公开(公告)号：CN111758075B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN201980014513.9

申请日：2019-02-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 西卷裕和 ,  齐藤大悟 ,  柄泽凉 ,  桥本圭祐

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供形成下述抗蚀剂下层膜的组合物，上述抗蚀剂下层膜在将光致抗蚀剂组合物、不同的抗蚀剂下层膜叠层时不容易发生混合，通过提高聚合物的热回流性从而改善了烧成时对图案的填充性。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含含有结构基(C)的酚醛清漆树脂，上述结构基(C)通过包含至少2个氨基和至少3个碳原子数6～40的芳香族环的芳香族化合物(A)的芳香族环、与芳香族乙烯基化合物(B)的乙烯基反应而形成。上述结构基(C)为下述式(1)，[在式(1)中，R1为包含至少2个氨基和至少3个碳原子数6～40的芳香族环的2价基团。]。上述R1为从下述式(2)所示的化合物的芳香族环中除去2个氢原子后的2价有机基。上述R1为从N,N’‑二苯基‑1,4‑苯二胺的芳香族环中除去2个氢原子后的2价有机基。#imgabs0#

公开(公告)号：CN118103775A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280068542.5

申请日：2022-10-03

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 木村哲也 ,  西卷裕和

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明的课题是，本发明提供通过提高聚合物的热回流性从而改善烧成时对图案的填充性的抗蚀剂下层膜组合物、作为由该抗蚀剂下层膜组合物制成的涂布膜的烧成物的抗蚀剂下层膜、和包含形成该抗蚀剂下层膜的工序的半导体装置的制造方法。解决手段是本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物包含下述式(A)或式(B)所示的化合物、和溶剂。#imgabs0#

公开(公告)号：CN114174926A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080052220.2

申请日：2020-07-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  西卷裕和 ,  中岛诚 ,  光武祐希 ,  服部隼人

IPC: G03F7/11 ,  C08G61/12 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，即使对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物(A)与下述式(B)所示的化合物的反应生成物、和溶剂。(式中，X表示氧原子、或氮原子，Y表示单键、氧原子、或氮原子，X与Y也可以彼此结合而形成环，R1、R2、R3、和R4各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～8的环状烷基、或碳原子数6～10的芳香族基，R2仅在X为氮原子的情况下存在，R4仅在Y为氮原子的情况下存在。)

公开(公告)号：CN113544586A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202080019762.X

申请日：2020-03-05

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  德永光 ,  西卷裕和 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供涂布于基板，然后通过将其加热的工序来表现高回流性，即使在高低差基板上也可以平坦地涂布，可以形成平坦化膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是，本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物是下述抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有式(1)所示的重复结构单元和/或式(2)所示的重复单元的共聚物、和有机溶剂。(在式(1)和式(2)中，R1表示式(3)所示的官能团，在式(3)中，Q1和Q2各自独立地表示氢原子或碳原子数1～5的烷基、＊表示与氧原子的结合端，在式(2)中，X1表示碳原子数1～50的有机基、i和j各自独立地表示0或1。)

公开(公告)号：CN111316401A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880069448.5

申请日：2018-10-30

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 荻野浩司 ,  西卷裕和 ,  柄泽凉 ,  新城彻也 ,  上林哲 ,  森谷俊介 ,  奥野贵久

IPC: H01L21/304 ,  B32B7/023 ,  B32B7/06 ,  B32B27/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明是在支持体与被加工物之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层、用于通过切断等分离被加工物、或是用于进行晶片的背面研磨等加工的层叠体，该中间层至少含有与支持体侧接触的剥离层，剥离层含有能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂，本发明提供可以不进行机械加工就可以进行分离的材料和方法。本发明是支持体与晶片的电路面之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层的用于晶片背面研磨的层叠体，该中间层含有与晶片一侧接触的粘接层和与支持体侧接触的剥离层，剥离层能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂。剥离层的透光率在190nm～600nm的范围为1～90％。光吸收改性是酚醛清漆树脂的光分解。

