联性化合物；以及(D)溶剂。[式中，n为2～6的整数，n个Z各自独立地为包含单甲酰基芳基、二甲酰基芳基、三甲酰基芳基、四甲酰基芳基、五甲酰基芳基或六甲酰基芳基的1价有机基，n个A各自独立地表示‑OCH2CH(OH)CH2O‑、或(BB)，T为可以被羰基和/或氧原子中断的n价烃基以及/或聚合物的重复单元，且T可以具有选自羟基、环氧基、酰基、乙酰基、苯甲酰基、羧基、羰基、氨基、亚氨基、氰基、偶氮基、叠氮基、硫醇基、磺基和烯丙基中的至少一个基团。]
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公开(公告)号：CN114174926A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080052220.2
申请日：2020-07-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G61/12 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，即使对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物(A)与下述式(B)所示的化合物的反应生成物、和溶剂。(式中，X表示氧原子、或氮原子，Y表示单键、氧原子、或氮原子，X与Y也可以彼此结合而形成环，R1、R2、R3、和R4各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～8的环状烷基、或碳原子数6～10的芳香族基，R2仅在X为氮原子的情况下存在，R4仅在Y为氮原子的情况下存在。)
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公开(公告)号：CN113544586A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080019762.X
申请日：2020-03-05
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供涂布于基板，然后通过将其加热的工序来表现高回流性，即使在高低差基板上也可以平坦地涂布，可以形成平坦化膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是，本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物是下述抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有式(1)所示的重复结构单元和/或式(2)所示的重复单元的共聚物、和有机溶剂。(在式(1)和式(2)中，R1表示式(3)所示的官能团，在式(3)中，Q1和Q2各自独立地表示氢原子或碳原子数1～5的烷基、＊表示与氧原子的结合端，在式(2)中，X1表示碳原子数1～50的有机基、i和j各自独立地表示0或1。)
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公开(公告)号：CN109563371B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201780049797.6
申请日：2017-08-28
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D183/04 , C08G77/38 , G03F7/038 , G03F7/075 , G03F7/40
Abstract: 本发明的课题是提供可以作为在被加工基板上形成平坦的膜而进行图案反转的被覆组合物、感光性组合物来利用的包含进行了缩醛保护的聚硅氧烷的组合物。解决手段是一种被覆组合物或感光性组合物，其包含聚硅氧烷，上述聚硅氧烷是将水解缩合物所具有的硅烷醇基进行缩醛保护而获得的，所述水解缩合物是分子内具有2～4个水解性基的水解性硅烷的水解缩合物，该水解缩合物的以Si‑C键与硅原子结合的有机基平均以0≤(该有机基)/(Si)≤0.29的摩尔比比例存在。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在半导体基板上形成抗蚀剂膜的工序(A)；将上述抗蚀剂膜曝光，在曝光后将抗蚀剂显影而获得抗蚀剂图案的工序(B)；在被图案化了的抗蚀剂膜上涂布本件被覆用组合物而埋入聚硅氧烷的工序(C)；使埋入的该聚硅氧烷固化后，对抗蚀剂膜进行蚀刻而将图案反转的工序(D)；使用聚硅氧烷膜对基板进行加工的工序(E)。
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