公开(公告)号：CN110718520B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN201910524384.X

申请日：2019-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任京彬 ,  金圣协 ,  金孝柱 ,  李镐昌 ,  罗正玟

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、穿透衬底的通孔、沿着通孔的内壁形成的通孔绝缘膜以及填充通孔的芯塞，其中，通孔绝缘膜的残余应力为60MPa至‑100MPa。

公开(公告)号：CN118136546A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202311028742.0

申请日：2023-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秀珉 ,  李民雨 ,  韩一宁 ,  姜秀知 ,  金柱鲁 ,  闵大浩 ,  任京彬

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68

Abstract: 一种管芯接合装置，包括：台架，被配置为支撑第一管芯；拾取头，被配置为拾取第二管芯；磁性材料区域，布置在第一管芯和第二管芯上；电磁体，布置在拾取头或台架的表面上；以及控制器，被配置为当第一管芯和第二管芯在竖直方向上彼此相距预定距离设置时向电磁体施加电流以产生磁场。由于电磁体产生的磁场，布置在第一管芯和第二管芯上的磁性材料区域在竖直方向上彼此对齐。

公开(公告)号：CN112185850A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010630336.1

申请日：2020-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任京彬 ,  尹贤埈 ,  赵光熙 ,  李济元 ,  韩珉洙 ,  金俊亨 ,  石承大

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

Abstract: 在晶圆到晶圆接合方法中，第一晶圆被真空吸附在下平台的第一表面上，并且第二晶圆被真空吸附在上平台的第二表面上。通过下推动杆将压力施加到第一晶圆的中间部分，并且通过上推动杆将压力施加到第二晶圆的中间部分。第一晶圆和第二晶圆的接合径向向外传播。检测第一晶圆和第二晶圆的接合传播位置。下推动杆的突出长度和上推动杆的突出长度的比率根据接合传播位置而改变。

公开(公告)号：CN109935524A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811465732.2

申请日：2018-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  金圣协 ,  任京彬 ,  金石镐 ,  金兑泳

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/77

Abstract: 一种基底结合设备和一种结合基底的方法，该设备包括：上卡盘，将第一基底固定到上卡盘的下表面上，使得第一基底向下变形为凹表面轮廓；下卡盘，布置在上卡盘下方并且将第二基底固定到下卡盘的上表面上，使得第二基底向上变形为凸表面轮廓；以及卡盘控制器，控制上卡盘和下卡盘以分别固定第一基底和第二基底，并且生成将第二基底的形状从平坦表面轮廓改变为凸表面轮廓的形状参数。

公开(公告)号：CN118073212A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311503409.0

申请日：2023-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱鲁 ,  李民雨 ,  韩一宁 ,  李周炯 ,  任京彬

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/66

Abstract: 提供了一种制造半导体封装件的方法，该方法包括：在平台上设置第一半导体管芯；将第二半导体管芯与第一半导体管芯彼此接合；向第二半导体管芯的与第一半导体管芯和第二半导体管芯的接合界面相对的表面施加热；以及测量第二半导体管芯的施加有热的表面上的温度变化，以检查接合界面的状态。

公开(公告)号：CN109935524B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201811465732.2

申请日：2018-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  金圣协 ,  任京彬 ,  金石镐 ,  金兑泳

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/77

Abstract: 一种基底结合设备和一种结合基底的方法，该设备包括：上卡盘，将第一基底固定到上卡盘的下表面上，使得第一基底向下变形为凹表面轮廓；下卡盘，布置在上卡盘下方并且将第二基底固定到下卡盘的上表面上，使得第二基底向上变形为凸表面轮廓；以及卡盘控制器，控制上卡盘和下卡盘以分别固定第一基底和第二基底，并且生成将第二基底的形状从平坦表面轮廓改变为凸表面轮廓的形状参数。

公开(公告)号：CN115966496A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211230378.1

申请日：2022-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱鲁 ,  闵大浩 ,  李民雨 ,  金俊亨 ,  任京彬

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/683

Abstract: 一种衬底转移设备，包括与衬底的前表面相邻的多个保持单元。多个保持单元包括用于不接触地保持衬底的多个保持表面。多个真空孔设置在多个保持表面中以向衬底提供吸力。多个气孔设置在多个保持表面中以向衬底提供与吸力相反的浮力。间隔调整单元调整多个保持单元之间的间隔，使得从多个保持表面延伸的保持区域的大小对应于衬底的前表面的大小。

公开(公告)号：CN110047794A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201811306194.2

申请日：2018-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴钟根 ,  任京彬 ,  金炳局

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开提供了一种基板支撑装置以及包括该基板支撑装置的基板清洁设备，该基板支撑装置包括：支撑件，其上可装载基板；转子，旋转支撑件；以及振荡器，在垂直于基板的表面的方向上使基板振荡，其中基板根据基板的自然频率或基板上的颗粒的自然频率振荡。

公开(公告)号：CN119920741A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411522249.9

申请日：2024-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩一宁 ,  金秀珉 ,  李民雨 ,  李贤真 ,  任京彬

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种裸片接合设备和裸片接合方法。将其上施加有亲水图案的晶片提供到其上形成有第一磁性图案的裸片座，并在亲水图案周围施加疏水图案。液体被分配到裸片座。将其上形成有第二磁性图案的第一裸片安置在晶片上，并利用液体的毛细管力对第一裸片进行第一对准。液体被分配到第一裸片的上表面上。第二裸片被安置在第一裸片的上表面上，并且利用第一裸片的上表面上的液体的毛细管力来对第二裸片进行第一对准。在第一磁性图案和第二磁性图案中产生磁场，并且利用磁力对第一磁性图案和第二磁性图案进行第二对准。

公开(公告)号：CN118692928A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410304731.9

申请日：2024-03-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩丞镐 ,  金祐永 ,  李民雨 ,  文范基 ,  任京彬

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/492

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：制备分别包括具有金属焊盘和电介质层的键合层的第一衬底和第二衬底；对第一衬底和第二衬底中的每一个的键合层的表面执行平面化工艺；将湿法原子层蚀刻应用于键合层的表面，使得金属焊盘的表面凹进至目标深度；以及利用退火工艺将第一衬底的键合层键合至第二衬底的键合层。