公开(公告)号：CN112185850A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010630336.1

申请日：2020-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任京彬 ,  尹贤埈 ,  赵光熙 ,  李济元 ,  韩珉洙 ,  金俊亨 ,  石承大

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

Abstract: 在晶圆到晶圆接合方法中，第一晶圆被真空吸附在下平台的第一表面上，并且第二晶圆被真空吸附在上平台的第二表面上。通过下推动杆将压力施加到第一晶圆的中间部分，并且通过上推动杆将压力施加到第二晶圆的中间部分。第一晶圆和第二晶圆的接合径向向外传播。检测第一晶圆和第二晶圆的接合传播位置。下推动杆的突出长度和上推动杆的突出长度的比率根据接合传播位置而改变。

公开(公告)号：CN110931416A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910891345.3

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑泳 ,  韩珉洙 ,  金俊亨 ,  罗勋奏 ,  文光辰

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/50

Abstract: 公开了一种衬底接合设备和一种衬底接合方法。所述衬底接合设备包括：下卡盘，其承接下衬底；以及上卡盘，其布置在下卡盘上方。上衬底固定于上卡盘。上卡盘和下卡盘将上衬底与下衬底接合。上卡盘具有朝向下卡盘的上凸表面。上凸表面包括沿方位角方向交替布置的多个第一脊和多个第一谷。