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公开(公告)号：CN119631022A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380055741.7
申请日：2023-07-27
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G61/12 , G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 提供除了蚀刻耐性、耐热性以外，固化性、产生的升华物量、平坦化性、光学特性(曝光时的反射抑制)等各种其他特性也都满足的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有酚醛清漆树脂和溶剂，所述酚醛清漆树脂含有具有芳香环的结构单元A，该结构单元A包含下述式(A)表示的一种或两种以上的结构单元，R1为氢原子或特定的取代基，R2为任选的特定取代基，酚醛清漆树脂中的R1和R2中的至少一部分为具有碳原子数2～10的炔基链的取代基，n表示取代基R2的数量，在n为多个的情况下，多个R2可以相同也可以不同，*表示连接键。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116997861A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280021830.5
申请日：2022-03-09
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: [课题]本发明的目的是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其即使针对高低差基板也能形成被覆性良好、埋入后的膜厚差小、平坦并且具有更优异的硬度的膜。[解决手段]含有具有式(1)、式(2)、式(3)和式(4)(省略)所表示的重复单元中的至少一种重复单元的聚合物及溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物具有高耐蚀刻性、良好的干式蚀刻速度比和光学常数，进而，即使针对高低差基板也能形成被覆性良好、埋入后的膜厚差小、平坦并且具有更优异的硬度的膜，可达成更微细的基板加工。
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公开(公告)号：CN111316165A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880071449.3
申请日：2018-08-29
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/027 , C08G73/10 , G03F7/20 , H01L21/312
Abstract: 提供作为树脂组合物的可获得介电常数、介质损耗角正切被进一步降低了的固化体的感光性树脂组合物、使用该感光性树脂组合物制造固化浮雕图案的方法、以及具备该固化浮雕图案的半导体装置。一种负型感光性树脂组合物，其包含：(A)具有特定的单元结构的聚酰亚胺前体100质量份；以及(B)自由基型光聚合引发剂0.1质量份～20质量份。
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公开(公告)号：CN112437901A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201980048330.9
申请日：2019-07-11
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供具有特别高的干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案形成方法以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：环氧加成物形成用化合物与下述式(1)所示的化合物的环氧加成生成物；以及溶剂，[在式(1)中，A1表示至少1个氢原子可以被卤原子取代、并且被氧原子、硫原子、二硫基、磺酰基、羰基或亚氨基中断的碳原子数2～10的直链或支链亚烷基]。
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公开(公告)号：CN112313226A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201980042837.3
申请日：2019-06-18
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C07D405/14 , C08G59/20 , G03F7/11 , G03F7/20
Abstract: 提供具有特别高的干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案形成方法以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：通过下述式(1)所示的化合物、与环氧加成物形成用化合物的反应而获得的环氧加成生成物；以及溶剂。上述环氧加成物形成用化合物为选自含有羧酸的化合物、含有羧酸酐的化合物、含有羟基的化合物、含有硫醇基的化合物、含有氨基的化合物和含有酰亚胺基的化合物中的至少1种化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110023317A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780073389.4
申请日：2017-12-08
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C07D487/04 , C08G59/02
Abstract: 本发明的课题是提供新的甘脲类及其制造方法。解决手段是下述式(1)所示的含氮环状化合物，该式(1)所示的含氮环状化合物例如由下述式(1A)或式(1B)表示。(式中，R1、R2、R3和R4之中的任意2个表示缩水甘油基，其余2个表示甲氧基甲基。)
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公开(公告)号：CN109641913A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780053682.4
申请日：2017-08-22
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C07D487/04
CPC classification number: C07D487/04
Abstract: 本发明的课题是提供新的单硫代甘脲类和二硫代甘脲类。解决手段是下述式(1)所示的硫代甘脲类。(式中，X表示氧原子或硫原子，4个R分别表示氢原子、碳原子数1～4的直链状、支链状或环状的烷基、苯基、萘基、苄基、或主链具有至少1个醚键的碳原子数3～9的烷基。)
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公开(公告)号：CN108884082A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780020057.X
申请日：2017-03-24
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C07D405/06
CPC classification number: C07D405/06
Abstract: 本发明的课题是提供具有1个缩水甘油基作为与氮原子结合的取代基的、新的异氰脲酸酯化合物。解决手段是下述式(1)、式(2)或式(3)所示的单缩水甘油基异氰脲酸酯化合物。(在这些式中，2个R1分别表示碳原子数2～10的烷基，2个R2分别表示碳原子数1～5的亚烷基，2个R3分别表示碳原子数1或2的烷基，2个R4分别表示碳原子数1或2的亚烷基，2个R5分别表示碳原子数1或2的烷基。)
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公开(公告)号：CN108884082B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201780020057.X
申请日：2017-03-24
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C07D405/06
Abstract: 本发明的课题是提供具有1个缩水甘油基作为与氮原子结合的取代基的、新的异氰脲酸酯化合物。解决手段是下述式(1)、式(2)或式(3)所示的单缩水甘油基异氰脲酸酯化合物。(在这些式中，2个R1分别表示碳原子数2～10的烷基，2个R2分别表示碳原子数1～5的亚烷基，2个R3分别表示碳原子数1或2的烷基，2个R4分别表示碳原子数1或2的亚烷基，2个R5分别表示碳原子数1或2的烷基。)
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