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公开(公告)号：CN115702204A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180042431.2
申请日：2021-06-10
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08L27/20 , B32B27/00 , B32B27/30 , C08K5/56 , C09J183/04 , C09J201/00 , H01L21/02 , C08K3/04 , C08K3/22 , C09J7/40 , B32B7/06
Abstract: 一种层叠体，其特征在于，具备：半导体基板；支承基板，透射紫外线；以及粘接层和剥离层，设于半导体基板与支承基板之间，上述剥离层为由剥离剂组合物得到的膜，所述剥离剂组合物包含：含叔丁氧羰基的乙烯性不饱和单体的聚合物、光致酸产生剂以及溶剂。
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公开(公告)号：CN115335971A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180024052.0
申请日：2021-03-22
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/24
Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括：使用含有包含碳原子数8～10的直链状脂肪族饱和烃化合物的溶剂且不含盐的剥离用组合物，将半导体基板上的粘接层剥离的工序，使用直链状烃化合物作为上述碳原子数8～10的直链状脂肪族饱和烃化合物。
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公开(公告)号：CN115176331A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202180015776.9
申请日：2021-02-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/02 , C09J183/04 , C09J201/00 , C09K3/00 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种层叠体，其特征在于，具备：由半导体基板构成的第一基体、由透光性的支承基板构成的第二基体、以及在上述第一基体与上述第二基体之间的粘接层和剥离层，上述剥离层为由如下剥离剂组合物得到的膜，所述剥离剂组合物包含产酸剂和酸中的至少任一者、式(P)所示的多核酚衍生物以及交联剂。(式中，Ar表示亚芳基。)
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公开(公告)号：CN114174926A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080052220.2
申请日：2020-07-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G61/12 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，即使对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物(A)与下述式(B)所示的化合物的反应生成物、和溶剂。(式中，X表示氧原子、或氮原子，Y表示单键、氧原子、或氮原子，X与Y也可以彼此结合而形成环，R1、R2、R3、和R4各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～8的环状烷基、或碳原子数6～10的芳香族基，R2仅在X为氮原子的情况下存在，R4仅在Y为氮原子的情况下存在。)
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公开(公告)号：CN113544586A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080019762.X
申请日：2020-03-05
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供涂布于基板，然后通过将其加热的工序来表现高回流性，即使在高低差基板上也可以平坦地涂布，可以形成平坦化膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是，本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物是下述抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有式(1)所示的重复结构单元和/或式(2)所示的重复单元的共聚物、和有机溶剂。(在式(1)和式(2)中，R1表示式(3)所示的官能团，在式(3)中，Q1和Q2各自独立地表示氢原子或碳原子数1～5的烷基、＊表示与氧原子的结合端，在式(2)中，X1表示碳原子数1～50的有机基、i和j各自独立地表示0或1。)
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公开(公告)号：CN110366768A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201880014924.3
申请日：2018-02-28
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/02 , C09D179/08 , C09D201/00
Abstract: 提供在半导体装置制造工序中用于将在基板上形成的异物除去的简便方法，提供在这样的方法中使用的用于异物除去的涂膜形成用组合物。在半导体基板上，优选使用包含由(a)四羧酸二酐化合物和(b)具有至少一个羧基的二胺化合物制造的聚酰胺酸、或由(a)四羧酸二酐化合物、(b)具有至少一个羧基的二胺化合物、和(c)二胺化合物制造的聚酰胺酸的组合物在基板上形成涂膜后，将在涂膜上存在的异物利用显影液处理而与涂膜一起除去。
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公开(公告)号：CN109952631A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201780056169.0
申请日：2017-09-15
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/306 , C08G59/62 , C08G65/28 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。解决手段是一种针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1a)所示的化合物、式(1b)所示的化合物、具有下述式(2)所示的取代基的分子量为300以上且小于800的化合物、或具有下述式(2)所示的取代基的重均分子量为300以上且小于800的化合物；以及溶剂，相对于除去该溶剂后的固体成分，含有上述式(1a)或式(1b)所示的化合物0.1质量％～60质量％，或含有具有上述式(2)所示的取代基的化合物10质量％～100质量％。(式中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基或亚烯基、或直接结合，k表示0或1，m表示1～3的整数，n表示2～4的整数。)
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公开(公告)号：CN112513738B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201980050814.7
申请日：2019-07-18
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本申请的课题是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其用于形成能够在制造半导体装置的光刻工艺中很好地作为防反射膜和平坦化膜使用的抗蚀剂下层膜。解决手段是，一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有树脂、酸催化剂或其盐、以及溶剂，并且所述抗蚀剂下层膜形成用组合物不含有作为单体的交联剂，所述树脂具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基的重复结构单元和侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，或者具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基且侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，这些重复结构单元中不具有包含环氧环或氧杂环丁烷环的有机基，相对于该树脂100质量份，所述酸催化剂或其盐为0.1～10质量份，该酸催化剂为一元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa为‑0.5以下，或者该酸催化剂为多元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa1为‑0.5以下。
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公开(公告)号：CN118355328A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280078721.7
申请日：2022-12-08
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 一种抗蚀剂下层膜，是作为抗蚀剂下层膜形成用组合物的涂布膜的烧成物的、抗蚀剂下层膜，上述抗蚀剂下层膜形成用组合物含有聚合物，上述聚合物含有：具有多环芳香族烃结构的单元结构(A)、和来源于马来酰亚胺结构的单元结构(B)中的至少任一单元结构，上述抗蚀剂下层膜的膜厚小于10nm。
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公开(公告)号：CN109952631B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201780056169.0
申请日：2017-09-15
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/306 , C08G59/62 , C08G65/28 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。解决手段是一种针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1a)所示的化合物、式(1b)所示的化合物、具有下述式(2)所示的取代基的分子量为300以上且小于800的化合物、或具有下述式(2)所示的取代基的重均分子量为300以上且小于800的化合物；以及溶剂，相对于除去该溶剂后的固体成分，含有上述式(1a)或式(1b)所示的化合物0.1质量％～60质量％，或含有具有上述式(2)所示的取代基的化合物10质量％～100质量％。(式中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基或亚烯基、或直接结合，k表示0或1，m表示1～3的整数，n表示2～4的整数。)
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