公开(公告)号：CN116235112A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202180066096.X

申请日：2021-09-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 木村哲也 ,  西卷裕和

IPC: G03F7/11

Abstract: 在半导体装置制造的光刻工艺中，在使用抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成抗蚀剂下层膜时，在烧成时产生来源于上述聚合物树脂、交联剂、交联催化剂等低分子化合物的升华成分(升华物)成为问题。本发明的解决手段是本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物用交联催化剂使用具有氟烷基的有机酸或具有氟烷基的有机酸盐，从而包含该交联催化剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物可以有效地抑制成膜时的来源于抗蚀剂下层膜中的低分子成分的升华物。

公开(公告)号：CN118103775A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280068542.5

申请日：2022-10-03

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 木村哲也 ,  西卷裕和

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明的课题是，本发明提供通过提高聚合物的热回流性从而改善烧成时对图案的填充性的抗蚀剂下层膜组合物、作为由该抗蚀剂下层膜组合物制成的涂布膜的烧成物的抗蚀剂下层膜、和包含形成该抗蚀剂下层膜的工序的半导体装置的制造方法。解决手段是本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物包含下述式(A)或式(B)所示的化合物、和溶剂。#imgabs0#