公开(公告)号：CN116997861A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280021830.5

申请日：2022-03-09

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 服部隼人 ,  远藤雅久 ,  光武祐希 ,  西卷裕和

IPC: G03F7/11

Abstract: [课题]本发明的目的是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其即使针对高低差基板也能形成被覆性良好、埋入后的膜厚差小、平坦并且具有更优异的硬度的膜。[解决手段]含有具有式(1)、式(2)、式(3)和式(4)(省略)所表示的重复单元中的至少一种重复单元的聚合物及溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物具有高耐蚀刻性、良好的干式蚀刻速度比和光学常数，进而，即使针对高低差基板也能形成被覆性良好、埋入后的膜厚差小、平坦并且具有更优异的硬度的膜，可达成更微细的基板加工。

公开(公告)号：CN116194844A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202180063315.9

申请日：2021-09-02

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 光武祐希 ,  服部隼人 ,  广原知忠

IPC: G03F7/11

Abstract: 本发明提供可高效形成具有图案填充性和平坦化性的覆膜的高低差基板被覆用组合物。所述高低差基板被覆用组合物包含主剂化合物(A)、交联剂和溶剂，该化合物(A)是含有下述式(A‑1)(式中，虚线表示与芳香族环的键合，芳香族环为构成聚合物骨架的芳香族环或构成单体的芳香族环，n表示1～4的整数。)表示的部分结构的化合物。

公开(公告)号：CN119365829A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202380047369.5

申请日：2023-06-02

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  光武祐希 ,  香西纯

IPC: G03F7/11 ,  C08G16/00 ,  C08G61/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

Abstract: 提供除了耐蚀刻性、耐热性以外，还使固化性、产生的升华物的量、膜厚的面内均匀性、平坦化性、埋入性等各种其它各特性满足的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，是包含酚醛清漆树脂和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，酚醛清漆树脂包含具有芳香族环的单元结构A，该单元结构A包含下述式(A)所示的、作为2个氮杂芳基稠环通过连接基L而结合了的结构单元的一种或二种以上双(氮杂芳基稠环)结构单元；使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法和半导体装置的制造方法。#imgabs0#

公开(公告)号：CN114174926A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080052220.2

申请日：2020-07-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  西卷裕和 ,  中岛诚 ,  光武祐希 ,  服部隼人

IPC: G03F7/11 ,  C08G61/12 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，即使对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物(A)与下述式(B)所示的化合物的反应生成物、和溶剂。(式中，X表示氧原子、或氮原子，Y表示单键、氧原子、或氮原子，X与Y也可以彼此结合而形成环，R1、R2、R3、和R4各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～8的环状烷基、或碳原子数6～10的芳香族基，R2仅在X为氮原子的情况下存在，R4仅在Y为氮原子的情况下存在。)

公开(公告)号：CN118786391A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202380024074.6

申请日：2023-02-06

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 光武祐希 ,  德永光

IPC: G03F7/11 ,  C08G61/12 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供用于在半导体装置制造的光刻工艺中使用的具备耐热性的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含具有下述式(I)或式(I’)(在式(I)或式(I’)中，n1、n2和n3为0，并且环A和环B为苯环或萘环，D表示包含下述式(II)和/或式(III)所示的结构的二价有机基)所示的单元结构的聚合物。半导体装置的制造方法，包含：通过上述抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成下层膜的工序；在上述下层膜上形成硬掩模的工序；进一步在上述硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子射线的照射与显影而形成抗蚀剂图案的工序；通过抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序；通过被图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序；以及通过被图案化了的下层膜对半导体基板进行加工的工序。#imgabs0#

公开(公告)号：CN116635442A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180086546.1

申请日：2021-12-16

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤雅久 ,  服部隼人 ,  光武祐希 ,  西卷裕和

IPC: C08G10/02

Abstract: 本发明的课题是提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，能够形成对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，平坦且进一步具有优异的硬度的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(1)或式(2)所示的化合物与下述式(3)所示的化合物的反应生成物、和溶剂。
OHC‑X‑CHO (3)。