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公开(公告)号：CN119404289A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380048256.7
申请日：2023-06-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/02 , C08F22/40 , C09D179/08
Abstract: 一种组合物，是包含聚合物和溶剂，且能够形成能够通过除去液而除去的涂膜的、异物除去用涂膜形成用组合物，上述聚合物为包含下述式(1)所示的结构单元的聚合物。[在式(1)中，X表示氧原子或NR，R表示氢原子或通过碱而被脱保护的酰亚胺基的保护基。]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119013627A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380033692.7
申请日：2023-04-21
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，含有聚合物和溶剂、所述聚合物具有下述式(1)所示的重复单元(1)和所述重复单元(1)以外的重复单元(2)，包含所述聚合物的聚合物溶液中的所述聚合物的平均粒径为50nm以下。#imgabs0#(式(1)中，R1表示氢原子、甲基、或卤素原子，R2表示碳原子数3～6的3价的烃基。其中，包含R2的内酯结构为5元环或6元环。)
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公开(公告)号：CN117940849A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280059405.5
申请日：2022-09-01
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供在半导体装置的制造中能够以基于涂布的简便方法完全覆盖半导体制造用基板(晶片)的端部的保护膜、用于形成该保护膜的保护膜形成组合物、使用该保护膜制造的半导体制造用晶片、该半导体制造用晶片以及半导体装置的制造方法。一种半导体制造用晶片端部保护膜形成组合物，其包含具有交联性基团的聚合物或化合物、以及溶剂。优选地，所述组合物在25℃具有100cps以下的粘度，具有感光性。优选地，所述交联性基团选自环氧基、(甲基)丙烯酸基、乙烯基、羧酸基、硫醇基、硅烷醇基、肉桂酰基和羟基。
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公开(公告)号：CN117908332A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410140541.8
申请日：2020-02-13
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 提供在半导体制造中的光刻工艺中使用的、保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含主链中包含二硫键的聚合物、自由基捕获剂、以及溶剂。上述自由基捕获剂优选为具有环结构或硫醚结构的化合物。上述环结构优选为碳原子数6～40的芳香环结构或2,2,6,6‑四甲基哌啶结构。
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公开(公告)号：CN113383036A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202080012493.4
申请日：2020-02-13
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08K5/3435 , C08K5/372 , C08L101/02 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027 , C08G63/58
Abstract: 提供在半导体制造中的光刻工艺中使用的、保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含主链中包含二硫键的聚合物、自由基捕获剂、以及溶剂。上述自由基捕获剂优选为具有环结构或硫醚结构的化合物。上述环结构优选为碳原子数6～40的芳香环结构或2,2,6,6‑四甲基哌啶结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109642140B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201780052451.1
申请日：2017-08-25
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09J167/00 , C08F290/06 , C08F299/02 , C08G75/045 , C09J11/06 , C09J167/07 , C09J171/08 , G03F7/004 , G03F7/027
Abstract: 本发明的课题是提供新的感光性粘接剂组合物。解决手段是一种感光性粘接剂组合物，其包含下述(A)成分、(B)成分、(C)成分和(D)成分，且与上述(A)成分相比以质量比计更多地含有上述(B)成分。(A)成分：具有下述式(1)所示的结构单元、且末端具有下述式(2)所示的结构的聚合物，(B)成分：具有上述式(1)所示的结构单元、且末端具有上述羧基或羟基的聚合物，(C)成分：自由基型光聚合引发剂，和(D)成分：溶剂，(在这些式中，X表示碳原子数1～6的烷基、乙烯基、烯丙基或缩水甘油基，m和n各自独立地表示0或1，Q表示碳原子数1～16的二价烃基，Z表示碳原子数1～4的二价连接基，该二价连接基与上述式(1)中的‑O‑基结合，R1表示氢原子或甲基。)
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公开(公告)号：CN111492312A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880082023.8
申请日：2018-12-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含分子内含有至少1组彼此相邻的2个羟基的化合物、或其聚合物、以及溶剂，其是在半导体制造中的光刻工艺中，用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异、并可以通过干蚀刻迅速除去的保护膜的组合物，并提供应用了该保护膜的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法、和半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN110914309A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201880046103.8
申请日：2018-07-09
Applicant: 国立大学法人富山大学 , 日产化学株式会社
IPC: C07K17/08 , B01J20/24 , C08F220/34 , C08F220/36 , C08F220/40 , C12M1/00 , C12M3/00 , C12N1/02 , C07K11/00 , C12M1/34
Abstract: 本发明提供在表面的至少一部分被覆有包含下述式(1a)及式(1b)表示的结构单元的聚合物(P1)的带配体的基体及其原材料、以及其制造方法。式中，R1、R2、X、Y、L、Q1、Q2、Q3、m1、m2及n如权利要求书及说明书中记载。
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公开(公告)号：CN110366768A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201880014924.3
申请日：2018-02-28
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/02 , C09D179/08 , C09D201/00
Abstract: 提供在半导体装置制造工序中用于将在基板上形成的异物除去的简便方法，提供在这样的方法中使用的用于异物除去的涂膜形成用组合物。在半导体基板上，优选使用包含由(a)四羧酸二酐化合物和(b)具有至少一个羧基的二胺化合物制造的聚酰胺酸、或由(a)四羧酸二酐化合物、(b)具有至少一个羧基的二胺化合物、和(c)二胺化合物制造的聚酰胺酸的组合物在基板上形成涂膜后，将在涂膜上存在的异物利用显影液处理而与涂膜一起除去。
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公开(公告)号：CN109952631A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201780056169.0
申请日：2017-09-15
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/306 , C08G59/62 , C08G65/28 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。解决手段是一种针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1a)所示的化合物、式(1b)所示的化合物、具有下述式(2)所示的取代基的分子量为300以上且小于800的化合物、或具有下述式(2)所示的取代基的重均分子量为300以上且小于800的化合物；以及溶剂，相对于除去该溶剂后的固体成分，含有上述式(1a)或式(1b)所示的化合物0.1质量％～60质量％，或含有具有上述式(2)所示的取代基的化合物10质量％～100质量％。(式中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基或亚烯基、或直接结合，k表示0或1，m表示1～3的整数，n表示2～4的整数。)
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