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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114746468A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080084090.0
申请日：2020-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/18 , C08G73/06 , G03F7/11 , C08G63/685 , C08G63/688
Abstract: 本发明提供聚合物的制造方法，其包括：第一工序，其中，使包含嘧啶三酮结构、咪唑烷二酮结构或三嗪三酮结构的单体在有机溶剂中、季鏻盐或季铵盐的存在下反应而合成粗聚合物；和第二工序，其中，将上述第一工序中得到的含有粗聚合物的溶液与不良溶剂混合，使精制聚合物沉淀，滤离。
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公开(公告)号：CN114746468B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202080084090.0
申请日：2020-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/18 , C08G73/06 , G03F7/11 , C08G63/685 , C08G63/688
Abstract: 本发明提供聚合物的制造方法，其包括：第一工序，其中，使包含嘧啶三酮结构、咪唑烷二酮结构或三嗪三酮结构的单体在有机溶剂中、季鏻盐或季铵盐的存在下反应而合成粗聚合物；和第二工序，其中，将上述第一工序中得到的含有粗聚合物的溶液与不良溶剂混合，使精制聚合物沉淀，滤离。
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公开(公告)号：CN119731778A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202380059602.1
申请日：2023-08-28
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/768 , C08G59/24 , C08G59/26 , G03F7/11 , H01L23/12
Abstract: 一种填隙材料形成用组合物，其含有化合物和聚合物中的至少一者、以及溶剂，所述化合物和聚合物具有下述式(1)所示的结构以及羰基键。(在式(1)中，R1和R2各自独立地表示氢原子、氰基、苯基、碳原子数1～13的烷基、卤原子、‑COOR11(R11表示氢原子或碳原子数1～4的烷基。)或‑COO‑。在R3为2个以上时，2个以上R3可以相同，也可以不同。R3表示甲氧基、碳原子数1～13的烷基或卤原子。n1表示0～4的整数。n2表示0或1的整数。其中，n1与n2的合计为4以下。X1表示醚键或酯键。X2表示醚键或酯键。＊表示结合键。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118974896A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380029369.2
申请日：2023-03-17
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C08F220/18 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 一种空腔形成用组合物，其是用于在半导体基板上的导电布线图案间形成空腔的空腔形成用组合物，所述空腔形成用组合物含有具有烯属不饱和键的单体中的2种以上单体的加聚物和溶剂，所述加聚物含有具有热固性部位的重复单元(R1)和具有易热分解性部位的重复单元(R2)，所述易热分解性部位的热分解温度高于所述热固性部位的热固化温度。
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公开(公告)号：CN114761876A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080083998.X
申请日：2020-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 作为能够减少来源于低聚物等低分子量成分的升华物的生成量的用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，例如，提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含具有由下述式(1‑1)所表示的重复单元的聚合物和有机溶剂，且上述聚合物中的重均分子量为1000以下的低分子量成分的含量为10质量％以下。
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