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公开(公告)号：CN116246974A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211527395.1
申请日：2022-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种用于制造半导体装置的方法。用于制造半导体装置的方法使用用于制造半导体装置的设备，该设备包括：腔室；支撑结构，设置在腔室内部，并且被构造为支撑接合结构，该接合结构包括第一基底结构、第二基底结构以及设置在第一基底结构与第二基底结构之间的接合金属层；以及激光装置，设置在腔室上方，该用于制造半导体装置的方法包括使用激光装置向接合结构照射激光束。
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