公开(公告)号：CN111758075A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201980014513.9

申请日：2019-02-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 西卷裕和 ,  齐藤大悟 ,  柄泽凉 ,  桥本圭祐

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供形成下述抗蚀剂下层膜的组合物，上述抗蚀剂下层膜在将光致抗蚀剂组合物、不同的抗蚀剂下层膜叠层时不容易发生混合，通过提高聚合物的热回流性从而改善了烧成时对图案的填充性。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含含有结构基(C)的酚醛清漆树脂，上述结构基(C)通过包含至少2个氨基和至少3个碳原子数6～40的芳香族环的芳香族化合物(A)的芳香族环、与芳香族乙烯基化合物(B)的乙烯基反应而形成。上述结构基(C)为下述式(1)，[在式(1)中，R1为包含至少2个氨基和至少3个碳原子数6～40的芳香族环的2价基团。]。上述R1为从下述式(2)所示的化合物的芳香族环中除去2个氢原子后的2价有机基。上述R1为从N,N’‑二苯基‑1,4‑苯二胺的芳香族环中除去2个氢原子后的2价有机基。

公开(公告)号：CN109643065A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780053181.6

申请日：2017-08-28

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 齐藤大悟 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G12/08 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成兼具耐热性、平坦化性、和耐蚀刻性的光刻工序所使用的抗蚀剂下层膜的材料。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：包含下述式(1)(在式(1)中，R1为包含至少2个胺和至少3个碳原子数6～40的芳香族环的有机基，R2和R3分别为氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基、杂环基、或它们的组合，并且，该烷基、该芳基、该杂环基可以被卤基、硝基、氨基、甲酰基、烷氧基、或羟基取代，或者R2和R3可以一起形成环)所示的单元结构的聚合物。上述组合物中，R1为由N,N’-二苯基-1,4-苯二胺衍生的2价有机基。

公开(公告)号：CN111758075B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN201980014513.9

申请日：2019-02-20

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 西卷裕和 ,  齐藤大悟 ,  柄泽凉 ,  桥本圭祐

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供形成下述抗蚀剂下层膜的组合物，上述抗蚀剂下层膜在将光致抗蚀剂组合物、不同的抗蚀剂下层膜叠层时不容易发生混合，通过提高聚合物的热回流性从而改善了烧成时对图案的填充性。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含含有结构基(C)的酚醛清漆树脂，上述结构基(C)通过包含至少2个氨基和至少3个碳原子数6～40的芳香族环的芳香族化合物(A)的芳香族环、与芳香族乙烯基化合物(B)的乙烯基反应而形成。上述结构基(C)为下述式(1)，[在式(1)中，R1为包含至少2个氨基和至少3个碳原子数6～40的芳香族环的2价基团。]。上述R1为从下述式(2)所示的化合物的芳香族环中除去2个氢原子后的2价有机基。上述R1为从N,N’‑二苯基‑1,4‑苯二胺的芳香族环中除去2个氢原子后的2价有机基。#imgabs0#

公开(公告)号：CN110832397B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN201880045397.2

申请日：2018-07-12

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 齐藤大悟 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/20 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 1～3，n 为整数2～5，n 为整数0～3，n 为整数0一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在 ～3，它们具有3≤(n12+n13+n14+n15)≤6的关系。于，包含(A)下述式(1)所示的化合物、和(B)下述 n16为整数1～3，n17为整数1～4，n18为整数0～3，式(2‑1)或下述式(2‑2)所示的交联性化合物。 n19为整数0～3，它们具有2≤(n16+n17+n18+n19)≤1 12(在式(1)中，R各自独立地为碳原子数1～30的2 5的关系。m 为整数2～10。)价基团，R2～R7各自独立地为碳原子数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数6～10的芳基、碳原子数2～10的烯基、硫醇基或羟基，R52 3 6的至少1个为羟基或硫醇基，m、m和m各自独立地为整数0～9，m4和m7各自独立地为整数0～8，m5为整数1～9，n为整数0～4，p2～p7各自独立地为整数0～2。)(在式(2‑1)和式(2‑2)中，Q1为单键12 12 15或m 价的有机基，R 和R 各自独立地为碳原子数2～10的烷基或具有碳原子数1～10的烷氧基

公开(公告)号：CN110832397A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201880045397.2

申请日：2018-07-12

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 齐藤大悟 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/20 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含(A)下述式(1)所示的化合物、和(B)下述式(2-1)或下述式(2-2)所示的交联性化合物。(在式(1)中，R1各自独立地为碳原子数1～30的2价基团，R2～R7各自独立地为碳原子数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数6～10的芳基、碳原子数2～10的烯基、硫醇基或羟基，R5的至少1个为羟基或硫醇基，m2、m3和m6各自独立地为整数0～9，m4和m7各自独立地为整数0～8，m5为整数1～9，n为整数0～4，p2～p7各自独立地为整数0～2。)(在式(2-1)和式(2-2)中，Q1为单键或m12价的有机基，R12和R15各自独立地为碳原子数2～10的烷基或具有碳原子数1～10的烷氧基的碳原子数2～10的烷基，R13和R16各自独立地为氢原子或甲基，R14和R17各自独立地为碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基。n12为整数1～3，n13为整数2～5，n14为整数0～3，n15为整数0～3，它们具有3≤(n12+n13+n14+n15)≤6的关系。n16为整数1～3，n17为整数1～4，n18为整数0～3，n19为整数0～3，它们具有2≤(n16+n17+n18+n19)≤5的关系。m12为整数2～10。)

公开(公告)号：CN109643065B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201780053181.6

申请日：2017-08-28

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 齐藤大悟 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G12/08 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成兼具耐热性、平坦化性、和耐蚀刻性的光刻工序所使用的抗蚀剂下层膜的材料。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：包含下述式(1)(在式(1)中，R1为包含至少2个胺和至少3个碳原子数6～40的芳香族环的有机基，R2和R3分别为氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基、杂环基、或它们的组合，并且，该烷基、该芳基、该杂环基可以被卤基、硝基、氨基、甲酰基、烷氧基、或羟基取代，或者R2和R3可以一起形成环)所示的单元结构的聚合物。上述组合物中，R1为由N,N’‑二苯基‑1,4‑苯二胺衍生的2价有机基。