公开(公告)号：CN119365829A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202380047369.5

申请日：2023-06-02

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  光武祐希 ,  香西纯

IPC: G03F7/11 ,  C08G16/00 ,  C08G61/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

Abstract: 提供除了耐蚀刻性、耐热性以外，还使固化性、产生的升华物的量、膜厚的面内均匀性、平坦化性、埋入性等各种其它各特性满足的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，是包含酚醛清漆树脂和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，酚醛清漆树脂包含具有芳香族环的单元结构A，该单元结构A包含下述式(A)所示的、作为2个氮杂芳基稠环通过连接基L而结合了的结构单元的一种或二种以上双(氮杂芳基稠环)结构单元；使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法和半导体装置的制造方法。#imgabs0#

公开(公告)号：CN109563234B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201780047436.8

申请日：2017-07-31

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  远藤贵文 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: C08G59/14 ,  C08G59/68 ,  G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供用于在基板上形成具有平坦化性的被膜的光固化性组合物，其对图案的填充性高，能够形成不发生热收缩的涂膜。解决手段是一种光固化性组合物，其包含：包含光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构、和烃结构的至少1个化合物；以及溶剂。上述化合物为分子内具有1个以上光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构的化合物。上述化合物为光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构、和烃结构存在于同一分子内的化合物，或者上述化合物为光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构、和烃结构分别存在于不同分子间的化合物的组合。烃结构为碳原子数1～40的饱和或不饱和，且为直链、支链或环状的烃基。光分解性含氮结构包含通过紫外线照射而产生的反应性含氮官能团或反应性含碳官能团，光分解性含硫结构为包含通过紫外线照射而产生的有机硫自由基、或碳自由基的结构。

公开(公告)号：CN111742020B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201880089915.0

申请日：2018-12-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  德永光 ,  石桥谦 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: C09D183/04 ,  C08G77/04 ,  C08G59/68 ,  C09D183/08 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明的课题是提供下述光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其在高低差基板上在不需要将含硅被覆膜在高温下固化烧成的情况下进行光固化，从而不会使存在于下层的进行了光固化的有机下层膜的平坦化恶化，因此在平坦化性高的有机下层膜上形成平坦化性高的含硅被覆膜，在其上层被覆抗蚀剂，从而对抑制层界面的漫反射、抑制蚀刻后的高低差产生是有效的。解决手段是一种光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其包含水解性硅烷、其水解物、或其水解缩合物，该水解性硅烷包含式(1)(在式(1)中，R1为与光交联有关的官能团。)的水解性硅烷。一种光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其用于在制造半导体装置的光刻工序中在基板上的有机下层膜与抗蚀剂膜的中间层形成通过紫外线照射而固化的含硅被覆膜。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。

公开(公告)号：CN114503033A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080070957.7

申请日：2020-10-01

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  服部隼人 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  C08G8/04 ,  C08G6/00

Abstract: 提供用于形成不溶于抗蚀剂溶剂、光学常数良好、可以适当调整蚀刻速率的抗蚀剂下层膜，并且对高低差基板的埋入性和平坦化性优异的组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：(A)下述式(I)所示的交联性化合物；以及(D)溶剂。[式中，n为2～6的整数，n个Z各自独立地为包含单甲酰基芳基、二甲酰基芳基、三甲酰基芳基、四甲酰基芳基、五甲酰基芳基或六甲酰基芳基的1价有机基，n个A各自独立地表示‑OCH2CH(OH)CH2O‑、或(BB)，T为可以被羰基和/或氧原子中断的n价烃基以及/或聚合物的重复单元，且T可以具有选自羟基、环氧基、酰基、乙酰基、苯甲酰基、羧基、羰基、氨基、亚氨基、氰基、偶氮基、叠氮基、硫醇基、磺基和烯丙基中的至少一个基团。]

公开(公告)号：CN113544586A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202080019762.X

申请日：2020-03-05

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  德永光 ,  西卷裕和 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供涂布于基板，然后通过将其加热的工序来表现高回流性，即使在高低差基板上也可以平坦地涂布，可以形成平坦化膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是，本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物是下述抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有式(1)所示的重复结构单元和/或式(2)所示的重复单元的共聚物、和有机溶剂。(在式(1)和式(2)中，R1表示式(3)所示的官能团，在式(3)中，Q1和Q2各自独立地表示氢原子或碳原子数1～5的烷基、＊表示与氧原子的结合端，在式(2)中，X1表示碳原子数1～50的有机基、i和j各自独立地表示0或1。)

公开(公告)号：CN109952631A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201780056169.0

申请日：2017-09-15

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 桥本雄人 ,  德永光 ,  绪方裕斗 ,  大桥智也 ,  境田康志 ,  岸冈高广

