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公开(公告)号：CN111747980A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010228272.2
申请日：2020-03-27
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供通过用具有含有硫原子和氮原子的官能团的螯合树脂对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理，从而被精制烷氧基硅化合物对螯合树脂的吸附量少，并且能够使金属杂质减少的烷氧基化合物的精制方法以及烷氧基硅化合物。解决手段是用具有下述式(1-1)～(1-3)中的任一者所示的官能团的螯合树脂进行处理。(在式(1-1)～(1-3)中，＊表示与作为载体的树脂的结合端)。
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公开(公告)号：CN109563371B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201780049797.6
申请日：2017-08-28
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D183/04 , C08G77/38 , G03F7/038 , G03F7/075 , G03F7/40
Abstract: 本发明的课题是提供可以作为在被加工基板上形成平坦的膜而进行图案反转的被覆组合物、感光性组合物来利用的包含进行了缩醛保护的聚硅氧烷的组合物。解决手段是一种被覆组合物或感光性组合物，其包含聚硅氧烷，上述聚硅氧烷是将水解缩合物所具有的硅烷醇基进行缩醛保护而获得的，所述水解缩合物是分子内具有2～4个水解性基的水解性硅烷的水解缩合物，该水解缩合物的以Si‑C键与硅原子结合的有机基平均以0≤(该有机基)/(Si)≤0.29的摩尔比比例存在。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在半导体基板上形成抗蚀剂膜的工序(A)；将上述抗蚀剂膜曝光，在曝光后将抗蚀剂显影而获得抗蚀剂图案的工序(B)；在被图案化了的抗蚀剂膜上涂布本件被覆用组合物而埋入聚硅氧烷的工序(C)；使埋入的该聚硅氧烷固化后，对抗蚀剂膜进行蚀刻而将图案反转的工序(D)；使用聚硅氧烷膜对基板进行加工的工序(E)。
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公开(公告)号：CN111747980B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202010228272.2
申请日：2020-03-27
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供通过用具有含有硫原子和氮原子的官能团的螯合树脂对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理，从而被精制烷氧基硅化合物对螯合树脂的吸附量少，并且能够使金属杂质减少的烷氧基化合物的精制方法以及烷氧基硅化合物。解决手段是用具有下述式(1‑1)～(1‑3)中的任一者所示的官能团的螯合树脂进行处理。#imgabs0#(在式(1‑1)～(1‑3)中，＊表示与作为载体的树脂的结合端)
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公开(公告)号：CN111744462B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202010226786.4
申请日：2020-03-27
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: B01J20/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及用于将环氧树脂中的金属杂质除去的金属吸附剂以及金属除去方法。本发明在不使作为半导体制造工序所使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物而使用的环氧树脂吸附、改性的情况下，将金属杂质从溶解了被精制材料的组合物中除去，从而获得被高纯度化了的精制材料组合物。一种金属吸附剂，是包含具有凝胶型载体的含磺酰基阳离子性离子交换树脂(A)和螯合剂(B)的、用于将溶液中的金属杂质除去的金属吸附剂，该螯合剂(B)由包含硫脲基或硫脲#imgabs0#基的载体构成。上述溶液为含有水或有机溶剂的溶液。
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公开(公告)号：CN108885997B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201780013335.9
申请日：2017-02-10
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/312 , B05D7/24 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于将使用了含硅组合物的半导体基板平坦地被覆的方法。本发明提供一种聚硅氧烷被覆基板的制造方法，所述聚硅氧烷被覆基板是经过下述工序制造的：第一工序，将包含第一被覆用聚硅氧烷的第一被覆用聚硅氧烷组合物涂布于高低差基板上并进行烧成，从而制成第一聚硅氧烷被覆膜，以及，第二工序，将包含第二被覆用聚硅氧烷的第二被覆用聚硅氧烷组合物涂布于第一聚硅氧烷被覆膜上并进行烧成，从而制成第二聚硅氧烷被覆膜，所述第二被覆用聚硅氧烷与第一被覆用聚硅氧烷不同，上述第二聚硅氧烷被覆膜的Iso‑dense偏差为50nm以下，上述第一被覆用聚硅氧烷包含下述水解性硅烷原料的水解缩合物，所述水解性硅烷原料以在全部硅烷中成为0～50摩尔％的比例包含每一分子具有4个水解性基团的第一水解性硅烷，上述第二被覆用聚硅氧烷以相对于Si原子为30摩尔％以下的比例包含硅烷醇基，并且重均分子量为1,000～50,000。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108699389B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201780012899.0
