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    抑制了交联剂的改性的抗蚀剂下层膜形成用组合物
    1.
    发明公开
    抑制了交联剂的改性的抗蚀剂下层膜形成用组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN115398343A

    公开(公告)日：2022-11-25

    申请号：CN202180026798.5

    申请日：2021-03-30

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 窪寺俊 ,  上林哲 ,  远藤勇树

    IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

    Abstract: 提供保存稳定性高、膜的固化开始温度低、升华物的产生量少、可以形成不溶出于光致抗蚀剂溶剂的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成法、和半导体装置的制造方法。包含能够交联的树脂、交联剂、下述式(I)所示的交联催化剂、和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。(A‑SO3)‑(BH)+[式中，A为可以被取代的直链、支链、或环状的饱和或不饱和的脂肪族烃基、可以被除羟基以外的基团取代的芳基、或可以被取代的杂芳基，B为具有6.5～9.5的pKa的碱。](A‑SO3)‑(BH)+ (I)。

    包含羟基芳基末端的聚合物的药液耐性保护膜形成用组合物
    3.
    发明公开
    包含羟基芳基末端的聚合物的药液耐性保护膜形成用组合物 有权

    公开(公告)号：CN113646352A

    公开(公告)日：2021-11-12

    申请号：CN202080027542.1

    申请日：2020-04-09

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 小田切薰敬 ,  西田登喜雄 ,  远藤贵文 ,  远藤勇树 ,  岸冈高广

    IPC: C08G59/14 ,  C08G59/26 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

    Abstract: 本发明提供下述保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法，上述保护膜形成用组合物具有在半导体基板加工时对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、高干蚀刻速度，进一步对高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其中，二环氧化合物(B)与2官能以上的产质子化合物(C)的反应生成物(P)包含下述式(1)：(在式(1)中，Ar表示碳原子数6～40的芳基，n表示2～10的整数，‑Y‑表示‑OCO‑、‑O‑或‑S‑，＊表示与上述反应生成物(P)分子末端的结合部分)所示的结构，上述保护膜形成用组合物还包含有机溶剂(S)。＊‑Y‑Ar‑(OH)n(1)。

    包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物
    4.
    发明授权
    包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物 有权

    公开(公告)号：CN118295212B

    公开(公告)日：2025-04-08

    申请号：CN202410433349.8

    申请日：2021-06-11

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 上林哲 ,  远藤勇树

    IPC: G03F7/11 ,  H01L21/033

    Abstract: 提供能够没有孔隙(空隙)地埋入微细化发展的半导体基板上的微细孔，在膜形成时的膜烧成时产生的升华物少的抗蚀剂下层膜形成用组合物、和兼具在半导体基板加工中作为对湿蚀刻药液的保护膜的功能的药液耐性保护膜组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物或保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1)所示的、理论分子量为999以下的化合物；以及有机溶剂。[在式(1)中，Z1包含含氮杂环，U为下述式(2)所示的一价有机基，p表示2～4的整数。][在式(2)中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基，A1～A3各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，X表示‑COO‑、‑OCO‑、‑O‑、‑S‑和‑NRa‑中的任一者，Ra表示氢原子或甲基。Y表示直接键合或可以被取代的碳原子数1～4的亚烷基，R2、R3和R4各自为氢原子、或者可以被取代的碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，R5为氢原子或羟基，n表示整数0或1，m1和m2各自独立地表示整数0或1，＊表示向Z1结合的部分]#imgabs0#

    包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物
    5.
    发明公开
    包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN119472173A

    公开(公告)日：2025-02-18

    申请号：CN202411597468.3

    申请日：2021-06-11

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 上林哲 ,  远藤勇树

    IPC: G03F7/11 ,  G03F7/09

    Abstract: 提供能够没有孔隙(空隙)地埋入微细化发展的半导体基板上的微细孔，在膜形成时的膜烧成时产生的升华物少的抗蚀剂下层膜形成用组合物、和兼具在半导体基板加工中作为对湿蚀刻药液的保护膜的功能的药液耐性保护膜组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物或保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1)所示的、理论分子量为999以下的化合物；以及有机溶剂。[在式(1)中，Z1包含含氮杂环，U为下述式(2)所示的一价有机基，p表示2～4的整数。][在式(2)中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基，A1～A3各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，X表示‑COO‑、‑OCO‑、‑O‑、‑S‑和‑NRa‑中的任一者，Ra表示氢原子或甲基。Y表示直接键合或可以被取代的碳原子数1～4的亚烷基，R2、R3和R4各自为氢原子、或者可以被取代的碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，R5为氢原子或羟基，n表示整数0或1，m1和m2各自独立地表示整数0或1，＊表示向Z1结合的部分]#imgabs0#

    包含进行了缩醛保护的硅烷醇基的聚硅氧烷组合物
    9.
    发明授权
    包含进行了缩醛保护的硅烷醇基的聚硅氧烷组合物 有权

    公开(公告)号：CN109563371B

    公开(公告)日：2021-09-21

    申请号：CN201780049797.6

    申请日：2017-08-28

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 远藤勇树 ,  谷口博昭 ,  中岛诚

    IPC: C09D183/04 ,  C08G77/38 ,  G03F7/038 ,  G03F7/075 ,  G03F7/40

    Abstract: 本发明的课题是提供可以作为在被加工基板上形成平坦的膜而进行图案反转的被覆组合物、感光性组合物来利用的包含进行了缩醛保护的聚硅氧烷的组合物。解决手段是一种被覆组合物或感光性组合物，其包含聚硅氧烷，上述聚硅氧烷是将水解缩合物所具有的硅烷醇基进行缩醛保护而获得的，所述水解缩合物是分子内具有2～4个水解性基的水解性硅烷的水解缩合物，该水解缩合物的以Si‑C键与硅原子结合的有机基平均以0≤(该有机基)/(Si)≤0.29的摩尔比比例存在。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在半导体基板上形成抗蚀剂膜的工序(A)；将上述抗蚀剂膜曝光，在曝光后将抗蚀剂显影而获得抗蚀剂图案的工序(B)；在被图案化了的抗蚀剂膜上涂布本件被覆用组合物而埋入聚硅氧烷的工序(C)；使埋入的该聚硅氧烷固化后，对抗蚀剂膜进行蚀刻而将图案反转的工序(D)；使用聚硅氧烷膜对基板进行加工的工序(E)。

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