包含具有含脲键的结构单元的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物

    公开(公告)号:CN110036344B

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN201880004846.9

    申请日:2018-02-01

    Abstract: 本发明的目的是提供与以往相比使交联性飞跃地提高了的抗蚀剂下层膜形成用组合物,进一步提供为了改善抗蚀剂下层膜与抗蚀剂图案的密合性而与抗蚀剂材料的成分交联的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含:具有下述式(1)所示的结构单元和下述式(2)所示的结构单元的共聚物、交联剂、有机酸催化剂和溶剂。(式中,R1各自独立地表示氢原子或甲基,R2各自独立地表示碳原子数1~3的亚烷基,R3表示单键或亚甲基,A表示可以具有取代基的碳原子数1~12的直链状、支链状、或具有环状结构的脂肪族基,或者表示可以具有取代基的碳原子数6~16的芳香族基或杂环基,Pr表示保护基。)#imgabs0#

    用于将环氧树脂中的金属杂质除去的金属吸附剂及金属除去方法

    公开(公告)号:CN111744462A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010226786.4

    申请日:2020-03-27

    Abstract: 本发明涉及用于将环氧树脂中的金属杂质除去的金属吸附剂以及金属除去方法。本发明在不使作为半导体制造工序所使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物而使用的环氧树脂吸附、改性的情况下,将金属杂质从溶解了被精制材料的组合物中除去,从而获得被高纯度化了的精制材料组合物。一种金属吸附剂,是包含具有凝胶型载体的含磺酰基阳离子性离子交换树脂(A)和螯合剂(B)的、用于将溶液中的金属杂质除去的金属吸附剂,该螯合剂(B)由包含硫脲基或硫脲 基的载体构成。上述溶液为含有水或有机溶剂的溶液。

    具有烷氧基烷基的异氰脲酸衍生物及其制造方法

    公开(公告)号:CN110621680A

    公开(公告)日:2019-12-27

    申请号:CN201880031892.8

    申请日:2018-05-29

    Abstract: 本发明的课题是提供具有2个烷氧基烷基并且导入了三烷氧基甲硅烷基的新的异氰脲酸衍生物及其制造方法。解决手段是在常温常压下为液体的下述式(1)所示的异氰脲酸衍生物。(式中,R1表示甲基或乙基,2个R2分别表示碳原子数1或2的亚烷基,2个R3分别表示甲基、乙基、或碳原子数2~4的烷氧基烷基。)

    具有乙内酰脲环的化合物的制造方法

    公开(公告)号:CN109415350A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201780039711.1

    申请日:2017-06-13

    CPC classification number: C07D403/14

    Abstract: 本发明的课题是提供具有乙内酰脲环的化合物的新的制造方法。解决手段是一种具有乙内酰脲环的化合物的制造方法,其具有下述工序:在包含至少30质量%的乙醇和/或至少10质量%的丙醇的醇类中,在催化剂的存在下,使下述式(1)所示的化合物与下述式(2)所示的化合物以相对于该式(1)所示的化合物1摩尔当量为3摩尔当量的该式(2)所示的化合物的比例反应,而获得包含下述式(3)所示的化合物的溶液的反应工序;以及向上述溶液中加入阳离子交换树脂和阴离子交换树脂,接着将其进行搅拌,然后进行过滤的离子交换处理工序。(式中,A1表示三价脂肪族基、或具有芳香族环或杂环的三价基团,Z1表示直接结合、-O-基或-C(=O)O-基,R1和R2各自独立地表示氢原子或甲基,X表示碳原子数1~3的羟基烷基、碳原子数2~5的烷氧基烷基或碳原子数1~3的烷基。)

    烷氧基硅化合物的精制方法

    公开(公告)号:CN111747980B

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202010228272.2

    申请日:2020-03-27

    Abstract: 本发明的目的是提供通过用具有含有硫原子和氮原子的官能团的螯合树脂对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理,从而被精制烷氧基硅化合物对螯合树脂的吸附量少,并且能够使金属杂质减少的烷氧基化合物的精制方法以及烷氧基硅化合物。解决手段是用具有下述式(1‑1)~(1‑3)中的任一者所示的官能团的螯合树脂进行处理。#imgabs0#(在式(1‑1)~(1‑3)中,*表示与作为载体的树脂的结合端)