申请日：2017-02-10
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D183/04 , G03F7/11 , C08G77/06 , C08G77/16
Abstract: 本发明提供高低差基板的平坦化用组合物。本发明提供了在有机图案上涂布的高低差基板平坦化用组合物，含有含水解性硅烷的水解缩合物的聚硅氧烷和溶剂，上述聚硅氧烷含有相对于Si原子为20摩尔％以下的硅醇基，上述聚硅氧烷的重均分子量为1000～50000。
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公开(公告)号：CN111801158A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201880090138.1
申请日：2018-12-25
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是将多价金属、多价金属离子、其带电性金属氧化物胶体粒子不是通过1种螯合树脂而是通过组合了特定螯合树脂的金属吸附剂从溶解或分散了待纯化材料的组合物中除去，获得被高纯度化了的纯化材料组合物。解决手段是一种金属吸附剂，是用于除去包含螯合剂(A)和螯合剂(B)的溶液中的金属杂质的金属吸附剂，螯合剂(A)为包含具有葡萄糖胺型官能团的载体的金属吸附剂，螯合剂(B)为包含具有巯基、硫脲基、氨基、衍生自三氮杂二环癸烯的基团、硫脲基、咪唑基、磺酸基、羟基、氨基乙酸基、酰胺肟基、氨基磷酸基、或它们的组合的载体的金属吸附剂。螯合剂(A)和螯合剂(B)的载体为二氧化硅、含有二氧化硅成分的物质、聚苯乙烯或交联化多孔质聚苯乙烯，上述溶液为含有水或有机溶剂的溶液。
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公开(公告)号：CN108885997A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780013335.9
申请日：2017-02-10
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/312 , B05D7/24 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: B05D7/24 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于将使用了含硅组合物的半导体基板平坦地被覆的方法。本发明提供一种聚硅氧烷被覆基板的制造方法，所述聚硅氧烷被覆基板是经过下述工序制造的：第一工序，将包含第一被覆用聚硅氧烷的第一被覆用聚硅氧烷组合物涂布于高低差基板上并进行烧成，从而制成第一聚硅氧烷被覆膜，以及，第二工序，将包含第二被覆用聚硅氧烷的第二被覆用聚硅氧烷组合物涂布于第一聚硅氧烷被覆膜上并进行烧成，从而制成第二聚硅氧烷被覆膜，所述第二被覆用聚硅氧烷与第一被覆用聚硅氧烷不同，上述第二聚硅氧烷被覆膜的Iso‑dense偏差为50nm以下，上述第一被覆用聚硅氧烷包含下述水解性硅烷原料的水解缩合物，所述水解性硅烷原料以在全部硅烷中成为0～50摩尔％的比例包含每一分子具有4个水解性基团的第一水解性硅烷，上述第二被覆用聚硅氧烷以相对于Si原子为30摩尔％以下的比例包含硅烷醇基，并且重均分子量为1,000～50,000。
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公开(公告)号：CN116891572A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310302956.6
申请日：2023-03-27
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供不产生新的金属的污染，能够从聚硅烷化合物高效率地除去金属的聚硅烷化合物的精制方法。此外，提供从通过现有方法除去了金属成分的聚硅烷化合物，可以进一步显著地减少金属成分的含量的聚硅烷化合物的精制方法。进一步，提供显著减少了金属成分的含量的高纯度的聚硅烷化合物。解决手段是一种聚硅烷化合物的精制法，其至少具有下述工序：准备工序，将包含金属杂质的聚硅烷化合物用至少1种具有酰胺基骨架的化合物进行稀释；以及金属除去工序，通过对被稀释了的聚硅烷化合物进行金属除去处理，将该金属杂质除去到体系外。
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公开(公告)号：CN109790414B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201780061137.X
申请日：2017-10-02
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G77/38 , C09D183/04 , B05D1/32 , B05D1/36 , B05D3/10 , B05D7/00 , B05D7/24 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供针对将在被加工基板上形成的抗蚀剂图案转印到下层而得的有机下层膜的图案，在填埋其图案间隙的同时，形成平坦的膜的图案反转用被覆组合物。解决课题的手段是，用于被覆在将抗蚀剂图案转印到下层而成的有机下层膜的图案上的被覆组合物，该被覆组合物包含水解性硅烷的水解缩合物的硅烷醇基与醇反应而得的聚硅氧烷，所述水解性硅烷是在总硅烷中，分子内具有4个水解性基的水解性硅烷为50摩尔％～100摩尔％的比例的水解性硅烷。水解性硅烷以式(1)：R1aSi(R2)4‑a表示，并且以50摩尔％～100摩尔％的比例包含式(1)中a为0的水解性硅烷，以0摩尔％～50摩尔％的比例包含a为1～2的水解性硅烷。醇是丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚或3‑甲氧基丁醇。
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