公开(公告)号：CN111758075B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN201980014513.9

申请日：2019-02-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 西卷裕和 ,  齐藤大悟 ,  柄泽凉 ,  桥本圭祐

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供形成下述抗蚀剂下层膜的组合物，上述抗蚀剂下层膜在将光致抗蚀剂组合物、不同的抗蚀剂下层膜叠层时不容易发生混合，通过提高聚合物的热回流性从而改善了烧成时对图案的填充性。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含含有结构基(C)的酚醛清漆树脂，上述结构基(C)通过包含至少2个氨基和至少3个碳原子数6～40的芳香族环的芳香族化合物(A)的芳香族环、与芳香族乙烯基化合物(B)的乙烯基反应而形成。上述结构基(C)为下述式(1)，[在式(1)中，R1为包含至少2个氨基和至少3个碳原子数6～40的芳香族环的2价基团。]。上述R1为从下述式(2)所示的化合物的芳香族环中除去2个氢原子后的2价有机基。上述R1为从N,N’‑二苯基‑1,4‑苯二胺的芳香族环中除去2个氢原子后的2价有机基。#imgabs0#

公开(公告)号：CN110832397B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN201880045397.2

申请日：2018-07-12

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 齐藤大悟 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/20 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 1～3，n 为整数2～5，n 为整数0～3，n 为整数0一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在 ～3，它们具有3≤(n12+n13+n14+n15)≤6的关系。于，包含(A)下述式(1)所示的化合物、和(B)下述 n16为整数1～3，n17为整数1～4，n18为整数0～3，式(2‑1)或下述式(2‑2)所示的交联性化合物。 n19为整数0～3，它们具有2≤(n16+n17+n18+n19)≤1 12(在式(1)中，R各自独立地为碳原子数1～30的2 5的关系。m 为整数2～10。)价基团，R2～R7各自独立地为碳原子数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数6～10的芳基、碳原子数2～10的烯基、硫醇基或羟基，R52 3 6的至少1个为羟基或硫醇基，m、m和m各自独立地为整数0～9，m4和m7各自独立地为整数0～8，m5为整数1～9，n为整数0～4，p2～p7各自独立地为整数0～2。)(在式(2‑1)和式(2‑2)中，Q1为单键12 12 15或m 价的有机基，R 和R 各自独立地为碳原子数2～10的烷基或具有碳原子数1～10的烷氧基

公开(公告)号：CN109563234B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201780047436.8

申请日：2017-07-31

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  远藤贵文 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: C08G59/14 ,  C08G59/68 ,  G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供用于在基板上形成具有平坦化性的被膜的光固化性组合物，其对图案的填充性高，能够形成不发生热收缩的涂膜。解决手段是一种光固化性组合物，其包含：包含光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构、和烃结构的至少1个化合物；以及溶剂。上述化合物为分子内具有1个以上光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构的化合物。上述化合物为光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构、和烃结构存在于同一分子内的化合物，或者上述化合物为光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构、和烃结构分别存在于不同分子间的化合物的组合。烃结构为碳原子数1～40的饱和或不饱和，且为直链、支链或环状的烃基。光分解性含氮结构包含通过紫外线照射而产生的反应性含氮官能团或反应性含碳官能团，光分解性含硫结构为包含通过紫外线照射而产生的有机硫自由基、或碳自由基的结构。

公开(公告)号：CN111742020B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201880089915.0

申请日：2018-12-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  德永光 ,  石桥谦 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: C09D183/04 ,  C08G77/04 ,  C08G59/68 ,  C09D183/08 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明的课题是提供下述光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其在高低差基板上在不需要将含硅被覆膜在高温下固化烧成的情况下进行光固化，从而不会使存在于下层的进行了光固化的有机下层膜的平坦化恶化，因此在平坦化性高的有机下层膜上形成平坦化性高的含硅被覆膜，在其上层被覆抗蚀剂，从而对抑制层界面的漫反射、抑制蚀刻后的高低差产生是有效的。解决手段是一种光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其包含水解性硅烷、其水解物、或其水解缩合物，该水解性硅烷包含式(1)(在式(1)中，R1为与光交联有关的官能团。)的水解性硅烷。一种光固化性含硅被覆膜形成用组合物，其用于在制造半导体装置的光刻工序中在基板上的有机下层膜与抗蚀剂膜的中间层形成通过紫外线照射而固化的含硅被覆膜。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。

公开(公告)号：CN109154778A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780030002.7

申请日：2017-05-02

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 西卷裕和 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/00 ,  G03F7/16 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：具有下述式(1a)和/或式(1b)所示的重复结构单元的聚合物、和溶剂。[式(1a)和(1b)中，2个R1各自独立地表示烷基、烯基、芳香族烃基、卤原子、硝基或氨基，2个R2各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、缩醛基、酰基或缩水甘油基，R3表示可以具有取代基的芳香族烃基或杂环基，R4表示氢原子、苯基或萘基，2个k各自独立地表示0或1，m表示3～500的整数，p表示3～500的整数，X表示苯环，与该苯环结合的2个-C(CH3)2-基处于间位或对位的关系。]

