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公开(公告)号：CN113795532B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202080033637.4
申请日：2020-05-01
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/40 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含在末端含有脂肪族环的聚合物，且进一步包含有机溶剂，所述脂肪族环的碳‑碳键可以被杂原子中断并且所述脂肪族环可以经取代基取代。上述脂肪族环为碳原子数3～10的单环式或多环式脂肪族环。上述多环式脂肪族环为二环或三环。
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公开(公告)号：CN117836718A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280057684.1
申请日：2022-08-17
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含含有下述式(1)表示的单元结构(A)的聚合物及溶剂。式(1)中，R1表示氢原子或碳原子数为1～10的烷基，L1表示选自碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～40的芳基、及1价杂环基的1价有机基团。上述烷基、上述芳基及上述1价杂环基所具有的至少1个氢原子被卤素原子取代。上述烷基、上述芳基及上述1价杂环基所具有的至少1个氢原子可以被羟基取代。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116234852A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202180065966.1
申请日：2021-10-06
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/14
Abstract: 提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含溶解在溶剂中的、化合物(A)与化合物(B)与化合物(C)的反应生成物，上述化合物(A)为下述式(1)(在式(1)中，A表示包含脂肪族环、芳香族环或杂环的有机基)所示的化合物，上述化合物(B)具有与环氧基具有反应性的2个官能团，上述化合物(C)具有与环氧基具有反应性的1个官能团。
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公开(公告)号：CN115916861B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202180051243.6
申请日：2021-08-20
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、以及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(1)表示的化合物、聚合物和有机溶剂。(式(1)中，Y1表示单键、氧原子、硫原子、可以被卤素原子或碳原子数6～40的芳基取代的碳原子数1～10的亚烷基或者磺酰基，T1及T2表示碳原子数1～10的烷基，R1及R2各自独立地表示被至少1个羟基取代的碳原子数1～10的烷基，n1及n2各自独立地表示0～4的整数)。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117043679A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280022136.5
申请日：2022-03-18
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其在包含杂环的聚合物的重复单元结构中或末端具有被保护基取代了的碱性的有机基，并进一步包含溶剂。上述聚合物可以含有包含碳原子数2～10的烯基的杂环。上述聚合物可以在主链具有下述式(3)所示的至少1种结构单元。(在式(3)中，A1、A2、A3、A4、A5和A6各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q1表示包含杂环的2价有机基，m1和m2各自独立地表示0或1。)#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116249729A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180067677.5
申请日：2021-09-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/14
Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、以及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。本发明为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含末端被化合物(A)封闭的聚合物及有机溶剂，所述聚合物为由下述式(11)(式(11)中，Y1表示单键、氧原子、硫原子、可以被卤素原子或碳原子数6～40的芳基取代的碳原子数1～10的亚烷基或者磺酰基，T1及T2表示碳原子数1～10的烷基，n1及n2各自独立地表示0～4的整数)表示的化合物(B)衍生的聚合物。
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公开(公告)号：CN115066654A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202180011243.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , C08F20/28
Abstract: 提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含在末端含有下述式(1)(在式(1)中，X1表示‑O‑、‑S‑、酯键或酰胺键，R1表示可以被卤原子取代的碳原子数1～20的烷基。*表示与聚合物末端的结合部分。)所示的结构的聚合物、和有机溶剂。＊‑X1‑R1(1)。
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公开(公告)号：CN115916861A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180051243.6
申请日：2021-08-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/18
Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、以及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(1)表示的化合物、聚合物和有机溶剂。(式(1)中，Y1表示单键、氧原子、硫原子、可以被卤素原子或碳原子数6～40的芳基取代的碳原子数1～10的亚烷基或者磺酰基，T1及T2表示碳原子数1～10的烷基，R1及R2各自独立地表示被至少1个羟基取代的碳原子数1～10的烷基，n1及n2各自独立地表示0～4的整数)
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公开(公告)号：CN115053184A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202180013074.7
申请日：2021-02-05
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027 , C08F8/30
Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。所述组合物为(甲基)丙烯酸类聚合物的侧链具有被保护基取代的碱性有机基团，而且还包含有机溶剂的EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中不包含上述(甲基)丙烯酸类聚合物以外的聚合物。上述有机基团为具有被保护基取代的氨基或被保护基取代的含氮杂环的酰氧基。
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公开(公告)号：CN112789556B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN201980064842.4
申请日：2019-10-01
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/22 , C08G59/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、以及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物和有机溶剂，上述聚合物在聚合物链的末端具有下述式(1)或式(2)所示的结构。(在上述式(1)和式(2)中，X为2价有机基，A为碳原子数6～40的芳基，R1为卤原子、碳原子数1～40的烷基或碳原子数1～40的烷氧基，R2和R3各自独立地为氢原子、可以被取代的碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基或卤原子，n1和n3各自独立地为整数1～12，n2为整数0～11。)#imgabs0#
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