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公开(公告)号:CN114746468A
公开(公告)日:2022-07-12
申请号:CN202080084090.0
申请日:2020-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/18 , C08G73/06 , G03F7/11 , C08G63/685 , C08G63/688
Abstract: 本发明提供聚合物的制造方法,其包括:第一工序,其中,使包含嘧啶三酮结构、咪唑烷二酮结构或三嗪三酮结构的单体在有机溶剂中、季鏻盐或季铵盐的存在下反应而合成粗聚合物;和第二工序,其中,将上述第一工序中得到的含有粗聚合物的溶液与不良溶剂混合,使精制聚合物沉淀,滤离。
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公开(公告)号:CN110582728B
公开(公告)日:2023-11-17
申请号:CN201880028518.2
申请日:2018-04-10
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08K5/13 , C08K5/132 , C08L101/00
Abstract: 本发明的课题是提供耐受过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。解决手段是一种耐受过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物,其包含:树脂;下述式(1a)、式(1b)或式(1c)所示的化合物;交联剂;交联催化剂;以及溶剂,其中,相对于上述树脂,以80质量%为上限含有上述式(1a)、式(1b)或式(1c)所示的化合物,并含有5质量%~40质量%的上述交联剂。(式中,X表示羰基或亚甲基,l和m各自独立地表示满足3≤l+m≤10的关系式的0~5的整数,n表示2~5的整数,u和v各自独立地表示满足3≤u+v≤8的关系式的0~4的整数,R1、R2、R3和R4各自独立地表示氢原子、羟基、可以具有至少1个羟基作为取代基且可以在主链具有至少1个双键的碳原子数1~10的烃基、或可以具有至少1个羟基作为取代基的碳原子数6~20的芳基,在R1、R2、R3和R4表示该碳原子数1~10的烃基的情况下,R1和R2、R3和R4可以与它们所结合的环碳原子一起形成苯环,该苯环可以具有至少1个羟基作为取代基,j和k各自独立地表示0或1。)#imgabs0#
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公开(公告)号:CN115280241A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202180021035.1
申请日:2021-03-29
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , H01L21/306
Abstract: 提供在半导体基板加工时针对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、此外保存稳定性优异的保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物,其包含具有下述式(1‑1)所示的单元结构的聚合物、热聚合引发剂和溶剂,(在式(1‑1)中,Ar表示苯环、萘环或蒽环,R1表示羟基、可以被甲基保护的巯基、可以被甲基保护的氨基、卤代基、或可以被杂原子取代或中断且可以被羟基取代的碳原子数1~10的烷基,n1表示0~3的整数,n2表示1或2,L1表示单键或碳原子数1~10的亚烷基,E表示环氧基,T1在n2=1时表示单键、可以被醚键、酯键、或酰胺键中断的碳原子数1~10的亚烷基,T1在n2=2时表示氮原子或酰胺键)。
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公开(公告)号:CN109073978A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201780026762.0
申请日:2017-04-21
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/306
Abstract: 本发明的课题是提供对碱性过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。作为解决手段是一种对碱性过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物,其包含:1分子中具有2个以上选自缩水甘油基、末端环氧基、环氧环戊基、环氧环己基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基、异氰酸酯基和封闭异氰酸酯基中的至少1种基团的交联剂,侧链或末端具有下述式(1)所示的基团且重均分子量为800以上的化合物,以及有机溶剂。(式中,X1表示与上述交联剂反应的取代基,R0表示直接结合或碳原子数1或2的亚烷基,X2表示碳原子数1或2的烷基、碳原子数1或2的烷氧基、或氟基,a表示0~2的整数,b表示1~3的整数,c表示0~4的整数,b与c满足1≤(b+c)≤5的关系式。)。
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公开(公告)号:CN117043678A
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202280018524.6
申请日:2022-03-03
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 提供在半导体制造中的光刻工艺中,显示高药液耐性、良好的光学参数、和期望的干蚀刻选择比的保护膜。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物,其包含(A)化合物、(B)热产酸剂(B‑1)和/或固化剂(B‑2)、以及(C)溶剂,上述(A)化合物是不具有重复结构单元的化合物,包含末端基(A1)、多价基(A2)、和连结基(A3),末端基(A1)仅与连结基(A3)键合,多价基(A2)仅与连结基(A3)键合,连结基(A3)可以在一方与末端基(A1)键合,在另一方与多价基(A2)键合,可选地与其它连结基(A3)键合,末端基(A1)为下述式(I)的结构中的任意者,[在式(I)中,*表示与连结基(A3)的键合部位。X表示醚键、酯键或氮原子,在X为醚键或酯键时n=1,在X为氮原子时n=2。]多价基(A2)为选自‑O‑、脂肪族烃基、碳原子数小于10的芳香族烃基与脂肪族烃基的组合、和碳原子数10以上的芳香族烃基与‑O‑的组合中的2~4价基团,连结基(A3)表示芳香族烃基。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN109952631B
