公开(公告)号：CN112513738B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN201980050814.7

申请日：2019-07-18

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  广原知忠 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/42

Abstract: 本申请的课题是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其用于形成能够在制造半导体装置的光刻工艺中很好地作为防反射膜和平坦化膜使用的抗蚀剂下层膜。解决手段是，一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有树脂、酸催化剂或其盐、以及溶剂，并且所述抗蚀剂下层膜形成用组合物不含有作为单体的交联剂，所述树脂具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基的重复结构单元和侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，或者具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基且侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，这些重复结构单元中不具有包含环氧环或氧杂环丁烷环的有机基，相对于该树脂100质量份，所述酸催化剂或其盐为0.1～10质量份，该酸催化剂为一元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa为‑0.5以下，或者该酸催化剂为多元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa1为‑0.5以下。

公开(公告)号：CN118369618A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202280081804.1

申请日：2022-12-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 广原知忠 ,  田村护

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/14 ,  G03F7/20

Abstract: 一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：含有下述式(A)所示的结构的聚合物、和溶剂。(在式(A)中，＊表示结合键。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN120019330A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202380072417.6

申请日：2023-11-16

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 水落龙太 ,  广原知忠 ,  田村护

IPC: G03F7/11 ,  C08F212/32 ,  C08F222/40 ,  H01L21/027

Abstract: 一种下层膜，是下层膜形成用组合物的涂布膜的烧成物，所述下层膜在使用了光致抗蚀剂膜和电子束抗蚀剂膜中的任一抗蚀剂膜以及自组装化膜的光刻中，在作为上述抗蚀剂膜的下层膜而被使用了后，进一步作为上述自组装化膜的下层膜而被使用，上述下层膜形成用组合物含有聚合物和交联剂，上述聚合物具有：具有多环芳香族结构的单元结构(A)和具有反应性基的单元结构(B)，上述交联剂具有能够与上述反应性基反应的官能团。

公开(公告)号：CN119604820A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202380056447.8

申请日：2023-08-02

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 井形航维 ,  绪方裕斗 ,  广原知忠

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物(A)、和溶剂，上述聚合物(A)在侧链具有选自碳‑碳双键、碳‑碳三键、碳‑氮双键、和碳‑氮三键中的一种或二种以上聚合性多重键。

公开(公告)号：CN116249729A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202180067677.5

申请日：2021-09-30

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 广原知忠 ,  清水祥 ,  田村护

IPC: C08G59/14

Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、以及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。本发明为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含末端被化合物(A)封闭的聚合物及有机溶剂，所述聚合物为由下述式(11)(式(11)中，Y1表示单键、氧原子、硫原子、可以被卤素原子或碳原子数6～40的芳基取代的碳原子数1～10的亚烷基或者磺酰基，T1及T2表示碳原子数1～10的烷基，n1及n2各自独立地表示0～4的整数)表示的化合物(B)衍生的聚合物。

公开(公告)号：CN118633058A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202380018297.1

申请日：2023-01-24

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 广原知忠 ,  绪方裕斗

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供可形成期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物制造抗蚀剂图案的方法、半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含有机溶剂和聚合物，所述聚合物在末端具有可被包含杂原子的基团中断、可被取代基取代的非环状脂肪族烃基。

公开(公告)号：CN116997860A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280017934.9

申请日：2022-03-15

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  水落龙太 ,  广原知忠 ,  田村护

IPC: G03F7/11

Abstract: 本发明提供用于形成能形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物，和使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案的制造方法、半导体装置的制造方法。抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：下述式(100)所示的化合物(A)与包含至少2个与环氧基具有反应性的基团的化合物(B)的反应生成物，以及溶剂(式(100)中，Ar1与Ar2各自独立地表示可具有取代基的碳原子数6～40的芳香环，且Ar1和Ar2的至少1个为萘环，L1表示单键、可具有取代基的碳原子数1～10的亚烷基或可具有取代基的碳原子数2～10的亚烯基，T1和T2各自独立地表示单键、酯键或醚键，E表示环氧基)。#imgabs0#

公开(公告)号：CN116745700A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202280011840.0

申请日：2022-01-26

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 加藤祐希 ,  广原知忠 ,  田村护

IPC: G03F7/11

Abstract: 本发明提供能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(I)表示的单元结构的聚合物、和溶剂，式(I)中，A1、A2、A3、A4、A5及A6各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q1表示2价的有机基团，R1表示包含碳原子数为6～40的芳香环结构的4价有机基团，L1及L2各自独立地表示氢原子、或可被羟基取代也可被氧原子中断的碳原子数为1～10的烷基。#imgabs0#

公开(公告)号：CN116194844A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202180063315.9

申请日：2021-09-02

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 光武祐希 ,  服部隼人 ,  广原知忠

IPC: G03F7/11

Abstract: 本发明提供可高效形成具有图案填充性和平坦化性的覆膜的高低差基板被覆用组合物。所述高低差基板被覆用组合物包含主剂化合物(A)、交联剂和溶剂，该化合物(A)是含有下述式(A‑1)(式中，虚线表示与芳香族环的键合，芳香族环为构成聚合物骨架的芳香族环或构成单体的芳香族环，n表示1～4的整数。)表示的部分结构的化合物。

公开(公告)号：CN115427891A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180026249.8

申请日：2021-03-18

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  广原知忠 ,  西卷裕和 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明的课题是提供对高低差基板也被覆良好、埋入后的膜厚差小、能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供成为该抗蚀剂下层膜形成用组合物的重要成分的聚合物、使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。解决手段是包含下述式(1)所示的化合物、和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。(式中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立地表示可以被取代的1价芳香族烃基，a、b、c、d各自为0或1，a+b+c+d＝1。)