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公开(公告)号：CN117178231A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280027313.9
申请日：2022-04-25
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/09
Abstract: 在半导体装置制造工序中，在具有高低差的金属基板中，通过制成氧化金属(例如，氧化铜)与抗蚀剂下层膜的叠层结构来减少从基板的曝光反射率，从而减少抗蚀剂图案的驻波(由反射引起的不良状况)，在基板上获得良好的矩形的抗蚀剂图案。一种带有抗蚀剂图案的基板的制造方法，其包含下述工序：对表面包含金属的基板进行氧化处理，在基板表面形成金属氧化膜的工序；在上述金属氧化膜上涂布抗蚀剂并进行烘烤而形成抗蚀剂膜的工序；将被上述金属氧化膜和上述抗蚀剂被覆了的半导体基板曝光的工序；以及将曝光后的上述抗蚀剂膜显影，进行图案形成的工序。
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公开(公告)号：CN111744462A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010226786.4
申请日：2020-03-27
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: B01J20/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及用于将环氧树脂中的金属杂质除去的金属吸附剂以及金属除去方法。本发明在不使作为半导体制造工序所使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物而使用的环氧树脂吸附、改性的情况下，将金属杂质从溶解了被精制材料的组合物中除去，从而获得被高纯度化了的精制材料组合物。一种金属吸附剂，是包含具有凝胶型载体的含磺酰基阳离子性离子交换树脂(A)和螯合剂(B)的、用于将溶液中的金属杂质除去的金属吸附剂，该螯合剂(B)由包含硫脲基或硫脲 基的载体构成。上述溶液为含有水或有机溶剂的溶液。
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公开(公告)号：CN118339515A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280078449.2
申请日：2022-10-17
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 提供对主要作为有机溶剂的抗蚀剂溶剂、作为碱性水溶液的抗蚀剂显影液显示良好的耐性，同时对湿蚀刻药液显示良好的除去性(溶解性)的抗蚀剂下层膜。一种i射线用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：2官能以上的缩水甘油基酯型环氧树脂、与下述式(A)所示的化合物A的反应生成物；以及溶剂。(在式(A)中，R1表示氢原子、碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，X表示碳原子数1～10的烷基、羟基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数1～10的烷氧基羰基、卤原子、氰基或硝基或它们的组合，n表示0～4的整数。)#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115398343A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180026798.5
申请日：2021-03-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 提供保存稳定性高、膜的固化开始温度低、升华物的产生量少、可以形成不溶出于光致抗蚀剂溶剂的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成法、和半导体装置的制造方法。包含能够交联的树脂、交联剂、下述式(I)所示的交联催化剂、和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。(A‑SO3)‑(BH)+[式中，A为可以被取代的直链、支链、或环状的饱和或不饱和的脂肪族烃基、可以被除羟基以外的基团取代的芳基、或可以被取代的杂芳基，B为具有6.5～9.5的pKa的碱。](A‑SO3)‑(BH)+ (I)。
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公开(公告)号：CN116888537A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280017061.1
申请日：2022-03-02
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 提供对抗蚀剂溶剂、作为碱水溶液的抗蚀剂显影液显示良好的耐性，同时仅对湿蚀刻药液显示除去性、优选为溶解性的抗蚀剂下层膜。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：包含下述式(1)所示的部分结构的化合物(A)、和溶剂。(式中，R1、R2各自表示氢原子、碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，X表示碳原子数1～10的烷基、羟基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数1～10的烷氧基羰基、卤原子、氰基、硝基或它们的组合，Y表示直接键合、醚键、硫醚键或酯键，n表示0～4的整数，＊表示与化合物(A)残基的结合部分。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111747980A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010228272.2
申请日：2020-03-27
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供通过用具有含有硫原子和氮原子的官能团的螯合树脂对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理，从而被精制烷氧基硅化合物对螯合树脂的吸附量少，并且能够使金属杂质减少的烷氧基化合物的精制方法以及烷氧基硅化合物。解决手段是用具有下述式(1-1)～(1-3)中的任一者所示的官能团的螯合树脂进行处理。(在式(1-1)～(1-3)中，＊表示与作为载体的树脂的结合端)。
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公开(公告)号：CN111747980B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202010228272.2
申请日：2020-03-27
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供通过用具有含有硫原子和氮原子的官能团的螯合树脂对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理，从而被精制烷氧基硅化合物对螯合树脂的吸附量少，并且能够使金属杂质减少的烷氧基化合物的精制方法以及烷氧基硅化合物。解决手段是用具有下述式(1‑1)～(1‑3)中的任一者所示的官能团的螯合树脂进行处理。#imgabs0#(在式(1‑1)～(1‑3)中，＊表示与作为载体的树脂的结合端)
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公开(公告)号：CN111744462B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202010226786.4
申请日：2020-03-27
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: B01J20/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及用于将环氧树脂中的金属杂质除去的金属吸附剂以及金属除去方法。本发明在不使作为半导体制造工序所使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物而使用的环氧树脂吸附、改性的情况下，将金属杂质从溶解了被精制材料的组合物中除去，从而获得被高纯度化了的精制材料组合物。一种金属吸附剂，是包含具有凝胶型载体的含磺酰基阳离子性离子交换树脂(A)和螯合剂(B)的、用于将溶液中的金属杂质除去的金属吸附剂，该螯合剂(B)由包含硫脲基或硫脲#imgabs0#基的载体构成。上述溶液为含有水或有机溶剂的溶液。
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