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN201780056169.0
申请日:2017-09-15
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/306 , C08G59/62 , C08G65/28 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。解决手段是一种针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物,其包含:下述式(1a)所示的化合物、式(1b)所示的化合物、具有下述式(2)所示的取代基的分子量为300以上且小于800的化合物、或具有下述式(2)所示的取代基的重均分子量为300以上且小于800的化合物;以及溶剂,相对于除去该溶剂后的固体成分,含有上述式(1a)或式(1b)所示的化合物0.1质量%~60质量%,或含有具有上述式(2)所示的取代基的化合物10质量%~100质量%。(式中,R1表示碳原子数1~4的亚烷基或亚烯基、或直接结合,k表示0或1,m表示1~3的整数,n表示2~4的整数。)
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公开(公告)号:CN110582728A
公开(公告)日:2019-12-17
申请号:CN201880028518.2
申请日:2018-04-10
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08K5/13 , C08K5/132 , C08L101/00
Abstract: 本发明的课题是提供耐受过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。解决手段是一种耐受过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物,其包含:树脂;下述式(1a)、式(1b)或式(1c)所示的化合物;交联剂;交联催化剂;以及溶剂,其中,相对于上述树脂,以80质量%为上限含有上述式(1a)、式(1b)或式(1c)所示的化合物,并含有5质量%~40质量%的上述交联剂。(式中,X表示羰基或亚甲基,l和m各自独立地表示满足3≤l+m≤10的关系式的0~5的整数,n表示2~5的整数,u和v各自独立地表示满足3≤u+v≤8的关系式的0~4的整数,R1、R2、R3和R4各自独立地表示氢原子、羟基、可以具有至少1个羟基作为取代基且可以在主链具有至少1个双键的碳原子数1~10的烃基、或可以具有至少1个羟基作为取代基的碳原子数6~20的芳基,在R1、R2、R3和R4表示该碳原子数1~10的烃基的情况下,R1和R2、R3和R4可以与它们所结合的环碳原子一起形成苯环,该苯环可以具有至少1个羟基作为取代基,j和k各自独立地表示0或1。)
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公开(公告)号:CN114746468B
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN202080084090.0
申请日:2020-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/18 , C08G73/06 , G03F7/11 , C08G63/685 , C08G63/688
Abstract: 本发明提供聚合物的制造方法,其包括:第一工序,其中,使包含嘧啶三酮结构、咪唑烷二酮结构或三嗪三酮结构的单体在有机溶剂中、季鏻盐或季铵盐的存在下反应而合成粗聚合物;和第二工序,其中,将上述第一工序中得到的含有粗聚合物的溶液与不良溶剂混合,使精制聚合物沉淀,滤离。
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公开(公告)号:CN117908332A
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202410140541.8
申请日:2020-02-13
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 提供在半导体制造中的光刻工艺中使用的、保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含主链中包含二硫键的聚合物、自由基捕获剂、以及溶剂。上述自由基捕获剂优选为具有环结构或硫醚结构的化合物。上述环结构优选为碳原子数6~40的芳香环结构或2,2,6,6‑四甲基哌啶结构。
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公开(公告)号:CN113383036A
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN202080012493.4
申请日:2020-02-13
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08K5/3435 , C08K5/372 , C08L101/02 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027 , C08G63/58
Abstract: 提供在半导体制造中的光刻工艺中使用的、保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含主链中包含二硫键的聚合物、自由基捕获剂、以及溶剂。上述自由基捕获剂优选为具有环结构或硫醚结构的化合物。上述环结构优选为碳原子数6~40的芳香环结构或2,2,6,6‑四甲基哌啶结构。
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