    用于将环氧树脂中的金属杂质除去的金属吸附剂及金属除去方法

    公开(公告)号:CN111744462B

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202010226786.4

    申请日:2020-03-27

    Abstract: 本发明涉及用于将环氧树脂中的金属杂质除去的金属吸附剂以及金属除去方法。本发明在不使作为半导体制造工序所使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物而使用的环氧树脂吸附、改性的情况下,将金属杂质从溶解了被精制材料的组合物中除去,从而获得被高纯度化了的精制材料组合物。一种金属吸附剂,是包含具有凝胶型载体的含磺酰基阳离子性离子交换树脂(A)和螯合剂(B)的、用于将溶液中的金属杂质除去的金属吸附剂,该螯合剂(B)由包含硫脲基或硫脲#imgabs0#基的载体构成。上述溶液为含有水或有机溶剂的溶液。

    具有儿茶酚基的药液耐性保护膜形成用组合物

    公开(公告)号:CN118318208A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202280078453.9

    申请日:2022-10-07

    Abstract: 提供一种组合物,是可以形成对碱性过氧化氢水、酸性过氧化氢水等半导体用湿蚀刻液的耐性优异的保护膜的保护膜形成用的组合物,其对抗蚀剂溶剂也显示优异的耐性,也可以作为抗蚀剂下层膜形成用的组合物有效地使用。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物,其包含(A)下述式(A)所示的化合物、和(B)溶剂。(在式(A)中,n表示1~10的整数,在n为2的情况下,X表示亚磺酰基、磺酰基、醚基、或碳原子数2~50的2价有机基,在n为除2以外的整数的情况下,X表示碳原子数2~50的n价有机基。Y表示‑CH2CH(OH)CH2OC(=O)CH2(CH2)t‑、‑CH2CH(OH)CH2OC(=O)C(CN)(=CH)‑,t表示1~6的整数。)#imgabs0#

    具有1个包含烷氧基的取代基的异氰脲酸衍生物及其制造方法

    公开(公告)号:CN109563058B

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN201780049146.7

    申请日:2017-08-17

    Inventor: 后藤裕一 孙军

    Abstract: 本发明的课题是提供具有1个与氮原子结合的取代基的新的异氰脲酸衍生物及其新的制造方法。解决手段是由下述式(1)表示的、具有1个包含烷氧基的取代基的异氰脲酸衍生物、以及作为上述式(1)所示的异氰脲酸衍生物的制造中间体的、由下述式(1’)表示的具有1个上述包含烷氧基的取代基的异氰脲酸衍生物。(式中,R1表示碳原子数1~10的烷基,R2表示碳原子数1~5的亚烷基,n表示0~5的整数,Bn表示苯环的至少1个氢原子可以被甲基取代的苄基。)

    具有2个烃基的异氰脲酸衍生物的制造方法

    公开(公告)号:CN108779081B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN201780016793.8

    申请日:2017-02-27

    Inventor: 后藤裕一 孙军

    Abstract: 本发明的课题在于提供具有2个烃基的异氰脲酸衍生物的新型的制造方法。作为解决手段,为下述具有2个烃基的异氰脲酸衍生物的制造方法,其特征在于,包括下述工序:第一工序,得到下述式(1)表示的化合物;第二工序,由前述式(1)表示的化合物得到下述式(2)表示的化合物;第三工序,由前述式(2)表示的化合物得到下述式(3)表示的化合物;以及,第四工序,由前述式(3)表示的化合物得到下述式(4)表示的化合物(式中,Bn表示苄基,2个R分别表示碳原子数1~10的烃基。),所有的工序在不超过100℃的温度下进行。

    除去溶液中的金属杂质的金属除去剂及金属除去方法

    公开(公告)号:CN111801158A

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN201880090138.1

    申请日:2018-12-25

    Abstract: 本发明的课题是将多价金属、多价金属离子、其带电性金属氧化物胶体粒子不是通过1种螯合树脂而是通过组合了特定螯合树脂的金属吸附剂从溶解或分散了待纯化材料的组合物中除去,获得被高纯度化了的纯化材料组合物。解决手段是一种金属吸附剂,是用于除去包含螯合剂(A)和螯合剂(B)的溶液中的金属杂质的金属吸附剂,螯合剂(A)为包含具有葡萄糖胺型官能团的载体的金属吸附剂,螯合剂(B)为包含具有巯基、硫脲基、氨基、衍生自三氮杂二环癸烯的基团、硫脲基、咪唑基、磺酸基、羟基、氨基乙酸基、酰胺肟基、氨基磷酸基、或它们的组合的载体的金属吸附剂。螯合剂(A)和螯合剂(B)的载体为二氧化硅、含有二氧化硅成分的物质、聚苯乙烯或交联化多孔质聚苯乙烯,上述溶液为含有水或有机溶剂的溶液。

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