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公开(公告)号：CN118011734A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410161189.6
申请日：2018-02-01
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明的目的是提供与以往相比使交联性飞跃地提高了的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进一步提供为了改善抗蚀剂下层膜与抗蚀剂图案的密合性而与抗蚀剂材料的成分交联的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：具有下述式(1)所示的结构单元和下述式(2)所示的结构单元的共聚物、交联剂、有机酸催化剂和溶剂。(式中，R1各自独立地表示氢原子或甲基，R2各自独立地表示碳原子数1～3的亚烷基，R3表示单键或亚甲基，A表示可以具有取代基的碳原子数1～12的直链状、支链状、或具有环状结构的脂肪族基，或者表示可以具有取代基的碳原子数6～16的芳香族基或杂环基，Pr表示保护基。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN108779081A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016793.8
申请日：2017-02-27
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C07D251/34
CPC classification number: C07D251/34
Abstract: 本发明的课题在于提供具有2个烃基的异氰脲酸衍生物的新型的制造方法。作为解决手段，为下述具有2个烃基的异氰脲酸衍生物的制造方法，其特征在于，包括下述工序：第一工序，得到下述式(1)表示的化合物；第二工序，由前述式(1)表示的化合物得到下述式(2)表示的化合物；第三工序，由前述式(2)表示的化合物得到下述式(3)表示的化合物；以及，第四工序，由前述式(3)表示的化合物得到下述式(4)表示的化合物(式中，Bn表示苄基，2个R分别表示碳原子数1～10的烃基。)，所有的工序在不超过100℃的温度下进行。
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公开(公告)号：CN114746468B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202080084090.0
申请日：2020-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/18 , C08G73/06 , G03F7/11 , C08G63/685 , C08G63/688
Abstract: 本发明提供聚合物的制造方法，其包括：第一工序，其中，使包含嘧啶三酮结构、咪唑烷二酮结构或三嗪三酮结构的单体在有机溶剂中、季鏻盐或季铵盐的存在下反应而合成粗聚合物；和第二工序，其中，将上述第一工序中得到的含有粗聚合物的溶液与不良溶剂混合，使精制聚合物沉淀，滤离。
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公开(公告)号：CN110036344A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201880004846.9
申请日：2018-02-01
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明的目的是提供与以往相比使交联性飞跃地提高了的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进一步提供为了改善抗蚀剂下层膜与抗蚀剂图案的密合性而与抗蚀剂材料的成分交联的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：具有下述式(1)所示的结构单元和下述式(2)所示的结构单元的共聚物、交联剂、有机酸催化剂和溶剂。(式中，R1各自独立地表示氢原子或甲基，R2各自独立地表示碳原子数1～3的亚烷基，R3表示单键或亚甲基，A表示可以具有取代基的碳原子数1～12的直链状、支链状、或具有环状结构的脂肪族基，或者表示可以具有取代基的碳原子数6～16的芳香族基或杂环基，Pr表示保护基。)
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110036344B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201880004846.9
申请日：2018-02-01
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明的目的是提供与以往相比使交联性飞跃地提高了的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进一步提供为了改善抗蚀剂下层膜与抗蚀剂图案的密合性而与抗蚀剂材料的成分交联的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：具有下述式(1)所示的结构单元和下述式(2)所示的结构单元的共聚物、交联剂、有机酸催化剂和溶剂。(式中，R1各自独立地表示氢原子或甲基，R2各自独立地表示碳原子数1～3的亚烷基，R3表示单键或亚甲基，A表示可以具有取代基的碳原子数1～12的直链状、支链状、或具有环状结构的脂肪族基，或者表示可以具有取代基的碳原子数6～16的芳香族基或杂环基，Pr表示保护基。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111670410A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201980010876.5
申请日：2019-02-01
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供尤其是干蚀刻速度高的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案的形成方法、和半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有具有至少1个二硫醚键的2官能以上化合物、3官能以上化合物和/或反应生成物、以及溶剂。所述2官能以上化合物优选是含有二硫醚键的二元羧酸。所述3官能以上化合物优选是含有3个以上环氧基的化合物。
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公开(公告)号：CN109416512A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040019.0
申请日：2017-06-23
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C07C43/13 , C07D251/34 , C07D403/14 , C08L65/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: C07C43/13 , C07D251/34 , C07D403/14 , C08L65/00 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供包含具有乙内酰脲环的化合物的、新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含1分子中具有至少2个下述式(1)所示的取代基的化合物、和溶剂。(式中，R1和R2各自独立地表示氢原子或甲基，X1表示碳原子数1～3的羟基烷基、或主链具有1个或2个醚键的碳原子数2～6的烷基。)
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公开(公告)号：CN109415350A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780039711.1
申请日：2017-06-13
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C07D403/14
CPC classification number: C07D403/14
Abstract: 本发明的课题是提供具有乙内酰脲环的化合物的新的制造方法。解决手段是一种具有乙内酰脲环的化合物的制造方法，其具有下述工序：在包含至少30质量％的乙醇和/或至少10质量％的丙醇的醇类中，在催化剂的存在下，使下述式(1)所示的化合物与下述式(2)所示的化合物以相对于该式(1)所示的化合物1摩尔当量为3摩尔当量的该式(2)所示的化合物的比例反应，而获得包含下述式(3)所示的化合物的溶液的反应工序；以及向上述溶液中加入阳离子交换树脂和阴离子交换树脂，接着将其进行搅拌，然后进行过滤的离子交换处理工序。(式中，A1表示三价脂肪族基、或具有芳香族环或杂环的三价基团，Z1表示直接结合、-O-基或-C(＝O)O-基，R1和R2各自独立地表示氢原子或甲基，X表示碳原子数1～3的羟基烷基、碳原子数2～5的烷氧基烷基或碳原子数1～3的烷基。)
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