公开(公告)号：CN116891572A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310302956.6

申请日：2023-03-27

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 香西纯 ,  谷口博昭

IPC: C08G77/00 ,  C08G77/60

Abstract: 本发明提供不产生新的金属的污染，能够从聚硅烷化合物高效率地除去金属的聚硅烷化合物的精制方法。此外，提供从通过现有方法除去了金属成分的聚硅烷化合物，可以进一步显著地减少金属成分的含量的聚硅烷化合物的精制方法。进一步，提供显著减少了金属成分的含量的高纯度的聚硅烷化合物。解决手段是一种聚硅烷化合物的精制法，其至少具有下述工序：准备工序，将包含金属杂质的聚硅烷化合物用至少1种具有酰胺基骨架的化合物进行稀释；以及金属除去工序，通过对被稀释了的聚硅烷化合物进行金属除去处理，将该金属杂质除去到体系外。

公开(公告)号：CN119365829A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202380047369.5

申请日：2023-06-02

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  光武祐希 ,  香西纯

IPC: G03F7/11 ,  C08G16/00 ,  C08G61/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

Abstract: 提供除了耐蚀刻性、耐热性以外，还使固化性、产生的升华物的量、膜厚的面内均匀性、平坦化性、埋入性等各种其它各特性满足的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，是包含酚醛清漆树脂和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，酚醛清漆树脂包含具有芳香族环的单元结构A，该单元结构A包含下述式(A)所示的、作为2个氮杂芳基稠环通过连接基L而结合了的结构单元的一种或二种以上双(氮杂芳基稠环)结构单元；使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法和半导体装置的制造方法。#imgabs0#