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公开(公告)号:CN110462504B
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN201880019601.3
申请日:2018-01-22
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G02F1/1337 , C08G73/10 , C08J5/18
Abstract: 提供能够使液晶的预倾角几乎为0度,因此用于要求高清晰、高亮度、高可靠度的图像的监视器等表示元件的液晶取向剂、及由液晶取向剂制造液晶取向膜的方法。提供液晶取向剂及由该液晶取向剂制造液晶取向膜的方法,该液晶取向剂含有:选自由通过使含有式[1]所示的二胺的二胺成分与四羧酸成分进行聚合反应而得到的聚酰亚胺前体及由该聚酰亚胺前体得到的聚酰亚胺组成的组中的至少一种聚合物。(X:NHCO、CONH、COO‑或OCO、m:1~5、n:0~6、R1~R4:各自独立地甲基或乙基)。
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公开(公告)号:CN110462504A
公开(公告)日:2019-11-15
申请号:CN201880019601.3
申请日:2018-01-22
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G02F1/1337 , C08G73/10 , C08J5/18
Abstract: 提供能够使液晶的预倾角几乎为0度,因此用于要求高清晰、高亮度、高可靠度的图像的监视器等表示元件的液晶取向剂、及由液晶取向剂制造液晶取向膜的方法。提供液晶取向剂及由该液晶取向剂制造液晶取向膜的方法,该液晶取向剂含有:选自由通过使含有式[1]所示的二胺的二胺成分与四羧酸成分进行聚合反应而得到的聚酰亚胺前体及由该聚酰亚胺前体得到的聚酰亚胺组成的组中的至少一种聚合物。(X:NHCO、CONH、COO-或OCO、m:1~5、n:0~6、R1~R4:各自独立地甲基或乙基)
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公开(公告)号:CN112437901A
公开(公告)日:2021-03-02
申请号:CN201980048330.9
申请日:2019-07-11
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供具有特别高的干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案形成方法以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含:环氧加成物形成用化合物与下述式(1)所示的化合物的环氧加成生成物;以及溶剂,[在式(1)中,A1表示至少1个氢原子可以被卤原子取代、并且被氧原子、硫原子、二硫基、磺酰基、羰基或亚氨基中断的碳原子数2~10的直链或支链亚烷基]。
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