IPC: H01L21/306 ,  C08G59/62 ,  C08G65/28 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。解决手段是一种针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1a)所示的化合物、式(1b)所示的化合物、具有下述式(2)所示的取代基的分子量为300以上且小于800的化合物、或具有下述式(2)所示的取代基的重均分子量为300以上且小于800的化合物；以及溶剂，相对于除去该溶剂后的固体成分，含有上述式(1a)或式(1b)所示的化合物0.1质量％～60质量％，或含有具有上述式(2)所示的取代基的化合物10质量％～100质量％。(式中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基或亚烯基、或直接结合，k表示0或1，m表示1～3的整数，n表示2～4的整数。)

公开(公告)号：CN118884778A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411132916.2

申请日：2018-08-08

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  德永光

IPC: G03F7/004 ,  C09D163/10 ,  C09D4/02 ,  G03F7/012 ,  G03F7/027 ,  G03F7/038 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明的课题是提供使用高低差基板被覆用组合物制造被覆基板的制造方法和制造半导体装置的制造方法。所述光固化性高低差基板被覆用组合物，其包含：包含部分结构(I)和部分结构(II)的化合物(E)；溶剂(F)；以及交联性化合物(H)，并且该部分结构(II)包含通过环氧基与产质子化合物的反应而产生的羟基，该部分结构(I)为选自下述式(1‑1)～式(1‑5)中的至少一种部分结构、或由式(1‑6)与式(1‑7)或式(1‑8)的组合构成的部分结构，部分结构(II)为下述式(2‑1)或式(2‑2)的部分结构。化合物(E)中，以成为0≤(环氧基)/(羟基)≤0.5的摩尔比包含环氧基和羟基，使部分结构(II)为0.01≤(部分结构(II))/(部分结构(I)+部分结构(II))≤0.8的摩尔比。#imgabs0#

公开(公告)号：CN118786391A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202380024074.6

申请日：2023-02-06

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 光武祐希 ,  德永光

IPC: G03F7/11 ,  C08G61/12 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供用于在半导体装置制造的光刻工艺中使用的具备耐热性的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含具有下述式(I)或式(I’)(在式(I)或式(I’)中，n1、n2和n3为0，并且环A和环B为苯环或萘环，D表示包含下述式(II)和/或式(III)所示的结构的二价有机基)所示的单元结构的聚合物。半导体装置的制造方法，包含：通过上述抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成下层膜的工序；在上述下层膜上形成硬掩模的工序；进一步在上述硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子射线的照射与显影而形成抗蚀剂图案的工序；通过抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序；通过被图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序；以及通过被图案化了的下层膜对半导体基板进行加工的工序。#imgabs0#

公开(公告)号：CN117321502A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280035039.X

申请日：2022-05-16

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤雅久 ,  服部隼人 ,  德永光

IPC: G03F7/11

Abstract: 提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物(X)、以及溶剂，所述聚合物(X)包含具有羟基甲基和ROCH2‑基(R为一价有机基、或它们的混合)的相同或不同的多个结构单元、和将上述多个结构单元连接的连接基。

公开(公告)号：CN110546568B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201880024514.7

申请日：2018-04-11

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  德永光 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的等离子体固化性高低差基板被覆膜形成用组合物。解决手段是一种等离子体固化性高低差基板被覆膜形成用组合物，其包含化合物(E)和溶剂(F)，所述化合物(E)包含选自下述式(1‑1)～式(1‑7)所示的部分结构(I)中的至少一种结构。(式中，R1、R1a、R3、R5a和R6a各自独立地表示碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数6～40的亚芳基(该亚烷基和亚芳基可以任意地被1个或2个以上酰胺基或氨基取代)、氧原子、羰基、硫原子、‑C(O)‑NRa‑、‑NRb‑或由它们的组合形成的2价基团，R5各自独立地表示氮原子、或由氮原子与选自碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数6～40的亚芳基(该亚烷基和亚芳基可以任意地被1个或2个以上酰胺基或氨基取代)、氧原子、羰基、硫原子、‑C(O)‑NRa‑和‑NRb‑中的至少一个以上基团的组合形成的3价基团，R2、R2a、R4、和R6各自独立地表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、或由氢原子与选自碳原子数1～10的亚烷基、氧原子、羰基、‑C(O)‑NRa‑和‑NRb‑中的至少一个以上基团的组合形成的1价基团，Ra表示氢原子或碳原子数1～10的烷基，Rb表示氢原子、碳原子数1～10的烷基或碳原子数1～10的烷基羰基，n表示1～10的重复单元数，并且虚线表示与相邻原子结合的化学键。)#imgabs0#