公开(公告)号：CN117539127A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311485456.7

申请日：2018-01-09

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  滨田聪志 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  C08G12/34

Abstract: 本发明提供兼具高蚀刻耐性、高耐热性和良好的涂布性的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及其制造方法、抗蚀剂图案的形成方法、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物、和作为溶剂的式(1)(式(1)中的R1、R2和R3各自表示氢原子、可以被氧原子、硫原子或酰胺键中断的碳原子数1～20的烷基，R1、R2和R3彼此可以相同也可以不同，可以彼此结合而形成环结构。)所示的化合物。将该组合物在可以具有高低差的半导体基板上进行涂布、烧成而形成抗蚀剂下层膜，在该抗蚀剂下层膜上任意选择地经由无机抗蚀剂下层膜而形成抗蚀剂膜，通过光或电子射线的照射与显影来形成抗蚀剂图案，按照抗蚀剂图案对下层膜等进行蚀刻，按照被图案化了的下层膜对半导体基板进行加工来制造半导体装置。

公开(公告)号：CN111095107B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201880059291.8

申请日：2018-09-12

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  远藤贵文 ,  绪方裕斗 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/28 ,  C09D163/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆组合物。解决手段是一种高低差基板被覆组合物，是包含下述主剂和溶剂且能够通过光照射而固化的组合物、或能够通过在光照射过程中或者在光照射后在30℃～300℃下加热而固化的高低差基板被覆组合物，上述主剂包含下述化合物(A)、化合物(B)、或它们的混合物，化合物(A)为包含下述式(A‑1)或式(A‑2)的结构部分的化合物，化合物(B)为包含选自下述式(B‑1)～式(B‑5)所示的结构部分中的至少一个结构部分，或包含由式(B‑6)所示的结构部分与式(B‑7)所示的结构部分的组合构成的结构部分的化合物，或包含由式(B‑6)所示的结构部分与式(B‑8)所示的结构部分的组合构成的结构部分的化合物，该组合物的固体成分中上述主剂的含量为95质量％～100质量％。#imgabs0#

公开(公告)号：CN110192152B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201880006868.9

申请日：2018-01-09

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  滨田聪志 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G12/34 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供兼具高蚀刻耐性、高耐热性和良好的涂布性的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及其制造方法、抗蚀剂图案的形成方法、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物、和作为溶剂的式(1)(式(1)中的R1、R2和R3各自表示氢原子、可以被氧原子、硫原子或酰胺键中断的碳原子数1～20的烷基，R1、R2和R3彼此可以相同也可以不同，可以彼此结合而形成环结构。)所示的化合物。将该组合物在可以具有高低差的半导体基板上进行涂布、烧成而形成抗蚀剂下层膜，在该抗蚀剂下层膜上任意选择地经由无机抗蚀剂下层膜而形成抗蚀剂膜，通过光或电子射线的照射与显影来形成抗蚀剂图案，按照抗蚀剂图案对下层膜等进行蚀刻，按照被图案化了的下层膜对半导体基板进行加工来制造半导体装置。#imgabs0#

公开(公告)号：CN109643065B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201780053181.6

申请日：2017-08-28

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 齐藤大悟 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G12/08 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成兼具耐热性、平坦化性、和耐蚀刻性的光刻工序所使用的抗蚀剂下层膜的材料。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：包含下述式(1)(在式(1)中，R1为包含至少2个胺和至少3个碳原子数6～40的芳香族环的有机基，R2和R3分别为氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基、杂环基、或它们的组合，并且，该烷基、该芳基、该杂环基可以被卤基、硝基、氨基、甲酰基、烷氧基、或羟基取代，或者R2和R3可以一起形成环)所示的单元结构的聚合物。上述组合物中，R1为由N,N’‑二苯基‑1,4‑苯二胺衍生的2价有机基。

公开(公告)号：CN112470076A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201980048174.6

申请日：2019-07-19

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 西卷裕和 ,  中岛诚 ,  桥本圭祐

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/00 ,  C08G8/20 ,  C08G12/08 ,  C08G12/26 ,  H01L21/027

Abstract: 包含附加了下式(1)所示的基团的聚合物。(在式(1)中，Rx、Sy和Sz各自独立地为氢原子或一价有机基，Ry和Rz各自独立地为单键或二价有机基，环Ary和环Arz各自独立地为碳原子数4～20的环状烷基或碳原子数6～30的芳基，并且，可以彼此结合而在环Ary和环Arz之间形成新的环，ny为0以上并且为能够在环Ary上取代的最大数以下的整数，nz为0以上并且为能够在环Arz上取代的最大数以下的整数，※为与聚合物的结合位置。)