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    含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物
    3.
    发明公开
    含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN116547343A

    公开(公告)日：2023-08-04

    申请号：CN202180079266.8

    申请日：2021-11-26

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 柴山亘 ,  武田谕 ,  志垣修平 ,  石桥谦 ,  加藤宏大 ,  中岛诚

    IPC: C08G77/14

    Abstract: 本发明的课题是提供用于形成不仅通过采用以往的干蚀刻的方法，而且通过采用使用了药液的湿蚀刻的方法也能够除去，光刻特性优异，在湿蚀刻中也可以实现高蚀刻速度的抗蚀剂下层膜的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有[A]聚硅氧烷、[B]硝酸、[C]双酚化合物、和[D]溶剂。

    使用了溶剂置换法的抗蚀剂图案涂布用组合物的制造方法
    4.
    发明授权
    使用了溶剂置换法的抗蚀剂图案涂布用组合物的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN109791376B

    公开(公告)日：2023-01-10

    申请号：CN201780060916.8

    申请日：2017-10-02

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 志垣修平 ,  武田谕 ,  柴山亘 ,  中岛诚 ,  坂本力丸

    IPC: G03F7/40 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

    Abstract: 本发明的课题是提供在溶剂显影光刻工艺中用于涂布在经图案化的抗蚀剂膜上而使图案反转的涂布用组合物的制造方法。解决手段是一种涂布于经图案化的抗蚀剂膜的组合物的制造方法，其包含下述工序：将水解性硅烷在非醇系亲水性溶剂中水解并缩合而获得水解缩合物的工序(A)；对该水解缩合物进行溶剂置换，而将该非醇系亲水性溶剂置换成疏水性溶剂的工序(B)。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在基板上涂布抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜的工序(1)；将该抗蚀剂膜曝光和显影的工序(2)；对工序(2)的显影中或显影后获得的经图案化的抗蚀剂膜涂布通过上述制造方法获得的组合物，而在图案间形成涂膜的工序(3)；将经图案化的抗蚀剂膜蚀刻除去而使图案反转的工序(4)。一种制造方法，曝光使用ArF激光(波长193nm)或EUV(波长13.5nm)进行。一种制造方法，显影为采用有机溶剂的负型显影。

    抗蚀剂图案金属化工艺用组合物
    5.
    发明公开
    抗蚀剂图案金属化工艺用组合物 有权

    公开(公告)号：CN113785243A

    公开(公告)日：2021-12-10

    申请号：CN202080032980.7

    申请日：2020-03-27

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 柴山亘 ,  武田谕 ,  志垣修平 ,  石桥谦 ,  加藤宏大 ,  中岛诚

    IPC: G03F7/20 ,  G03F7/40

    Abstract: 本发明的课题是提供一种组合物以及使用该组合物的抗蚀剂图案的金属化方法，其能够通过使抗蚀剂图案的抗蚀剂金属化来改善抗蚀剂图案的粗糙度或塌陷，并提高耐蚀刻性。本发明是一种用于抗蚀剂图案金属化工艺的组合物以及使用该组合物提供于抗蚀剂中渗透有前述组合物成分的抗蚀剂图案的抗蚀剂图案金属化方法，所述组合物含有(A)成分：选自金属氧化物(1)、水解性硅烷化合物(2)、前述水解性硅烷化合物的水解物(3)、及前述水解性硅烷化合物的水解缩合物(4)中的至少一种；(B)成分：不含有羧基(‑‑COOH)的酸化合物；及(C)成分：水性溶剂。

    膜形成用组合物
    8.
    发明公开
    膜形成用组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN115398342A

    公开(公告)日：2022-11-25

    申请号：CN202180026228.6

    申请日：2021-03-31

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 柴山亘 ,  武田谕 ,  志垣修平 ,  石桥谦 ,  加藤宏大 ,  中岛诚

    IPC: G03F7/11 ,  C08G77/08 ,  C08G77/26 ,  C08L83/08 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

    Abstract: 本发明的课题是提供获得能够作为具有对作为上层而形成的抗蚀剂膜用的组合物的溶剂的耐性、针对氟系气体的良好的蚀刻特性、进一步良好的光刻特性的抗蚀剂下层膜而良好地起作用的膜的组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，包含使用2种以上酸性化合物进行水解性硅烷化合物的水解和缩合而获得的水解缩合物、和溶剂，上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)所示的含有氨基的硅烷。(在式(1)中，R1为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示包含氨基的有机基，R2为与硅原子结合的基团，表示可以被取代的烷基、可以被取代的芳基、可以被取代的芳烷基、可以被取代的卤代烷基、可以被取代的卤代芳基、可以被取代的卤代芳烷基、可以被取代的烷氧基烷基、可以被取代的烷氧基芳基、可以被取代的烷氧基芳烷基、或可以被取代的烯基，或表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基，R3为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a为1～2的整数，b为0～1的整数，且满足a+b≤2。)R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。

    半导体基板用底涂剂及图案形成方法
    9.
    发明公开
    半导体基板用底涂剂及图案形成方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN112041746A

    公开(公告)日：2020-12-04

    申请号：CN201980025380.5

    申请日：2019-04-09

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 志垣修平 ,  武田谕 ,  柴山亘 ,  中岛诚

    IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

    Abstract: 提供与抗蚀剂膜的密合性高，能够形成薄膜且形成良好的抗蚀剂图案的作为新的抗蚀剂图案用表面改性剂的半导体基板用底涂剂、在基板上依次叠层了表面改性剂和抗蚀剂图案的叠层基板、图案形成方法以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂图案用表面改性剂，是在基板上形成0.10μm以下的抗蚀剂图案前涂布于基板来增强基板与抗蚀剂图案的密合的抗蚀剂图案用表面改性剂，其特征在于，其包含下述平均组成式(1)所示的化合物、其水解物和水解缩合物中的至少1种。R己1烯aR基2b(等O，Xn)为cS0iO～(44‑的a‑b整‑c)数/2 ，(R1)2为(式C中1～，R4的1为一‑价(C烃H2基)n，YX基为，氢Y为原环子或C1～4的一价烃基，a为1～2的数，b为0～1的数，c为0～2的数，a+b+c≤4。)。

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