公开(公告)号：CN109154778A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780030002.7

申请日：2017-05-02

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 西卷裕和 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/00 ,  G03F7/16 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：具有下述式(1a)和/或式(1b)所示的重复结构单元的聚合物、和溶剂。[式(1a)和(1b)中，2个R1各自独立地表示烷基、烯基、芳香族烃基、卤原子、硝基或氨基，2个R2各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、缩醛基、酰基或缩水甘油基，R3表示可以具有取代基的芳香族烃基或杂环基，R4表示氢原子、苯基或萘基，2个k各自独立地表示0或1，m表示3～500的整数，p表示3～500的整数，X表示苯环，与该苯环结合的2个-C(CH3)2-基处于间位或对位的关系。]

公开(公告)号：CN116057104A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202180057971.8

申请日：2021-08-03

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  中岛诚 ,  西卷裕和

IPC: C08G61/00

Abstract: 提供应对可以获得显示高的纯水接触角，对上层膜的密合性高，不易剥离的疏水性的下层膜，且涂布性良好这样的要求，并且，能够发挥对抗蚀剂下层膜所使用的药液也显示充分的耐性等其它良好的特性的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：溶剂；以及包含下述式(1)、和/或下述式(2)所示的单元结构(A)的聚合物。(式中，Ar1和Ar2各自表示苯环、或萘环，Ar3表示可以包含氮原子的碳原子数6～60的芳香族化合物，R1、和R2各自为取代Ar1、和Ar2的环上的氢原子的基团，R3、和R8选自碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～10的炔基、碳原子数6～40的芳基、和它们的组合，R4、和R6选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基和杂环基，R5、和R7选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基和杂环基，n1和n2各自为0～3的整数，n3为1以上，并且为能够在Ar3上进行取代的取代基数以下的整数，n4为0或1，在n4为0时，R8与Ar3所包含的氮原子结合。)

公开(公告)号：CN115427891A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180026249.8

申请日：2021-03-18

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  广原知忠 ,  西卷裕和 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明的课题是提供对高低差基板也被覆良好、埋入后的膜厚差小、能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供成为该抗蚀剂下层膜形成用组合物的重要成分的聚合物、使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。解决手段是包含下述式(1)所示的化合物、和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。(式中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立地表示可以被取代的1价芳香族烃基，a、b、c、d各自为0或1，a+b+c+d＝1。)

公开(公告)号：CN108780279B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201780015881.6

申请日：2017-03-07

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  桥本圭祐 ,  西卷裕和 ,  田村护 ,  坂本力丸 ,  德永光

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供，能够形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆用组合物。作为解决方法是一种光固化性高低差基板被覆用组合物，其包含化合物(E)和溶剂(F)，上述化合物(E)包含部分结构(I)和部分结构(II)，并且该部分结构(II)包含通过环氧基与能够产生质子的化合物之间的反应而产生的羟基，该部分结构(I)为选自下述式(1‑1)～式(1‑5)中的至少一种、或是式(1‑6)与式(1‑7)或式(1‑8)的组合，部分结构(II)为下述式(2‑1)或式(2‑2)的部分结构。此外，关于上述组合物，在化合物(E)中，以0≤(环氧基)/(羟基)≤0.5的摩尔比包含环氧基和羟基，以0.01≤(部分结构(II))/(部分结构(I)+部分结构(II))≤0.8的摩尔比包含部分结构(II)。

公开(公告)号：CN114503032A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080070907.9

申请日：2020-10-05

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  西卷裕和 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供表现出高耐蚀刻性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，对所谓高低差基板被覆性也良好、埋入后的膜厚差小、可形成平坦膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。另外还提供使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(1)所示的部分结构的聚合物和溶剂。(式中，Ar表示可以被取代的碳原子数为6～20的芳香族基团)。